LED درایورهای آفلاین متداول (50 یا 60 هرتز) برای کاهش مولفه‌ی فرکانس پایین نوسان در خروجی و نیز کاهش نامتعادلی توان بین ورودی AC و خروجی DC، از یک خازن الکترولیتی بزرگ استفاده می‌کنند. از طرف دیگر خازن الکترولیتی مهم‌ترین عنصر محدود کننده‌ی عمر درایور می‌باشد. یکی از روش‌های حذف این نوع خازن از ساختار درایور کاربرد جریان ضربانی فرکانس بالا به جای جریان DC ثابت می‌باشد. در این مقاله یک ساختار بد...

مقدمه: نفوذ فن آوری اطلاعات و ارتباطات در حوزه ی سلامت و توانمندی های چشم گیر آن، در کنار امکان افزایش کارایی ارایه ی خدمات و کاهش هزینه ها، موجب توجه روزافزون به این فن آوری ها برای مقاصد مختلف شده است. بر این اساس تعیین تأثیر توسعه ی سلامت الکترونیک بر کاهش مخارج سلامت خانوارها هدفی است که مقاله ی فعلی به آن پرداخته است. روش بررسی: مطالعه ی توصیفی- کاربردی فعلی در دو مرحله در سال 1391 صورت گر...

با توجه به حجم قابل ملاحظه منابع تغذیه در دستگاههای الکترونیکی، کاهش حجم و وزن آنها یکی از مسایل مهم طراحی می باشد. در منابع تغذیه سوئیچینگ این فرایند با افزایش فرکانس سوئیچینگ انجام می شود. در فرکانسهای سوئیچینگ بالا، تلفات سوئیچینگ و نویز emi افزایش می یابدکه باعث محدود شدن فرکانس کار و کاهش راندمان مدار می شود. روشهای سوئیچینگ نرم، راه حل مناسبی برای کاهش تلفات سوئیچینگ و نویز در فرکانسهای ب...

امروزه با پیشرفت تکنولوژی در حوزه الکترونیک قدرت و ساخت انواع مبدل ها، استفاده از توربین-های بادی سرعت متغیر با ژنراتور القایی دو سو تغذیه (dfig) مورد توجه قرار گرفته است. مزارع بادی بزرگ معمولاً در مناطق دوردست با الگوی باد مناسب قرار دارند و از طریق خطوط بلند به شبکه سراسری متصل می شوند. میزان ظرفیت بارپذیری خطوط انتقال با افزایش طول آن ها کاهش می یابد. جبران سازی خط انتقال توسط خازن سری به عن...

در این تحقیق عملکرد لرزه ای دو نوع اتصال خمشی موردمقایسه قرار گرفته است . اتصال اول اتصال کاهش یافته در بال rbs و اتصال دوم کاهش یافته در جانrws. با اعمال بارگذاری چرخه ای و استخراج منحنی های لنگر دوران مشخص شد که اتصال کاهش یافته در بال rbs در مقایسه با اتصال rws عملکردی بهتری را در شکل پذیری، مقاومت و سختی مربوطه دارا می باشد.

در این پایان نامه اثر مدلسازی بار بر جایابی خازن به منظور کاهش تلفات در سیستم‏های توزیع قدرت بررسی شده است. هدف، بررسی اثر مدل‏های بار استاتیکی وابسته به ولتاژ بر جایابی خازن در سیستم های توزیع است. سیستم توزیع پیوند بین سیستم قدرت و مصرف کننده است، در سیستم‏های توزیع با دور شدن از پست، ولتاژ باس‏ها کاهش می‏یابد و تلفات نیز بیشتر می‏شود. دلیل کاهش ولتاژ و تلفات بالا، میزان ناکافی توان راکتیو می...

امروزه توجه به مبدل های الکترونیک قدرت به خصوص اینورترهای چند سطحی به منظور استفاده در کاربردهای توان بالا، ولتاژ بالا به طور گسترده ای افزایش یافته است. اینورترهای چند سطحی به سه دسته اصلی اینورترهای چند سطحی از نوع برشگر دیودی (npc)، اینورتر چند سطحی خازن شناور (fc) و اینورترهای چند سطحی سری (chb) تقسیم می شوند. از بین ساختارهای اصلی اینوترهای چند سطحی، اینورترهای چند سطحی سری به دلیل کاهش در...

در این مقاله یک تقویت کننده عملیاتی دوطبقه با تکنیک بافر جریان سری با خازن میلر برای کاربردهایی با پهنای باند چند صد مگاهرتز طراحی و بهینه سازی شده است. در اینجا برای کاهش سطح سیلیکون اشغالی، خازن جبرانسازی را با خازن ترانزیستوری جایگزین کرده‌ایم. برای برطرف کردن مشکلات بکارگیری خازن ترانزیستوری از الگوریتم بهینه‌سازی استفاده شده است و همچنین با استفاده از روش پیشنهادی رابطه‌ تحلیلی از جواب‌های...

ایده مبدل شبه منبع امپدانسی از مبدل منبع امپدانسی گرفته شده است. اینورتر شبه منبع امپدانسی برای اولین بار در سال 2007 پیشنهاد شد. این مبدل تمام توانایی­ های مبدل منبع امپدانسی را دارا می­ باشد و می­ توان آن را برای تبدیل توان  dc-to-ac، ac-to-dc، ac-to-ac و dc-to-dc استفاده نمود. مبدل شبه منبع امپدانسی یک شبکه امپدانس منحصر به فرد متشکل از دو سلف، دو خازن و دو المان سوئیچینگ است. از مزایای مبدل...

ترانزیستورهای اثر میدان فلز-اکسید-نیمه هادی (mosfet (ماسفت)) با تکنولوژی سیلیسیم روی عایق (soi) به طور گسترده در مدارات مجتمع به کار می روند. بنابراین، دست یابی به ترانزیستورهای ماسفت سیلیسیم روی عایق در ابعاد بسیار کوچک نیازی مهم برای توسعه صنعت الکترونیک به حساب می آید. در این مقاله یک ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق دو گیتی جدید در مقیاس نانو پیشنهاد می گردد که در آن یک پنجره از اکسید سیلی...