مفهوم خدا جوهرة اصلی و بنیادی ترین مفهوم در بسیاری از متون مقدس از جمله اوستا است. دراین گونه متون، صفات و ویژگی های خداوند از طریق اسماء و نامهایی بیان شده است که هر یکمعرف جنبه ای از وجود خداوند اند. در اوستا نیز خداوند با نا مهای متعددی چون اهورامزدا کهمعرف بالاترین خرد و یکتایی کامل اوست، و نیز صد و یک نام دیگر خوانده شده است. اهورامزدادر گاهان خداوند خرد است که گیتی و مینو را به وسیلة آن م...

انتقال تکنولوژی مبحثی است که می تواند موجب رشد و توسعه قابلیت های صنعت و کشور گردد. تحقیق حاضر بحث انتقال تکنولوژی را در صنعت تاسیسات ساختمانی (پکیج چگالشی) به عنوان یک صنعت بزرگ در کشور دنبال می کند. شناسایی معیارهای تاثیرگذار بر انتخاب روش انتقال تکنولوژی و سپس تعیین روش مناسب و کاربردی برای انتقال تکنولوژی، چیزی است که در این پژوهش دنبال آن هستیم. برای دستیابی به این مقصود، پکیج را به 5 بخش...

چکیده ندارد.

در این رساله انتقال الکترون در ترانزیستور مسفست (mesfet) با استفاده از روش مونت کارلو تحلیل شده است . به دلیل مشابهت ساختار دیود n+-i-n+ از جنس gaas با ساختار ترانزیستور مسفت ، در ابتدا این دیود شبیه سازی شده است . اثرات تغییر ولتاژ آند، دما و طول کانال در مشخصه های انتقال این دیود بررسی و نشان داده شده است کاهش طول کانال باعث می شود رفتار انتقال حامل بیشتر بالستیک شود. با قرار دادن کاتد از جنس...

یکی از محدودیت های اساسی در مینیاتورسازی ترانزیستورها، محدود بودن شیب زیر آستانه ی آن ها به 60mv/dec در دمای اتاق است. آی-ماس (i-mos) که مبتنی بر یونیزاسیون برخوردی است، این محدودیت را به حدود5mv/dec کاهش داده است. آی-ماس یک نانوترانزیستور با ساختار p-i-n دارای گیت است. گیت، بخشی از ناحیه ی ذاتی(i) واقع شده در میان سورس p یا n و درین n یا p را می پوشاند. ساز و کار تزریق حامل در این افزاره بر اس...

چکیده ندارد.

در کار حاضر، تلاش کردیم ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی را مطالعه کنیم که این مهم با مطالعه ی رفتار حامل ها در نانولوله زیگزاگ (به عنوان مجرای ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی) صورت گرفته است. هدف اصلی، محاسبه ی جریان حامل ها در نانولوله ی کربنی زیگزاگ بوده تا دریابیم که آیا این نوع نانولوله های کربنی می تواند به عنوان یک مجرای مناسب در تولید ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کرب...

در این پایان نامه یک مدار مرجع ولتاژ پایین با توان پایین ارایه گردیده است. در مدار مرجع پیشنهادی تمامی ترانزیستورهای mos در ناحیه زیرآستانه بایاس گردیده اند. در ساختار مدار برای کاهش حجم اشغالی بر روی ویفر و همچنین کاهش توان تلفاتی، از مقاومت استفاده نشده است، برای سازگاری بیشتر با تکنولوژی cmos و جلوگیری از پیچیدگی مراحل ساخت، در مدار فقط از ترانزیستور mos استفاده گردیده است. این مدار شامل سه ...