با استفاده از دستگاه اندازهگیری خواص مغناطیسی (MPMS)، خودپذیری مغناطیسی سه اندازه 5، 7 و 10 نانومتر از ذرات مگنتایت معلق در هیدروکربن (که فروسیال نامیده میشوند، Ferrofluids) را بهطور پیوسته از بسامد 0 تا 1000 هرتز اندازه گیری کردهایم. نتایج بهدست آمده، وابستگی خودپذیری مغناطیسی این ذرات ریز در حد نانو را به بسامد میدان مغناطیسی تأیید کرده است و نتایج جدیدی در خصوص میزان اندرکنش ذرات SP بهدست م...

در بسیاری از سیستم­های دوار همچون موتورهای جت، برای انتقال توان بین قسمت­های فشار بالا و فشار پایین توربین و کمپرسور از سیستم روتور هم­محور استفاده می­شود. در این مقاله تحلیل آشوبناک یک سیستم روتور هم­محور تعلیق‌شده به‌صورت مغناطیسی در یاتاقان‌های کمکی ارائه شده است که شامل ممان­های ژیروسکوپی دیسک­ها و کوپلینگ هندسی قطب­های مغناطیسی است. معادلات دیفرانسیل غیرخطی حرکت با استفاده از معادلات لاگرا...

اخیرا سیستم های جدید ذخیره سازی انرژی با استفاده از مواد تغییر فاز دهنده مورد توجه زیادی قرار گرفته‌اند، زیرا این مواد در هنگام تغیر فاز، می توانند انرژی را در دمای ثابت جذب و آزاد کنند. با توجه به این ویژگی، آنها به طور گستردهای در سیستم های انرژی استفاده می شود. در این مطالعه، تأثیر اعمال میدان مغناطیسی غیر یکنواخت با گرادیان‌های مثبت و منفی بر روی انتقال حرارت و پیشروی جبهه انجماد و ذوب نانو...

در وارون‌سازی داده‌های سونداژ تشدید مغناطیسی از لحاظ فضای داده‌ای، 2 نوع الگوریتم تا کنون ارائه شده است: وارون‌سازی دامنه اولیه و وارون‌سازی پله‌زمانی. دو روش مذکور صرفاً بخشی از داده‌ها را جهت وارون‌سازی استفاده می­کنند و امکان ارائه یک جواب پایدار با تفکیک‌پذیری عمقی مناسب در فرآیند وارون‌سازی وجود ندارد، در حالی‌که استفاده از شکل موج کامل سیگنال تشدید مغناطیسی (کل فضای داده) علاوه بر تخمین هم...

در این مقاله رفتار الکترومکانیک سیلندر دوار پیزوالکتریک با خواص ماده تابعی واقع‌ شده در میدان مغناطیسی و حرارتی بررسی شده است. در این بررسی تمام خصوصیات مکانیکی، مغناطیسی، الکتریکی و حرارتی ماده پیزوالکتریک به‌صورت تابع توانی که در راستای شعاع تغییر می‌کند، در نظر گرفته شده است. با استفاده از معادله انتقال حرارت در یک بعد و با در نظرگرفتن شرط متقارن بودن سیلندر، می‌توان تغییرات دما در حالت پایا...

به‌طورکلی با اِّعمال فیلتر ادامه فراسو، پاسخ مغناطیسی مشاهده شده از توده‌های عمیق‌تر ناشی می‌شود. در نتیجه با اِعمال فیلتر ادامه فراسو در مرز بین دو لایه شیب‌دار با خواص مغناطیسی متفاوت، به سادگی می‌توان دید که مکان قرارگیری بی‌هنجاری مغناطیسی ناشی از مرز بین دو لایه روی نیم‌رخ‌‌‌های مغناطیسی با افزایش ارتفاع به طور جانبی جابه‌جا می‌شوند که این جابه‌جایی در جهت شیب بین دو لایه صورت می‌گیرد. با ترک...