نتایج جستجو برای: روکش دی الکتریک

تعداد نتایج: 19609  

ژورنال: :مجله علوم و تکنولوژی پلیمر 2002
حسن عقل آرا

ژورنال: :فصلنامه علمی - پژوهشی مواد نوین 2011
حامد احمدی اردکانی مرتضی علیزاده محمدرضا غضنفری محمد غفاری رسول امینی

در این پژوهش، نانوذرات دی الکتریک تیتانات کلسیم- مس (ccto) به روش مکانو شیمیایی تولید شده است. ترکیب شیمیایی پودر آسیا شده با استفاده از تجزیه ی فلورسانس اشعه ی x (xrf) و تجزیه ی ساختاری کمی وکیفی فازها با پراش اشعه ی x (xrd) و با کاربرد روش رتویلد صورت گرفت. افزون بر این، بررسی اندازه ی ذرات با استفاده از میکروسکوپ الکترونی عبوری (tem) انجام گرفت. نتایج تجزیه ی xrf نشان داد که میزان آلودگی وار...

پایان نامه :دانشگاه آزاد اسلامی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی - دانشکده علوم 1390

برخی نتایج از قبیل تونل زنی، جریان نشتی و نفوذ اتم از میان گیت دی الکتریک فیلم فرا نازک sio2 را بعنوان یک دی الکتریک خوب برای صنعت آینده و وسایل الکترونیکی در تکنولوژی سرامیک تهدید می کند . یک سری از آزمایشات سنتز اکسید هافنیوم در دمای پایین به روش سل-ژل انجام شد. ویژگی های نانو ساختاری اکسید هافنیوم با اندازه بلورک 5 تا 40 نانومتر بررسی شد.نتایج بدست آمده نشان داد که پتانسیل اکسید هافنیوم نه ت...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شیراز - دانشکده علوم 1393

بررسی تاثیر خاصیت شنل پنهان ساز پلاسمونیکی دولایه متحدالمرکز بر یک استوانه دی الکتریک بی نهایت است، زمانی که این استوانه به عنوان سلول پایه در یک بلور فوتونی دوبعدی جایگزین یک استوانه دی الکتریک بدون پوشش با طول بی نهایت میگردد. هدف، بررسی و مقایسه طیف عبوری دو بلور فوتونی ذکر شده در حالت های مختلف است

ژورنال: :دو فصلنامه علمی - پژوهشی دریا فنون 2015
محمدحسن تقی نسب شورکی امید صفاییان محمدرضا خضری

مواد فروالکتریک پایه سربی و علی الخصوص pb(zrti)o3 به علت دارا بودن خواص پیزوالکتریک عالی دارای کاربردهای وسیعی در عملگرها ، حسگرها و مبدل های پیزوالکتریک هستند. از طرفی، بیش از 60 درصد وزنی این ترکیبات را سرب تشکیل می دهد. با در نظر گرفتن سمی بودن سرب تلاش های فراوانی به منظور گسترش موادی سازگار با بدن و محیط زیست صورت گرفته است. در این پژوهش سرامیک نایوبات پتاسیم-سدیم (knn) به عنوان مهمترین خا...

ژورنال: :زیست فناوری دانشگاه تربیت مدرس 2013
آزاده عزیزی بیژن رنجبر خسرو خواجه طیبه قدس الهی ثریا هورنام

ا امروزه یکیاز اهداف اصلی صنایع تولیدکننده آنزیم ها،پایدارسازی این ملکول ها بدون کاهشفعالیتآن هااست. اسمولیت های پایدارکننده نوعی افزودنی است که کاربرد گسترده درافزایش پایداری آنزیم هادارد وبدونایجاد تغییرات مخرب در ساختمان آنزیم، سبب افزایش پایداری آن می شود. تاکنون پژوهشات زیادی برای بررسی سازوکار اسمولیت ها انجام شده است ولی جزئیات سازوکار آن ها هنوز مشخص نشده است.در این پژوهش اثرهم زمان دو ...

ازجمله خرابی های که اغلب در روسازیهای آسفالتی مشاهده می گردد، خرابی هایی است که ناشی از رطوبت بوده یا توسطرطوبت تشدید شده اند. که عریان شدگی یکی از مهمترین آنهاست. اما از آنجا که منشا بروز پدیده عریان شدگی ازحساسیت رطوبتی بوده و موجب ایجاد خرابی های زودرس و صرف هزینه های بالای تعمیر و نگهداری می شود.تشخیصمناطق عریان در اثر رطوبت از اهمیت بالایی برخوردار است از متداولترین روشها...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید باهنر کرمان - دانشکده فنی 1391

امروزه نانوساختار تیتانات باریم-استرانسیم به دلیل خواص فروالکتریک و ثابت دی الکتریک بالا مورد توجه بسیاری از محققان قرار گرفته است. هدف از این پژوهش، سنتز نانو پودر های دی الکتریک تیتانات باریم استرانسیم به روش سل- ژل می باشد. بدین منظور دو ترکیب مختلف ba0.7sr0.3tio3 وba0.5sr0.5tio3 از تیتانات باریم استرانسیم با استفاده از مواد اولیه، استات باریم، استات استرانسیم، ایزوپروپوکسید تیتانیم، استیل ا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه ولی عصر (عج) - رفسنجان - دانشکده علوم پایه 1389

یکی از میکروسکوپ هایی که در حوزه ی نانومتری به کار برده می شود میکروسکوپ نوری روبشی میدان نزدیک است. تفکیک پذیری میکروسکوپ های معمولی در ابعاد طول موج نور است در حالیکه این میکروسکوپ ها با استفاده از میدان نزدیک، تفکیک پذیری کمتر از طول موج را امکانپذیر می سازند. در این پایان نامه، نوک کاوه ی میکروسکوپ با یک کره ی دی الکتریک تقریب زده شده و تصویر به دست آمده از توپوگرافی سطح در حالت های مختلف م...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه مازندران - دانشکده علوم پایه 1391

همچنانکه ضخامت گیت دی الکتریک ترانزیستورهای اثر میدانی فلز-اکسید-نیمه رسانا (mosfet) کمتر از 1 نانومتر می شود، مسائلی نظیر تونل زنی مستقیم الکترون و نفوذ اتم های سبک از میان گیت دی الکتریک اکسید سیلیکون مانع بکارگیری بیشتر گیت اکسید فرانازک سیلیکونی در سی ماس می شود. از میان ماده های مناسب اکسید لانتان تزریق شده با زیرکونیوم (zrxla1-xoy) می باشد. در این کار نانو بلورک های اکسید لانتان تزریق شده...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید