در این مقاله آنتن صفحه فرنل بالایه دی الکتریک و حلقه های فلزی چاپ شده روی آن در حالت فرستندگی و جریان های معادل مغناطیسی برای میدانهای تابیده شده از تغذیه میدان دور پترن و بهره این آنتن بررسی و میدان تغذیه با مدل مناسبی تقریب زده شده است در این مدل تغذیه بدون مولفه پلاریزاسیون متقابل با بهره متغیر در نظر گرفته شده است این بررسی با نتیجه تجربی ساخت چند نوع آنتن مقایسه شده است .

رنگدانه نانوساختار استرانسیم هگزاگونال فریت نوع M با ساختار شیمیایی SrFe12O19 در دماهای 1100-900 درجه سانتی‌گراد با روش‌های هم‌رسوبی و پچینی تهیه شدند. آنالیزهای پراش پرتو ایکس (XRD)، میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی (FESEM)، مغناطومتر نمونه مرتعش (VSM) و تحلیل‌گر برداری شبکه ...

استفاده از روش آزمون غیرمخرب برای آزمون انواع مواد، پیوسته در حال گسترش است. رادار نفوذی زمین یکی از روش های غیر مخرب آزمون مواد بر پایه استفاده از امواج الکترومغناطیسی می باشد که کاربرد آن در زمینه چوب و مواد چوبی سابقه چندانی ندارد. در این مطالعه از روش رادار نفوذی زمین (GPR) برای بررسی معایب داخلی چوب 3 گونه پهن برگ داخلی در 3 رطوبت مختلف استفاده شد. به منظور حذف عوامل تاثیر گذار بیرونی و نا...

کاربردهای عملی و مستقیم بلورهای فوتونی مستلزم ساخت بلورهای فوتونی سه بعدی است که بتواند نوار ممنوعه در سه بعد را ایجاد نماید. ساخت بلورهای فوتونی سه بعدی با استفاده از روشهای موجود، دشوار و پیچیده است. یک راه جایگزین برای ایجاد نوار ممنوعه شبه سه بعدی استفاده از بره بلور فوتونی دوبعدی است که ساخت آن با فناوریهای موجود کاملا امکان پذیر است. بره ها بلورهای فوتونی دوبعدی هستند که ضخامت آنها در جهت...

در این تحقیق خواص الکترونی و اپتیکی بلور پیزو الکتریک (sr3)x nbga3si2o14 (ca3)1-x به ازاء0 ,1/2 ,1) (x= با استفاده از روش پتانسیل کامل موج تحت افزوده شده خطی (fp-lapw) و تقریب شیب تعمیم یافته (gga) بررسی شده است. نتایج نشان می دهد که در جا به جایی ابر الکترونی نسبت به دو بلور دیگر بیشتر است. همچنین گاف نواری نسبت به به اندازهev 21/0 افزایش می یابد..این افزایش گاف روی خواص الکترواپتیکی تاثیر می ...

در ادامه رفتار مد نقص نسبت به دما مطالعه شده است. نتایج نشان می دهد که با افزایش دما، ارتفاع مد نقص کاهش پیدا می کند. و موقعیت آن به سمت فرکانس های بالاتر جابجا می شود. اثر اتلاف در ساختار نامتقارن برجسته تر می باشد. در واقع اندازه ی پیک مد نقص در طیف تراگسیلی، نسبت به ساختار متقارن بسیار کمتر می باشد. در صورت افزایش دما میزان کاهش ارتفاع مد نقص در بلور فوتونی دارای نقص pb1-xsnxte بسیار بیشتر ا...

هگزافریت استرانسیوم (srfe12o19) با مغناطش اشباع، ناهمسانگردی تک محوری و مقاومت الکتریکی بالا، جزء مواد مغناطیسی سخت به شمار می آید. این ترکیب با ساختار هگزاگونال و 64 یون به ازاء سلول واحد، دارای خواص جالب و منحصر به فرد زیادی می باشد. انواع مختلف آلایش در این ترکیب، تغییرات متنوعی در ساختار و خواص مغناطیسی این ماده ایجاد می کند. بنابراین در این پایان نامه، نانو ذرات هگزافریت استرانسیم خالص و آ...

در این تحقیق، اثر پلاسمای اعمالی با گازهای کاری متفاوت بر میزان نیترات موجود در آب بررسی شده است. برای تولید پلاسما از منبع تغذیه (15kv-27khz) استفاده شده است. مشاهده گردید که اعمال پلاسمای هوا در ساختار تخلیه سد دی الکتریک بر محلول پتاسیم نیترات، منجر به افزایش غلظت نیترات موجود در محلول شده در حالی که در مورد پلاسمای آرگون تولیدی در حباب با ساختار دو الکترود میله ای، تاثیری در میزان آن مشاهده...

نانو ساختارهای اکسید لانتان تزریق شده با زیرکونیوم به روش سُل- ژل تهیه شدند. در این کار، مقادیر مشخصی از نیترات لانتان، پروپکساید زیرکونیوم، اسیداستیک و متاکسی اتانول با هم حل شده و نانوبلورک­های به دست آمده با تکنیک­های پراش پرتو ایکس (xrd) ، میکروسکوپ الکترونی عبوری (tem) ، میکروسکوپ نیروی اتمی (afm) و میکروسکوپ الکترونی روبشی (sem) بررسی شدند. برای بررسی خواص الکتریکی و اندازه­گیری ثابت دی­ال...

خواص ساختاری، اپتو الکترونیکی و ترمو الکتریکی ترکیبات(x=ca, sr) xruo3 بصورت نظری با استفاده از نظریه تابعی چگالی بررسی شده است. در انجام محاسبات نظری از روش پتانسیل کامل موج تخت افزوده شده خطی(fp-lapw) و از تقریب شیب تعمیم یافته، که پتانسیل هوبارد به آن اضافه شده (gga+u)، استفاده گردیده است. نتایج محاسبات نظری نشان می دهد که دو گاف نواری متفاوت برای دو حالت اسپینی (بالا و پایین) وجود دارد. نتای...