بیش از سه دهه است که پژوهشگران سعی می کنند قطعات الکترونیکی با اندازه کوچکتر و کارایی هرچه بیشتر تولید کنند. در 20 سال اخیر کوشش های زیادی برای درک خواص رسانش الکترونی پلیمرهای همیوغ-? بعمل آمده است. این سیستم های نیمه رسانا نقش مهمی در طراحی سیستم های مولکولی برای کاربردهای الکترونیکی دارند. سیم های مولکولی واحدهای ساختاری بنیادی در طراحی قطعات الکترونیکی مولکولی هستند. یک سیم مولکولی شامل یک ...

گالیوم آرسنید نیمرسانایی از ترکیب ستون های III-V جدول تناوبی است. این نیمرسانا دارای گاف مستقیم eV 1/42 در دمای اتاق می باشد و از آن استفاده‌ی گسترده‌ای در تکنولوژی و ساخت قطعات نیمرسانا مانند سلول های خورشیدی می شود از این جهت مطالعه ی خواص آن حایز اهمیت است.در این مقاله خواص ترابردی نیمرسانای GaAs از نوع p مورد مطالعه قرار گرفته است. نمونه های تحت بررسی که شامل دو نمونه نیمرسانای GaAs هستند ب...

در این رساله ارائه مدل جامعی که بتواند در برگیرنده عوامل مختلف فیزیولوژیکی رسانش دارو به تومورها باشد، مورد توجه قرار گرفته است. در این پژوهش برای اولین بار رسانش دارو به تومور با در نظر گرفتن شبکه مویرگی دینامیک (این شبکه تحت تاثیر تومور تولید شده است) که در ارتباط با جریان میان بافتی است و سیستم لنفاوی را هم شامل می شود، مطالعه شده است. از نکات مهم این مطالعه حل معادلات مستقل انتقال ماده حل ش...

هیدروکسی آپاتیت کاربرد فراوانی در پزشکی و دندانپزشکی و از جمله جایگزین سازی، بازسازی و خلق دوباره بافت استخوانی و پوشش دهی کاشتنی های بدن دارد. هیدروکسی آپاتیت نانوبلورین، خواص مکانیکی بالاتر و زیست سازگاری مطلوب تری نسبت به نمونه های میکرومتری در محیط بدن نشان می دهد. هنگامی این خواص بهینه خواهد بود که ذرات نانومتری هیدروکسی آپاتیت از اندازه و شکل یکنواخت و کمترین میزان کلوخ...

در این پایان نامه ویژگی های ساختاری، الکترونی و اپتیکی انبوهه سلنیدمس و ویژگیهای اپتیکی تعدادی از نانولایه های سلنیدمس cuse (klockmannite) در فاز آلفا در راستای (001) مورد بررسی قرار گرفته است. محاسبه ها بر مبنای نظریه تابعی چگالی با استفاده از روش امواج تخت بهبود یافته خطی بعلاوه اوربیتالهای موضعی (apw+lo) با کد محاسباتی وین انجام گرفته است. ویژگیهای ساختاری سلنیدمس با استفاده از چند رهیافت گ...

دی اکسیدهای گروه iva (sio2, geo2, sno2, pbo2) ازگاف نواری پهن و ثابت دی الکتریک بالایی برخوردارند. این مواد به دلیل ویژگی های شیمیایی، مکانیکی و خواص دمای بالای برجسته ای که دارند همواره مورد توجه بوده اند. این ترکیبات همچنین از نقطه نظر ژئوفیزیکی مهم هستند و خواص الکترونی¬شان به طور وسیعی از عایق به فلز تغییر می کند. در این مطالعه نظر به اهمیت و کاربرد اکسیدهای کووالانسی در صنایع و بالا بودن ش...

کشف همزیستی بین فرومغناطیس و ابررسانایی در موادی مثل uge2 ، zrzn2 ، urhge باعث به وجود آمدن دسته جدیدی از مواد شده است که به ابررساناهای فرومغناطیس (fs) مشهور شده اند. سوال بسیار مهم، مکانیسمجفت کوپر در این مواد است که توجه زیادی را در فیزیک دمای پایین به خود جلب کرده است. در این رساله به مطالعه رسانش تونلی در نانو اتصال بین یک ابررسانای فرومغاطیس و یک فلز در چارچوب نظریه btk می پردازیم که ابرر...

شیشه های اکسیدی شامل اکسیدهای عناصر واسطه بطور وسیع بخاطر خواص نیمرسانایی آنها مورد بررسی قرار گرفته اند. شیشه های تهیه شده بر اساس اکسید تلور (teo2) دارای توانایی جالب تشکیل شیشه بوده و خواص رطوبتی از خود نشان نمی دهند، دارای ضریب انبساط حرارتی بالا، دمای گذار شیشه ای پایین بوده و نیز نقطه ی ذوب پایینی از خود نشان می دهند. رسانش الکتریکی در این شیشه ها با مدل جهش پولارون کوچک (sph) تفسیر می شو...

گالیوم آرسنید نیمرسانایی از ترکیب ستون های iii-v جدول تناوبی است. این نیمرسانا دارای گاف مستقیم ev 1/42 در دمای اتاق می باشد و از آن استفاده ی گسترده ای در تکنولوژی و ساخت قطعات نیمرسانا مانند سلول های خورشیدی می شود از این جهت مطالعه ی خواص آن حایز اهمیت است.در این مقاله خواص ترابردی نیمرسانای gaas از نوع p مورد مطالعه قرار گرفته است. نمونه های تحت بررسی که شامل دو نمونه نیمرسانای gaas هستند ب...

گالیوم آرسناید ترکیبی از عنصرهای گروه های iii-v جدول تناوبی عناصر است. گالیوم آرسناید در ساختاری بلوری مشهور به zinc blende متبلور می شود. این ساختار به ساختار شبکه ی بلوری الماس بسیار شبیه است، اما در الماس فقط یک نوع اتم (کربن) وجود دارد در حالی که در این ماده هر موضع اتمی به تناوب توسط یکی از اتم های آرسنیک یا گالیوم اشغال می شود. از این نیمرسانای استفاده ی گسترده ای در تکنولوژی و ساخت قطعات...