چکیده هدف از این پروژه، رسوب دهی هم زمان نیکل، منگنز و گالیوم درون حفرات قالب اکسید آندی آلومینیوم به صورت آلیاژی می باشد. این آلیاژ حافظه دار مغناطیسی است و سنتز آن به صورت نانوسیم برای اولین بار می تواند راهگشای کاربردهایnems باشد. به همین منظور ابتدا رسوب دهی آلیاژ نیکل-منگنز بهینه شده و سپس گالیوم به سیستم رسوب دهی اضافه گردید. تاثیر پارامتر های رسوب دهی مثل دانسیته جریان، غلظت نمک ها و ph...

گالیوم آرسناید ترکیبی از عنصرهای گروه‌های III-V جدول تناوبی عناصر است. گالیوم آرسناید در ساختاری بلوری مشهور به الماس گونه متبلور می‌شود. این ساختار به ساختار شبکه‌ی بلوری الماس بسیار شبیه است، اما در الماس فقط یک نوع اتم (کربن) وجود دارد در حالی که در این ماده هر موضع اتمی به تناوب توسط یکی از اتم‌های آرسنیک یا گالیوم اشغال می‌شود. از این نیمرسانای استفاده‌ی گسترده‌ای در تکنولوژی و ساخت قطعات ...

هدف از این پایان نامه بررسی ویژگیها و شبیه سازی تقویت کننده نوری نیمه هادی با ساختار ‏‎index-guided‎‏و از نوع ‏‎t.w.a‎‏می باشد. با افزایش چشمگیر کاربرد نور به ویژه در مخابرات نوری استفاده از قطعاتی همچون تقویت کننده های نوری هر روز گسترش می یابد. این قطعات دارای نقش مهمی در مخابرات فواصل دور ( که تکرار کننده مورد نیاز است ) می باشند. یکی از متداولترین و بهترین نوع تقویت کننده های نوری تقویت کنن...

در این پایان نامه به مطالعه چشمه های تک- فوتونی پرداخته و انواع مختلف چشمه های تک- فوتونی همچون سیستم های برانگیخته، اتم ها، یون ها در فاز گاز، ملکول های آلی، مراکز رنگی، نانوبلور های نیمرسانا، نقاط کوانتومی خودآراء و ساختارهای نامتجانس را به صورت جداگانه و اجمالی مورد بررسی قرار می دهیم. نقاط کوانتومی خودآرا را در حالت کلی به عنوان چشمه تک- فوتونی در فصل اول مورد بحث قرار داده ایم. انواع مخت...

در این پژوهش، نانوسیم¬های مغناطیسی نیکل به روش الکتروانباشت پالس ac درون قالب آلومینای آندی ساخته شده به روش آندایز دومرحله¬ای رشد داده شدند. لایه سدی کف حفره¬ها در یک آندایز غیر تعادلی بر اساس یک تابع نمایی تا ولتاژهای 8، 12، 16و 20 ولت نازک سازی شد. برای هر ولتاژ نازک¬سازی 5 نمونه با شرایط الکتروانباشت، جریان ثابت 10 میلی آمپر، زمان خاموشی 48 میلی ثانیه با دماهای بستر 10، 20، 30، 40 و 50 درجه...

در این پایان نامه به بررسی ترابرد وابسته به اسپین نانوساختارهای مغناطیسی از قبیل نانوسیم های فرومغناطیس، پادفرومغناطیس و فری مغناطیس پرداخته می شود. محاسبات در رهیافت بستگی قوی و با استفاده از روش تابع گرین انجام می شود. نتایج مربوط به یک نانوسیم فرومغناطیس نشان می دهد که وجود نقص مغناطیسی و افزایش تعداد آن احتمال چرخش اسپین الکترون عبوری را افزایش و چگالی حالت های سامانه را کاهش می دهد. بررسی ...

میکروکاواک های نیمرسانا می توانند بستر مناسبی را برای ایجاد و مشاهده ی پدیده های غیرخطی اپتیکی نظیر تشکیل طرح های نوری و سالیتون های کاواک فراهم کنند که اهمیت مطالعه ی دینامیک معادلات ماکسول-بلاخ را در رژیم غیرخطی دوچندان می کند. بررسی دینامیک غیرخطی معادلات ماکسول- بلاخ برای توصیف لیزرزایی درکاواک های نیمرسانا بسیار حائز اهمیت می باشد چرا که در این سیستم معادلات، مقیاس های زمانی فمتوثانیه توجی...

با پیشرفت¬های چند دهه اخیر تکنولوژی خلا امکان ایجاد محیط¬هایی با فشار کمتر از ? 10?^(-11) torrفراهم شده است. در چنین شرایطی رشد لایه¬های نانومتری کیفیت نیمرسانا با چگالی ناخالصی زمینه کمتر از ?10?^14 atom?(cm^3 ) میسر شده است و متعاقب آن ساختارهای چند لایه¬ای نا¬متجانس نیمرسانا به کمک روش¬های پیشرفته¬ای مانند رونشانی پرتو مولکولی (mbe) رشد یافته¬اند. ساختارهای algaas/gaas/algaas به دلیل اینکه د...

در این تحقیق نظری به بررسی وابستگی دمایی مشخصه جریان – ولتاژ (i-v) در برخی دیودهای شاتکی شامل اتصالات فلز-نیمرسانا (ms) au/n-gan (رشد یافته به دو روش متفاوت) و اتصالات فلز-اکسید-نیمرسانا (mos) در ساختار au/sio2/n-gaas، بر مبنای نظریه گسیل گرمایونی و نظریه تعمیم یافته آن پرداخته ایم. در گستره ولتاژهای اعمال شده پایین، تحلیل به کار گرفته شده در خصوص تعیین ارتفاع سد پتانسیل و ضریب ایده آلی مبتنی ب...

در میان اکسیدهای نیمرسانا، تیتانیم دی‌اکسید به‌دلیل پایداری شیمیایی دامنه‌دار، بهای مناسب و عدم سمیت، به عنوان مناسب‌ترین ماده برای کاربردهای فوتوکاتالیستی محیطی به‌کار گرفته شده است. تحقیقات گسترده نشان داده‌اند که شکل بلوری آناتاز فعالیت فوتوکاتالیستی بیشتری در مقایسه با شکل روتیل دارد. بازده تخریب فوتوکاتالیستی، بسته به این‌که نور به‌کار رفته نور خورشید است یا نور فرابنفش، می‌تواند متفاوت با...