نتایج جستجو برای: تقویت کننده بهره متغیر

تعداد نتایج: 174973  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز 1387

چکیده ندارد.

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تهران 1380

خطی سازی تقویت کننده های توان rf در مخابرات سیار نسل سوم امری اجتناب ناپذیر است . در میان روشهای مختلفی که به این منظور ارائه شده اند، پیش اعوجاج دیجیتال با استفاده از جدول جستجو یک روش ساده و با عملکرد بسیار خوب می باشد. این روش با سخت افزار ساده ای پیاده سازی می شود و با توجه به اهمیت توان مصرفی و سطح تراشه مورد نیاز در مجتمع سازی انتخاب مناسبی است . این نوع خطی سازی به چند روش قابل اجرا است ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه ارومیه - دانشکده برق و کامپیوتر 1392

مبدل های آنالوگ به دیجیتال (adc) جزء بلوک های اصلی در سیستم های الکترونیکی هستند. سرعت، دقت و مصرف توان جزء مهم ترین معیارهای شایستگی یک adc محسوب می شوند. عامل محدود کننده سرعت در adc ها, تقویت کننده های حلقه بسته هستند که استفاده از آنها برای دسترسی به دقت بالاتر متداول است. در سال های اخیر تلاش زیادی برای استفاده از ساختارهای سریع حلقه باز در adc ها صورت گرفته است. مشکل اصلی در تقویت کننده ه...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید باهنر کرمان - دانشکده مهندسی 1392

سیستم های بی سیم با سرعت شگفت آوری مسیرتوسعه خود را به سمت دستگاه هایی با پهنای باند بالاتر، مصرف توان کمتر و از لحاظ ساخت مقرون به صرفه تر می پیمایند.سیستم های ارتباط بی سیم فراپهن باند یکی از موارد پژوهشی مهم در حوزه های علمی و صنعتی هستند. با استفاده از سیستم های مذکور می توان در ارتباطات بی سیم به پهنای باند و سرعتی حتی فراتر از ارتباطات سیمی و کابلی دست یافت. ساختار و طراحی مدار سیستم های ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز 1390

مدارهای مجتمع فرکانس بالا برای همه وسایل الکترونیکی قابل حمل که در ارتباطات بی سیم استفاده می شوند، لازم هستند. مدارات فرکانس بالای اولیه با استفاده از تکنولوژی های sige یا gaas ، به دلیل خواص فرکانس بالای فوق العاده آنها،پیاده سازی می شدند.اخیرا، سایز ترانزیستور mos در تکنولوژی cmos به طور مداوم در حال کم شدن بوده است تا خواص فرکانس بالای آن را بهبود دهد؛ که باعث شده پروسه های cmos برای استفاد...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - دانشکده برق و کامپیوتر 1391

رشد روزافزون فناوری ارتباطات بی سیم در سال های اخیر تقاضا را برای مجتمع سازی فرستنده و گیرنده ی بی سیم به منظور دستیابی به هزینه های پایین تر، اندازه ی کوچکتر و ویژگی های دیگر بیشتر کرده است. یکی از چندین بلوک باقی مانده که هنوز با موفقیت مجتمع نشده تقویت کننده ی توان (pa) است. تقویت کننده ی توان آخرین بلوک سازنده ی فعال یک فرستنده ی رادیویی است. بعلت محدودیت های تکنولوژی cmos طراحی یک تقویت ک...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت مدرس 1390

در این پایان نامه یک تقویت کننده کم نویز در باند فرکانسی 22–29 ghz برای کاربردهای رادار خودرو ارائه می گردد. برای رسیدن به بهره توان کافی به همراه پایداری و ایزولاسیون معکوس مناسب، از دو طبقه ساختار آبشاری استفاده شده است. برای ایجاد تطبیق امپدانس پهن باند، از یک فیلتر نردبانی میان گذر در ورودی و دو شبکه تطبیق l در خروجی استفاده می شود. تطبیق امپدانس بین دو طبقه با استفاده از ترکیب شبکه های pea...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت مدرس - دانشکده مهندسی مکانیک 1392

در این پایان‏نامه به تولید و بررسی خواص فیزیکی مکانیکی فوم کامپوزیت چوب-پی‏وی‏سی تقویت شده با الیاف پیوسته‏ی شیشه در فرایند اکستروژن پرداخته شده است. جرم حجمی بالا (و در نتیجه هزینه‏ی تمام شده‏ی محصول) و استحکام نسبی پایین همواره محدودیتی در گسترش کاربرد این کامپوزیت‏ها بوده است. هدف از این تحقیق بررسی امکان‏پذیری افزایش استحکام این کامپوزیت‏ها هم‏زمان با کاهش وزن می‏باشد. متغیرهای این تحقیق عب...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - دانشکده برق و کامپیوتر 1394

در این پایان نامه ما از تداخل سنج ماخ-زندر مبتنی بر تقویت کننده های نقاط کوانتومی استفاده می کنیم تا از آثار غیرخطی قوی نقاط کوانتومی برای پردازش نوری پر سرعت بهره ببریم.همچنین با توجه به ابعاد پایین qd-soa آنها قصد داریم بلوک پایه ای برای مدار های مجتمع نوری طراحی کنیم.لازم به توضیح است که اثرات نویز ase در طول های کمتر از 1500قابل صرف نظر بوده و لذا تحلیل ما بدون نویز در نظر گرفته شده است.در ...

پایان نامه :دانشگاه آزاد اسلامی واحد کرمانشاه - دانشکده مهندسی برق و الکترونیک 1393

در این پروژه یک تقویت کننده کم نویز با ساختار بدون سلف در تکنولوژی 130 نانو ( 0.13 µm ) با پهنای باند 3.5 گیگا هرتز با ولتاژ تغذیه 1.8 ولت طراحی و شبیه سازی شده است که بهره توان آن 27 دسی بل ، تلفات ورودی کمتر از 12- دسی بل ، عدد نویز بسیار مطلوب 2.8 دسی بل ، خطینگیdbm 6.1 و ضریب پایداری بسیار خوب بیش از 110 میباشد.

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید