smartepants کد محاسباتی هسته ای است که از روش sn برای حل معادله ترابرد ذرات استفاده می نماید. خروجی کد شامل شار ذرات، جریان نشتی و تخلیه بار-انرژی است که در مختصات سه بعدی x-y-z برای جفت الکترون-فوتون بدست می آید. از کد cepxs برای تولید سطح مقطع های مورد نیاز smartepants استفاده می شود. کارایی کد smartepants در محاسبات مربوط به حفاظ گذاری ماهواره ها به اثبات رسیده است. با این وجود اشکال عمده ای...

امروزه کاربرد وسیع تخلیه ی الکتریکی در تولید پلاسما های غیر حرارتی روشی است که در چند دهه ی اخیر مورد توجه قرار گرفته است . پلاسما ی تخلیه ی الکتریکی اعم از تخلیه های dc، rf و مایکروویو، کاربردهای فراوانی در زمینه های مختلف پزشکی ، دارو سازی ، هوا فضا ،صنعت و... دارد . یکی از عمده ترین کاربرد های پلاسمای تخلیه الکتریکی، کندوپاش می باشد . از کندوپاش پلاسمایی در زمینه ی لایه نشانی سطح رساناها ، ن...

چکیده ندارد.

در این پایان نامه، مسیر الکتورن در لیزر الکترون - آزاد با ویگلر تخت، کانال - یونی راهنما و میدان مغناطیسی محور در حالت شبه پایا مورد بررسی قرار گرفته است. یک معادله درجه ده برای میانگین سرعت محوری الکترون و تابع ‏‎‎‏ که نشان دهنده نرخ تغییر سرعت محوری بر حسب انرژی الکترون است، استخراج گردیده است. با استفاده از محاسبات عددی، اثرات دو ابزار راهنما، کانال - یونی و میدان مغناطیسی محوری، به صورت همز...

در این تحقیق، به مطالعه عددی رسانش الکتریکی یک نانو ساختار نردبانی نامتناهی ایده آل در حضور و غیاب نقص های شبکه ای به کمک روش تابع گرین در رهیافت تنگابست پرداخته شده است. نقص های شبکه ای را می توان به عنوان اتصال های یک نردبان متناهی مرکزی به دو نردبان نیمه متناهی به عنوان هادی ها در نظر گرفت. نتایج نشان می دهد که ناحیه همپوشانی دو کانال رسانش نردبان را مقدار انرژی پرش در راستای پله تعیین می کن...

ابزارهای مختلفی برای اندازه گیری نیم رخ باریکه ساخته شده است. نمایشگرهای الکترون ثانویه یکی از ابزارهایی هستند که برای این هدف مورد استفاده قرار می گیرند. در 200es-این مقاله طراحی و ساخت نمایشگر الکترون ثانویه برای اندازه گیری نیم رخ باریکه شتاب دهنده الکترواستاتیکمورد بررسی قرار می گیرد. شبکه های مشبک این ساختار شامل 16 سیم افقی و 16 سیم عمودی هستند که نسبت به یکدیگر عایق شده اند. باریکه با جر...

در این مقاله رسانش الکترونی مولکول خطی سه اتمی که بین دو هادی نیمه نامتناهی ساده قرار دارد، با استفاده از روش استاندارد تابع گرین در رهیافت تنگ بست، به دست می آید. با در نظر گرفتن اثر برهمکنش الکترون ـ فونون و تغییرات دما در رژیم بی دررو، رسانش الکترونی سامانه ی مرکزی بررسی می شود. نتایج نشان می دهد که با افزایش قدرت برهمکنش الکترون ـ فونون میزان پراکندگی الکترونی در اثر برخورد با اتم های مرتعش...

ما در این مقاله با استفاده از یک مدل بستگی قوی, روش ماتریس انتقال و الگوریتم lanczos, ماهیت حالتهای الکترونی و گسیل الکترون در زنجیرهای مدل فیبوناچی نوع جایگاهی, پیوندی و مخلوط را به صورت عددی بررسی می کنیم. برای مطالعه خواص رسانشی این سیستمها روش لانداور (landauer) را به کار می بریم. با محاسبه نمای لیاپانوف (lyapunov exponent) خواص جایگزیدگی ویژه حالتهای الکترونی را نیز در زنجیرهای فیبوناچی مط...

آرایه ای از نانوسیم های اکسید روی از طریق لایه نشانی فلز طلادر محیط خلأ بر روی زیرلایه ی فلز روی به همراه اکسایش حرارتی در هوا در دمای oc 400 و به مدت 4 ساعت ساخته شد. الگویپراش پرتو ایکس مجموعه ای از قله های معینی مطابق با ساختار ورتسایت اکسید روینشان داد. تصویر میکروسکوپ الکترونی روبشی مشخص نمود که نانوسیم های اکسیدروی باطول چندین میکرون تشکیل شده اند. مطالعات طیف سنجی فوتوالکترون اشعه ی ایکس...

یکی از حوزه های مورد بررسی در ابعاد نانو، چگونگی ترابرد الکترون در ساختارهای نانو و چگونگی تغییرات این خصوصیات با تغییرات ساختار و نوع مواد در ابعاد نانو می باشد. کاربرد روز افزون قطعات فوق ریز در صنایع الکترونیک و کامپیوتر موجب گردیده است که تحقیقات بیشماری در حوزه های عملی و نظری در این زمینه ادامه یابد. در نقطه شروع به لازم است که به بررسی خواص مولکول ها و بلورها بپردازیم. برای بررسی خواص م...