نتایج جستجو برای: مدار حافظه سیماس

تعداد نتایج: 10579  

ژورنال: کومش 2013
اکبر فهیمی, ملاحت, خلف بیگی, میترا, دوستدار, هاتف, شیخ میر فندرسکی, طلیعه, عشایری, حسن,

  سابقه و هدف: اسکیزوفرنیا یک آسیب شدید روانی است که غالباً با اختلال در عمل‌کرد حافظه توام بوده و می‌تواند منجر به اشکالاتی در عمل‌کرد مستقل در زندگی شود. از آن‌جایی که برخی از اختلالات حافظه در اسکیزوفرنیا می‌توانند با آموزش بهبود یابند، این مطالعه با هدف بررسی تاثیر فعالیت‌های موسیقایی بر حافظه بیماران مبتلا به اسکیزوفرنیا صورت گرفته است.   مواد و روش ‌ ها: 56 بیمار عضو انجمن حمایت از بیماران...

ژورنال: کومش 2010
ابراهیمی, شیما, حقیقی, سعید, رشیدی‌پور, علی, محمد‌اخوان, مازیار, وفایی, عباس‌علی,

سابقه و هدف: اثرات مثبت فعالیت‌های فیزیکی و ورزش بر رفتارهای مغزی مانند بهبود حافظه و یادگیری ثابت شده است. در یک مطالعه اخیر، ما مشاهده کردیم که پروپرانولول قادر است اثرات مثبت ورزش ارادی بر یادگیری و حافظه را مهار نماید ولی جایگاه عمل آن روشن نیست. هدف این مطالعه، بررسی نقش هسته قاعده‌ای-جانبی آمیگدال بر اثرات مهاری پروپرانولول بر بهبود حافظه و یادگیری ناشی از ورزش اختیاری است. مواد و روش‌ها...

آبتین, شیما, خواجه پور, لطف الله, نجف زاده, حسین, کسمتی, مهناز,

زمینه و هدف: مریم گلی یکی از گیاهان دارویی بهبود دهنده حافظه است که از گذشته مورد استفاده بشر قرار دارد. از طرف دیگر، نانو ذرات اکسید آهن که امروزه کاربرد وسیعی در پزشکی و صنعت دارد، ممکن است فرایند‬های مغزی مرتبط با حافظه را مختل نماید. در تحقیق حاضر، اثر عصاره آبی الکلی مریم گلی بر تخریب حافظه ناشی از نانو ذرات اکسید آهن و نقش گیرنده‬های بتا- آدرنرژیک در این اثر، مورد مطالعه قرار گرفت. روش ک...

در این مقاله یک مبدل افزاینده جدید ارایه گردیده است که برای ایجاد شرایط کلیدزنی نرم از کلید کمکی استفاده نگردیده است بنابراین نیاز به مدار راه انداز اضافی نیست و انرژی مدار کمکی نیز به نحو مناسبی به خروجی منتقل گردیده است. مدار کمکی شرایط کلیدزنی در جریان صفر را برای روشن شدن و شرایط کلیدزنی در ولتاژ صفر را برای خاموش شدن کلید فراهم می نماید. از طرفی تمامی دیودها بصورت ZCS خاموش می گردند و مشکل...

ژورنال: :کومش 0
مریم واشقانی maryam vasheghani laboratory of learning and memory, research center and department of physiology, school of medicine, semnan university of medical sciences, semnan, iranدانشگاه علوم پزشکی سمنان، دانشکده پزشکی، مرکز تحقیقات و گروه فیزیولوژی، آزمایشگاه یادگیری و حافظه عباسعلی وفایی abbas ali vafaei laboratory of learning and memory, research center and department of physiology, school of medicine, semnan university of medical sciences, semnan, iranدانشگاه علوم پزشکی سمنان، دانشکده پزشکی، مرکز تحقیقات و گروه فیزیولوژی، آزمایشگاه یادگیری و حافظه علی رشیدی پور ali rashidy-pour laboratory of learning and memory, research center and department of physiology, school of medicine, semnan university of medical sciences, semnan, iranدانشگاه علوم پزشکی سمنان، دانشکده پزشکی، مرکز تحقیقات و گروه فیزیولوژی، آزمایشگاه یادگیری و حافظه حسین رجب زاده hossien rajabzadeh laboratory of learning and memory, research center and department of physiology, school of medicine, semnan university of medical sciences, semnan, iranدانشگاه علوم پزشکی سمنان، دانشکده پزشکی، مرکز تحقیقات و گروه فیزیولوژی، آزمایشگاه یادگیری و حافظه علی بوستانی ali boustani laboratory of learning and memory, research center and department of physiology, school of medicine, semnan university of medical sciences, semnan, iranدانشگاه علوم پزشکی سمنان، دانشکده پزشکی، مرکز تحقیقات و گروه فیزیولوژی، آزمایشگاه یادگیری و حافظه

سابقه و هدف: مطالعات اخیر نشان می دهند گیرنده های سروتونرژیک می تواند اثرات ناشی از استرس یا گلوکوکورتیکوئیدها را در فرایندهای رفتاری به ویژه یادگیری و حافظه تعدیل نمایند. هدف این مطالعه تعیین نقش گیرنده های سروتونرژیک (5ht6) در اثرات کورتیکوسترون و استرس حاد بر به خاطرآوری و خاموشی حافظه ترس احترازی غیر فعال بود. مواد و روش ها: در این مطالعه تجربی موش های سوری در مدل یادگیری احترازی غیر فعال آ...

ژورنال: :مجله دانشگاه علوم پزشکی اردبیل 0
شیرین ببری shirin babri ناصر خلجی naser khalajy

زمینه وهدف: پیراستام از ترکیبات محرک مغزی است که عملکرد سیستم عصبی را تقویت می کند. تشکیل حافظه ترکیبی از روندهای مختلف است که عوامل متفاوتی قادر به اختلال در آن هستند. با توجه به افزایش احتمال قرارگیری در معرض میدانهای مغناطیسی در سالهای اخیر واثرات مطرح این میدانها برروندتثبیت حافظه مطالعه مذکور طرح ریزی گردید تا نقش این دو عامل در ارتباط با حافظه مشخص شود. روش کار : دراین مطالعه یازده گروه د...

ژورنال: :physiology and pharmacology 0
hoda parsa dept. biology, school of science, shahid chamran university of ahvaz, ahvaz, iran ahmad ali moazedi dept. biology, school of science, shahid chamran university of ahvaz, ahvaz, iran lotfolah khajehpour dept. biology, school of science, shahid chamran university of ahvaz, ahvaz, iran mehdi pourmehdi dept. epidemiology, school of veterinary faculty, shahid chamran university of ahvaz, ahvaz, iran

مقدمه: هیپوکامپ یکی از مراکز اصلی در فرآیند حافظه و یادگیری است. نقش سیستم اوپیوئیدی در فرآیند حافظه و یادگیری همواره مورد بررسی بوده و از طرفی گیرنده های مربوط به این سیستم ازجمله گیرنده های مو اوپیوئیدی در هیپوکامپ گسترده هستند. در این کار پژوهشی اثر تجویز نالوکسان به عنوان آنتاگونسیت گیرنده های مو اوپیوئید بر حافظه احترازی غیر فعال موش های صحرایی نر بالغ با استفاده از دستگاه شاتل باکس مورد ب...

ژورنال: :مهندسی مکانیک مدرس 2013
احسان معانی امیررضا کوثری مهدی فکور

در این مقاله مسیر حرکت یک ماهوارة نمونه از مدار انتقال ژئوسنکرون تا مدار زمین ثابت با استفاده از الگوریتم جستجوی سیمپلکس پارِتو بهینه¬سازی می¬شود. انتقال بین دو مدار به صورت پیوسته در نظر گرفته شده و معادلات دینامیکی ماهواره در حین انتقال با در نظر گرفتن نیروی پیشرانش و نیروی جاذبه زمین حل می¬شود. با توجه به اهمیت کاهش هر چه بیشتر جرم سوخت ماهواره، تعیین مدار واسطه بین مدار انتقال ژئوسنکرون و مد...

در این مقاله یک بلوک مبدل سریال به موازی یک پردازنده FFT 8 نقطه‌ای با استفاده از تکنولوژیum CMOS 13/0 ارائه شده است. به‌دلیل مزیت‌های بسیار مدارهای حالت جریان نسبت به مدارهای حالت ولتاژ، در این طراحی سعی شده است که از این گونه مدارها استفاده شود. بنابراین در این بلوک ابتدا باید ولتاژ ورودی را به جریان تبدیل نمود و سپس برای موازی کردن نمونه‌ها از مدار نمونه‌بردار جریانی استفاده کرد. به منظور قرا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تهران 1382

برای رسیدن به سطوح بالای پوشش خطا، معمولا تغییرات زیادی در مقادیر سیگنالهای داخلی مدار ایجاد می گردد که باعث افزایش مصرف توان نسبت به حالت کار عادی مدار است. علاوه بر این آزمون مبتنی بر پویش در زمان شیفت دادن بردارها تعداد زیادی گذار در ورودی مدار تحت آزمون ایجاد می نماید که این مسئله باعث فعالیتهای کلیدزنی زیاد در مدارهای داخلی واحد تحت آزمون و افزایش توان خواهد شد. توان مصرفی بالا در زمان آزم...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید