برس کاری برای اهداف مختلفی چون حذف ناخالصی ها و اکسیدهای سطح فلزات، افزایش براقیت سطح، بهبود خواص خستگی، فعال سازی سطح جهت نشاندن پوشش های مختلف استفاده می گردد. با ایجاد شرایط مناسب، برس کاری می‌تواند تغییر شکل پلاستیک شدید روی سطح ایجاد نماید. برس کاری سبب ایجاد خراش و تغییر شکل پلاستیک لایه‌های سطحی و سیلان ماده می‌گردد. سیلان فلز باعث افزایش کرنش پلاستیک و افزایش نابجایی‌ها در آن محدوده گش...

در این تحقیق می خواهیم اثر ناخالصی مغناطیسی را روی خواص ترمودینامیکی از جمله ضریب هدایت الکتریکی را بررسی کنیم.برای این کار ابتدا توابع گرین الکترونی شبکه شانه عسلی گرافن را به دست آورده و از روی این توابع ضریب هدایت الکتریکی را از نظریه پاسخ خطی کوبو محاسبه می کنیم. سپس تغییرات ضریب هدایت الکتریکی برحسب دما را برای تغییر پارامترهای موجود در هامیلتونی بررسی می کنیم و مشاهده می کنیم که افزایش ب...

اکسید روی یک نیمرسانا با شکاف انرژی در حدود 37/3 الکترون ولت است که در سال های اخیر به خاطر کاربردهای بسیار نانوساختارهایش در زمینه های مختلف الکترونیکی، اپتیکی، مغناطیسی و غیره، مورد توجه بسیار زیادی قرار گرفته است. با افزودن مقدار کمی از ناخالصی هایی مانند فلزات واسطه می توان برخی ویژگی های آن از جمله ویژگی مغناطیسی آن را بهبود بخشید و قابلیت استفاده از آن را افزایش داد. در پژوهش حاضر، هدف س...

چکیده در50 سال اخیر، رفتار مقاومت ویژه وابسته به اسپین در نیمرساناهای مغناطیسی توسط محققان زیادی مورد مطالعه قرار گرفته است. مقاومت ویژه مغناطیسی به علت پراکندگی اسپین های سیار با اسپین های جایگزیده در شبکه، با همبستگی اسپین – اسپین متناسب است. بررسی ها نشان داده است که شکل منحنی مقاومت ویژه به برد همبستگی اسپین – اسپین بستگی دارد و همچنین بر اساس یافته های اخیر رفتار مقاومت ویژه اسپینی بعنوان...

در این تحقیق، روش تغلیظ و ته¬نشینی جهت تهیه روغن خالص از روغن¬های اتلافی مورد استفاده قرار گرفت. به منظور مقایسه ظرفیت حلال¬های مختلف برای حذف اجزای نامطلوب، منحنی های درصد میزان لجن حذف شده بر حسب نسبت وزنی حلال به روغن مستعمل رسم شد. در عملیات کاربردی، سرعت ته¬نشینی ذرات تشکیل شده در مرحله استخراج بسیار مهم است، به همین دلیل برای مقایسه حلال های مختلف ،ارتفاع پیشرفت ته¬نشینی بر حسب زمان ته نش...

پیشرفت¬های روز افزون در تکنولوژی ساخت مواد نیم¬رسانای کم¬بعد و نیز ویژگی¬های منحصر¬به¬فرد این ساختار¬ها باعث ظهور نسل جدیدی از ابزارهای اپتوالکترونیکی با سرعت¬های بالا از جمله لیزر¬های مادون قرمز، تقویت¬کننده¬ها و آشکارساز¬های فوتونی شده¬است. در این میان ساختار¬های نقطه¬کوانتومی به دلیل محبوسیت سه بعدی حاملین بار و سطوح الکترونیکی کاملاً گسسته کاندیدای اصلی برای مطالعات بنیادین می¬باشند، علاوه ب...

وقتی که ابعاد ترانزیستور به حد نانو می رسد، فرض یکنواختی توزیع چگالی حامل ها در کانال ترانزیستور نادرست می گردد. توزیع غیر یکنواخت و تصادفی ناخالصی ها در کانال ترانزیستور باعث ایجاد تغییراتی در مشخصه ترانزیستور می گردد و باعث می شود که پارامترهای ترانزیستور از جمله ولتاژ آستانه، جریان حالت خاموش و ... تا حدی غیر قابل پیش بینی گردد. عدم پیش بینی پارامترهای یک افزاره، طراحی مدارات مجتمع را با مشک...

در این پژوهش نانوذرات مغناطیسی اکسیدنیکل از طریق روش سل- ژل به عنوان یک روش مناسب و با صرفه، ساخته شدند(اندازه تقریبی نانوذرات بدست آمده بین 10 تا 38 نانومتر است). در این فرآیند سل از مخلوط محلول های آبکی نیترات نیکل و اسید سیتریک تهیه شد و پس از تبدیل به ژل در یک فرآیند تبخیر کند، در دماهای مختلف کلسینه شد و فاز نهایی اکسیدنیکل بدست آمد. این فرآیند با شرایط مختلف از قبیل دماهای کلسینه و نسبت ه...

در این پایان نامه با در نظر گرفتن اثرات زیر لایه بر روی گرافین واحتساب ترم راشبا و با معرفی معادله نیمه کلاسیکی در دو بعد ویژه حالات و باندهای جدید اسپینی سیستم به دست آمده و اثر ناخالصی ها و پتانسیلهای خارجی بر روی ترابرد اسپینی با محاسبه جریان اسپینی و انباشت اسپینی محاسبه خواهد شد. همچنین اثر ناخالصی ها در مقاومت مغناطیسی نیز محسوب خواهد شد

در این پایان نامه خواص مغناطیسی مواد را در چارچوب برهم کنش الکترون-الکترون با استفاده از روش اختلالی و استفاده از توابع گرین تاخیری و مدل اندرسون مورد مطالعه قرار می دهیم. در ابتدا فلز میزبان را همانند یک گاز الکترونی در نظر می گیریم و از همبستگی میان الکترونها به علت گستردگی فضایی اوربیتالهای s صرفنظر می کنیم اوربیتالهای ناخالصی از نوع d به آن می افزاییم در این مرحله سعی ما بر این است که با اس...