نتایج جستجو برای: ترانزیستور اثر میدان گرافنی
تعداد نتایج: 158180 فیلتر نتایج به سال:
پیشرفت¬های روز افزون در تکنولوژی ساخت مواد نیم¬رسانای کم¬بعد و نیز ویژگی¬های منحصر¬به¬فرد این ساختار¬ها باعث ظهور نسل جدیدی از ابزارهای اپتوالکترونیکی با سرعت¬های بالا از جمله لیزر¬های مادون قرمز، تقویت¬کننده¬ها و آشکارساز¬های فوتونی شده¬است. در این میان ساختار¬های نقطه¬کوانتومی به دلیل محبوسیت سه بعدی حاملین بار و سطوح الکترونیکی کاملاً گسسته کاندیدای اصلی برای مطالعات بنیادین می¬باشند، علاوه ب...
بلورهای فوتونی، ساختارهای متناوب دی الکتریکی یا فلزی هستند که می توانند انتشار نور را کنترل کرده و رفتار آن را تحت تأثیر قرار دهند. وقتی که که مواد سازنده ی بلورهای فوتونی، خاصیت مغناطیسی داشته باشند و یا حداقل یک لایه در ساختارهای بلور فوتونی، مغناطیسی باشدبلورهای مگنتوفوتونی شکل می گیرند.استفاده از ساختار های بلور مگنتوفوتونی به منظور افزایش اثرات مگنتواپتیکی از سال 1996 آغاز شده و تاکنون مطا...
ترانزیستور های لایه نازک پلی سیلیسیمی(poly-si tft) به دلیل کاربرد شان در مدار های سوئیچ کننده نمایشگرهای کریستال مایع ماتریس فعال ( ( amlcd و مدار های سه بعدی به طور وسیع در سال های اخیر مورد مطالعه قرار گرفته اند. یکی از مشکلات این نوع ترانزیستورها جریان نشتی بالای آنها می باشد که در نتیجه وجود مرزهای گرین در کانال ترانزیستور به وجود می آید و باعث تضعیف در مشخصات سوئیچینگ می شود. در این پروژه...
تلاش برای کشف مشخصه های گوناگون سیستم های زیستی مهم ترین محرک توسعۀ تحقیقات در زمینۀ علوم پزشکی و زیست مولکولی به حساب می آید. آنالیز سریع، حساس، دقیق و مقرون به صرفۀ مولکول های زیستی اهمیت ویژه ای در تشخیص و درمان های بالینی دارند. پیشرفت های اخیر در تکنولوژی توالی سنجی dna سبب تحول گسترده ای در علوم و تحقیقات زیستی- پزشکی شده است. با پیدایش و توسعۀ نانو مواد، استفاده از این ساختارها در آشکارس...
هدف از این مطالعه، آشنایی بیشتر با انواع ساختارهای تقویت کننده های کم نویزباند فوق پهن می باشد. تقویت کننده فوق، باید در یک عرض باند وسیع، دارای بهره توان بالا، تطبیق ورودی مناسب و عدد نویز کمی باشد و توان مصرفی و سطح اشغالی آن بر روی تراشه نیز تا حد ممکن کم باشد. طی چند سال اخیر، روش های مختلفی برای پیاده سازی تقویت کننده کم نویزباند فوق پهن، در تکنولوژی cmos ارائه شده است. از روش های پیاده سا...
زمینه و هدف: مطالعات نشان داده است، برخی مواد طبیعی در جلوگیری از آسیب های میدان های الکترومغناطیسی موثر هستند، در پژوهش حاضر اثر حفاظتی عصاره بدن خیار دریایی خلیج فارس در برابر آسیب میدان الکترومغناطیسی با فرکانس 50 هرتز، بر پارامترهای اسپرم موش balb/c بررسی شده است. روش بررسی: در این پژوهش تجربی آزمایشگاهی 56 سر موش در 7 گروه شاهد، شاهد آزمایشگاهی (حالت خاموش میدان الکترومغناطیسی)، گروه تجربی...
یکی از موارد مهم در فرآیند ساخت افزارهها در مقیاس نانومتر، آندرلپ بین ناحیه گیت و نواحی درین– سورس است. در این مقاله برای اولین بار اثر آندرلپ بین ناحیه گیت و نواحی درین- سورس برای ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی تونلزنی بررسی شده است. برای مطالعه و شبیهسازی مشخصات الکتریکی افزاره از حل خودسازگار معادلههای پواسون- شرودینگر و روش تابع گرین غیرتعادلی استفاده شده است. عملکرد افزاره برحسب ...
تاثیر مهندسی کانال و نواحی کناری بر کارکرد فرکانسی و سوییچینگ ترانزیستور نانوتیوب کربنی و ماسفت سیلیکنی دو گیتی مطالعه گردیده است. پارامترهای عملکرد مانند فرکانس قطع، سرعت سوییچینگ، مشخصه دوقطبی و نسبت جریان حالت روشن به خاموش محاسبه و بهینه سازی شده اند. به دلیل ایجاد رفتار الکترواستاتیکی مطلوب، اتصالات سورس و درین یک بعدی مورد استفاده قرار گرفته است. کاهش فرکانس قطع در اثر نفوذ تابع موج در اک...
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید