در این تحقیق ابتدا به مطالعه و بررسی نحوه ی تشکیل چاه کوانتومی دو بعدی در ساختارهای نامتجانس algan و gan می پردازیم . که در این بررسی تمامی پتانسیل های موجود ، اثر قطبشی خود به خودی و پیزوالکتریک که بر چاه کوانتومی تأثیر می گذارند را در نظر خواهیم گرفت . سپس با اعمال پتانسیل خارجی تحرک الکترونی وتراکم الکترونی را محاسبه می کنیم . با مشخص شدن رفتار تراکم الکترونی تحت پتانسیل خارجی می توان جریان ...

در این پایان نامه عملکرد ترانزیستور لایه نازک در دو حالت یک گیتی و دو گیتی، بررسی گردیده است. از آنجا که وابستگی ولتاژ آستانه به ولتاژ درین برای کاربردهای دیجیتال مهم است، تغییرات آنرا بررسی نموده ایم. در ابتدا تغییرات ولتاژ آستانه با ولتاژ درین بررسی شده است که با افزایش ولتاژ درین مقدار ولتاژ آستانه کاهش می یابد. سپس تغییرات ولتاژ آستانه با کاهش طول کانال مورد مطالعه قرار گرفته و مشاهده شد که...

در این مقاله، یک LNA کسکود ولتاژپایین با خطینگی بالا، با استفاده از روش تزویج مغناطیسی در باند فرکانسی 45GHz با استفاده از تکنولوژی µmRF-0.18CMOS شرکت TSMC ارائه شده است. از روش تزویج مغناطیسی جهت کاهش ولتاژ منبع تغذیه و کاهش اثرات غیرخطی رسانایی درین ترانزیستور کسکود ورودی به‌کار گرفته شده است. به کمک یک ساختار سورس مشترک و ایجاد یک مسیر اضافی اثرات غیرخطی ترارسانایی ترانزیستور ورودی در خروجی ...

چکیده ندارد.

نوسانگرها عناصر از اصلی سازنده مدارهای فرستنده-گیرنده رادیویی هستند. از فاکتورهای مهم برای یک نوسانگر فرکانس بالا می توان به فرکانس نوسان و توپولوژی مناسب برای کار در ماکزیمم فرکانس نوسان ترانزیستور ( fmax )، دامنه نوسان و نویز فاز را نام برد. از میان انواع مختلف نوسانگرها، انواع lc بخاطر داشتن رفتار نویز فاز بسیار خوب و عملکرد در فرکانس های بالا، معروف هستند. هدف اصلی این پایان نامه تحلیل و طر...

در این رساله، بلوک های مختلف بخش آنالوگ یک تگ غیرفعال rfid با هدف کمینه کردن توان مصرفی، طراحی و شبیه سازی شده است. در طراحی بلوک یکسوساز از ساختار اتصال متقاطع و مدار بوت استرپ برای حذف اثر ولتاژ آستانه استفاده شده است. یکسوساز به ازای دامنه ولتاژ rf ورودی v64/0، دارای بازده تبدیل توانی برابر با %31 می باشد. در ساختار محدودکننده ولتاژ از bgr، مقایسه کننده و وارونگرهایی که بر اساس ترانزیستورهای...

چکیده سیستم های اطلاعاتی سازمان ها، نقش بسزایی در عملکرد سازمان ها ایفا می کنند. بکارگیری سیستم ها و فناوری های اطلاعاتی در سازمان ها زمانی کارساز خواهد بودکه سازمان ها فرایند یادگیری در خصوص استفاده موثر وکارآمد از سیستم های اطلاعاتی و فناوری اطلاعات (is/it) را طی کرده باشند و به مرحله بلوغ رسیده باشند. مدل های مختلفی در رابطه با بلوغ سازمانی مبتنی بر رشد is/it طراحی شده است. مدل اٍرل یکی از آن...

بعد از محدود شدن ترانزیستورهای سیلیکونی، بعلت بازدهی کم و پتانسیل پایین، پیداکردن جایگزینی مناسب برای آنها، که علاوه بر بازدهی بالاتر، قابلیت مجتمع سازی و عدم نیاز به تجهیزات خنک کننده داشته باشد اهمیّت فوق العاده ای پیدا کرد. لذا با در نظر گرفتن این شرایط، گالیوم نیترید به عنوان جایگزین آن معرفی گردید که یک نیمه رسانای ترکیبی iii-v و با گاف نواری مستقیم و نسبتاً بزرگ (با انرژی 3.5 الکترون ولت) م...

مدارات مجتمع cmos به منظور دستیابی به سرعت بالا و تراکم فشرده سازی، کوچک شدن افزاره ها را می طلبند، لذا با کوچک شدن طول گیت اثرات کانال کوتاه بسیار مهم خواهند شد. به دلیل تغییر طول گیت خواص قطعه نیز تغییر می کند. در این پایان نامه، اثرات کانال کوتاه ترانزیستورهای سیلیسیم روی عایق و روش های کاهش آنها و نیز ساختارهای ارائه شده بدین منظور مورد مطالعه قرار گرفته اند؛ در نهایت با استفاده از شبیه ساز...

امروزه مدارهای جابجایی طبیعی در سیستمهای صنعتی مختلفی مانند سیستم‌های گرمایش خورشیدی، راکتورهای هسته‌ای، سیستم‌های زمین گرمایی، خنک سازی قطعات الکترونیکی و غیره کاربرد دارند. در یک مدار جابه‌جایی طبیعی، سیال عامل گرمای گرفته شده از منبع گرم (هیتر) را به منبع سرد (کولر) تحویل می‌دهد. هدف اصلی این مقاله، بررسی اثرات جهت قرارگیری هیتر و کولر بر دبی جرمی مدار و توزیع دما در مدار جابه‌جایی طبیعی می‌...