برخی خواص فیزیکی منحصر بفرد نیمرساناهای نیتروژندار رقیق (in)ganas سبب شده است که در دهه ی اخیر به عنوان ماده ای جالب توجه در دیود لیزرهای فروسرخ، سلولهای خورشیدی چند پیوندگاهی با بازده بالا و سایر ابزارهای الکتریکی مورد توجه زیادی قرار گیرند. معلوم شده است که با افزودن نیتروژن به مقدار ناچیز (کمتر از 5%) به نیمرسانای gaas، گرچه گاف انرژی آن را به طور قابل ملاحظه ای کاهش جرم موثر الکترونها افزای...

در این پایان نامه نخست روشهای اندازه گیری برخی پارامترهای کلیدی مشتمل بر ?_(p ), ? ??_(n ,),n ,p ,n_(a ,) n_(d ) و راستای نیمه هادی وضخامت آنها در نیمه هادیها مورد تحقیق و بررسی قرار گرفته است. اولین روش استفاده از sem است که امکانات آن بصورت مبسوطی مورد مطالعه قرار گرفت و بعنوان راهی برای بقی? دانشجویان جهت پیشرفت در این مسیر عرضه شده است . در مرحله بعد روشهای هال ، پروب چهار نقطه ای و روش c-...

نانولوله گالیم نیترید آرمچیری (5و5) بر خلاف نانولوله کربنی به صورت نیمه هادی است. نانولوله-های گالیم نیترید به همان پایداری نانولوله های کربنی هستند و می توانند تحت برخی از شرایط مازاد شکل بگیرند. ویژگی گالیم نیترید نشان دهنده قابلیت این ماده برای استفاده در وسایل الکترونیکی با دما و سرعت بالا است. علاوه بر این، آنها خواص نوری جالبی نیز دارند به طوری که می توانند طول موج های ماوراء بنفش و نورآب...

در این تحقیق، لایه های نازک نیمرسانای شفاف اکسید روی آلاییده با نیکل zno:ni) ) به روش اسپری پایرولیزیزیر روی بسترهای شیشه-ای تهیه شده اند. تأثیر ناخالصی نیکل بر روی خواص ساختاری، الکتریکی، اپتیکی، ترموالکتریکی و فوتورسانایی لایه های نازک zno) ) بررسی شد. نسبت¬های اتمی نیکل به روی (x=[ni]/[zn]) از 0/0 تا 12% در محلول اسپری تغییر داده شد. نتایج به¬دست آمده از آنالیز پراش پرتو-x تشکیل ساختار بس¬بل...

مواد بر حسب رسانندگی الکتریکی به سه گروه رسانا، نارسانا و نیمه رسانا تقسیم بندی می شوند. از بین مواد نارسانا، گروهی از مواد که به عایق های توپولوژیکی معروف هستند و در آن ها برهمکنش اسپین - مدار قدرتمند است، همزمان عضو خانواده رسانا و نارسانا هستند. نیروی وابسته به سرعت ناشی از برهمکنش اسپین - مدار قدرتمند، توانایی خلق حالت هایی شبیه حالت کوانتومی هال را دارد. از طرف دیگر وابستگی نیروی ناشی از ب...

تأثیر یون های فلزی +3al بر روی کیفیت اپتیکی، سرعت رشد، شکل و ساختار بلور پتاسیم دی هیدروژن فسفات (kdp) مورد بررسی قرار گرفت. بلورها به روش بلور دانه گذاری در محلول با غلظت معین و رشد خود به خودی در دمای اتاق تهیه شدند. بررسی طیف ftir حاکی از خنثی سازی گسترده گروه o-h وابسته به بلور kdp توسط یون های +3al می باشد. طیف uv-visible بلور حاوی ناخالصی +3al افزایش ناخواسته جذب در ناحیه فرابنفش nm300-20...

در این تحقیق، لایه های نازک نیمرسانای شفاف اکسیدروی آلاییده با قلع (zno:sn) و سولفیدروی (zns) به روش اسپری پایرولیزیز بر روی بسترهای شیشه ای تهیه شده است. در بخش اول تاثیر درصد ناخالصی قلع(sn) بر روی خواص ساختاری، اپتیکی، الکتریکی، ترموالکتریکی و فوتورسانشی لایه های نازک zno بررسی شد. برای ناخالص سازی از کلرید قلع (sncl2) با نسبت های مولی مختلف در محلول اولیه استفاده شد. در تهیه محلول ناخالصی، ...

رسانش در دمای پایین برای سیستم های دو بعدی مانندترانزیستوراثرمیدان فلز-اکسید-نیمه رسانا مدتی است که مورد توجه قرار گرفته است. آزمایش ها نشان می دهند که یک نیمه رسانا آلاییده در چگالی الکترونی ناخالصی پایین از خود رفتار عایق ودر چگالی الکترونی بالا خاصیت فلزی نشان می دهد. در یک سیستم دو بعدی نظیر ساختار چند لایه ای الکترون ها با ناخالصی های باردار وخنثی برهم کنش ن سهیم می باشند. دراینجا اثر آنه...

در این پایان نامه، اثرات ناخالصی شیمیایی روی خواص الکترونی و اپتیکی چندلایه ای های نیمرسانای بی نظم بر اساس هامیلتونی بستگی قوی و تقریب پتانسیل همدوس تک جایگاه مورد مطالعه قرار گرفته است. به دلیل قید کوانتومی سیستم در جهت عمود بر لایه ها، طیف الکترونی به مجموعه ای از زیرتراز ها گسسته می شود و چگالی حالت های الکترونی و به تبع آن طیف جذب اپتیکی وابسته به موقعیت لایه می شوند. نتایج نشان می دهد که ...

هدف از اجرای این پروژه، بررسی نظری خواص الکترونیکی اکسید تیتانیوم (tio2) در فاز روتایل (rutile) در حالت خالص و همراه با ناخالصی های گوگرد، سلنیوم، تلوریم و پلونیوم از گروه اکسیژن و زیرکونیم و هافنیم از گروه تیتانیوم و تأثیر اثر ناخالصی روی خواص فوتوکاتالیستی این ماده می باشد. محاسبات بر پایه ی نظریه ی تابعی چگالی (dft) و استفاده از روش شبه پتانسیل با استفاده از نرم افزار siesta انجام شده است....