در این تحقیق، لایه های نازک اکسید قلع آلاییده با وانادیوم (sno2:v) به روش اسپری پایرولیزیز بر روی زیرلایههای شیشه ای تهیه شده است. تاثیر ناخالصی وانادیوم بر روی خواص ساختاری، الکتریکی، ترموالکتریکی، اپتیکی و فوتورسانایی لایه های نازک sno 2 بررسی شد. نسبت های اتمی وانادیوم به قلع ([v]/[sn]) از 0 تا 20 تغییر داده شد. نتایج آنالیز xrd تشکیل ساختار بس بلور تتراگونال sno2 را نشان داد. کمترین مقاومت ...

سیلیکان متخلخل (ps) ماده ای است که توسط فرآیند سونش با روش آندیزاسیون الکتروشیمیایی سطح سیلیکان بدست می آید.این ماده خصوصیات متفاوتی را در مقایسه با سیلیکان از خود بروز می دهد،برای مثال بالا بودن نسبت سطح به حجم آن، که منجر به به کارگیری اش به عنوان حسگر گازی شده است. به منظور بهبود خواص الکتریکی سیلیکان متخلخل، برومو ایندیم فتالو سیانین (brinpc) روی آن لایه نشانی شده است، در نتیجه قطعه ی ساند...

لایه های نازک سولفید کادمیم، با استفاده از روش تبخیر آنی با نرخ لایه نشانی nm/s 5/2 و ضخامت تقریبی nm 800 در خلاء )6-10 5 تور( ساخته شدند. در این پژوهش، به منظور مطالعه آثار زیرلایه روی خواص ساختاری نمونه ها، از دو نوع زیر لایه، شیشه و ( ito )indium tin oxide استفاده گردید. خواص ساختاری نمونه ها توسط پراش اشعه ایکس مورد بررسی قرار گرفت. محاسبه پارامترهای ساختاری آشکار نمود که نمونه های ساخته شد...

در این تحقیق، لایه های نازک نیمرسانای شفاف اکسید روی به روش اسپری پایرولیزیز بر روی بسترهای شیشه ای تهیه شده است. نخست، اثر حجم محلول اولیه ، آهنگ لایه نشانی و دمای بستر بر روی خواص ساختاری، الکتریکی و اپتیکی لایه های نازک zno بررسی شد. نتایج این بررسی ها نشان داد که حجم محلول، آهنگ لایه نشانی و دمای بستر بهینه برای تهیه لایه های نازک نانوساختار اکسید روی با رسانایی الکتریکی نوع-n و شفافیت اپتی...

سلنید قلع (snse) یکی از نیم رساناهای iv-vi است. این نیم رساناها مدت بیش از یک دهه است که بخاطر خواص بی نظیرشان در اپتو الکترونیک مانند دیود های نور گسیل، دیود های لیزری، کلید زنهای حافظه ای و تولیدات مادون قرمز توجه زیادی را به خود جلب کرده اند. برای تهیه فیلم های سلنید قلع با کیفیت بالا از روش های مختلفی مانند نهشت بخار شیمیایی، رونهشتی باریکه مولکولی، الکتروشیمیایی، تبخیر و کندوپاش استفاده می...

در سلول های خورشیدی آمورف لایه نازک با ساختار p-i-n یک لایه ذاتی ضخیم می تواند نور بیشتری برای تولید الکترون و حفره جذب کند. با این حال یک لایه ضخیم ذاتی میدان الکتریکی رانشی را برای انتقال حامل ها تضعیف می کند. از سوی دیگر یک لایه نازک نمی تواند نور کافی جذب کند. ضخامت لایه ذاتی یک پارامتر کلیدی است که می تواند عملکرد سلول های خورشیدی لایه نازک را محدود کند. تزریق اتم های ge به شبکه si در سلول...

  در این مقاله لایه­های نازک نانوساختار مس و روی به روش لایه نشانی لیزر پالسی تهیه شده­ و ضرایب جذب و شکست غیرخطی این لایه‌ها با استفاده از روش روبش- z اندازه­گیری و بررسی شده است. جزئیات پارامترهای لایه نشانی لیزر پالسی برای هر دو فلز مس و روی ارائه شده است. برای انجام آزمایش روبش- z از لیزر موج   اندازۀ ضریب جذب و ضریب شکست غیرخطی لایه­های نازک نانوساختاری مس و روی به کمک نمودارهای آزمایش روب...

در این تحقیق لایه های نازک مس بر زیرلایه ی نیم رسانای گالیوم آرسناید نوع n به دو روش الکتروانباشت و الکترولس رشد داده شدند. لایه های الکتروانباشت شده با مد جریان ثابت از ma 5 تاma30 و لایه های الکترولس شده در دماهای مختلف oc 25، oc77 تهیه شدند. ساختار و ریخت شناسی لایه ها به کمک دستگاه های xrd و sem مورد بررسی قرار گرفت. سپس پارامتر زبری لایه های الکتروانباشت شده در جریان های مختلف انباشت و هم ...

     سازند پابده در مناطق مورد مطالعه (در شمال غرب حوضه زاگرس و فروافتادگی دزفول شمالی) از تناوب سنگ آهک‌های نازک لایه تا ضخیم لایه (مادستون آهکی، وکستون، پکستون و گرینستون) و شیل‌های خاکستری روشن تا تیره که غنی از فرامینیفرهای پلانکتونیک هستند، تشکیل شده است. با توجه به ویژگی رخساره‌های میکروسکوپی مطالعه شده و بررسی تغییرات عمودی رخساره‌های این سازند در برش تیپ، محیط رسوبی از یک رمپ بیرونی با...