در این مقاله رسانش اسپینی گرافین گاف دار را محاسبه و نحوه تغییرات آن را با پارامتر های مختلفی از جمله مغناطش، اندرکنش کولنی و گاف انرژی بررسی می کنیم. برای هامیلتونی سیستم از مدل هابارد استفاده می کنیم. در دو وضعیت رسانندگی را به دست می آوریم. یکی بدون در نظر گرفتن اندرکنش کولنی بین الکترون ها و دیگری با حضور اندرکنش کولنی بین الکترون ها. می بینیم که در حالت غیر اندرکنشی با افزایش مغناطش و گاف ...

در این مقاله با استفاده از تقریب های چگالی اسپین موضعی (LSDA) و چگالی اسپین موضعی بعلاوه انرژی هابارد (LSDA+U) در چارچوب نظریه تابعی چگالی ابتدا چگالی حالت های کل ، جزئی و همچنین گشتاور مغناطیسی اتم ها محاسبه و سپس با توجه به نتایج بدست آمده خواص الکترونی و مغناطیسی منگنایت NdMnO3 مطالعه شده است. محاسبه انرژی حالت پایه سیستم نشان داد فاز پایدار سیستم فرومغناطیس است. همچنین این بررسی نشان داد که...

در این مقاله، رسانش وابسته به اسپین یک سیم کوانتومی فرومغناطیس را در حضور یک یا دو نقص با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت بستگی قوی محاسبه نموده و تأثیر چرخش گشتاور مغناطیسی نقص (ها) را بر روی رسانش سامانه بررسی می کنیم. نتایج نشان می دهد که در سیم مغناطیسی، مستقل از وجود یا عدم وجود نقص، بازه مجاز انرژی نسبت به حالت غیرمغناطیسی به اندازه پارامتر وارونگی اسپینی جا به جا می شود. با ایجاد نقص ...

در این مقاله، رسانش و قطبش وابسته به اسپین را در یک حلقه گرافینی هگزاگونال (HGR) متصل به سه رابط نیمه بی نهایت و در حضور شار مغناطیسی عمودی و برهمکنش اسپین-مدار راشبا (RSOI) به صورت نظری مورد بررسی قرار داده ایم. نتایج با استفاده از مدل تنگ بست از طریق فرمالیسم تابع گرین غیر تعادلی به دست آمده است و نشان می دهد در غیاب شار مغناطیسی و در مقادیر مناسبی از قدرت راشبا و انرژی الکترون های ورودی، می ...

هدف اصلی این تحقیق، تاثیر میدان مغناطیسی روی رسانش الکتریکی نانوساختار در مدل بستگی قوی است. بدین منظور ابتدا فرض کردیم که ذره های باردار و میدان مغناطیسی مستقیماً با یک دیگر برهم کنش ندارند، نتایج نشان می دهد که اثر آهارانف- بوهم روی رسانش الکتریکی حلقه تاثیر می گذارد و رسانش الکتریکی را کمتر می کند. اگر میدان مغناطیسی به اندازه کافی قوی باشد رسانش الکتریکی به طور کامل صفر می شود. در ادامه تا...

پس از آنکه در سال 2004 تک لایه دو بعدی گرافین در آزمایشگاه ساخته شد، توجه دانشمندان به بررسی ویژگی های این ماده معطوف گردید. القای خواص ابررسانایی و فرومغناطیسی بوسیله اثر مجاورت در گرافین، موجب شد تا زمینه ی مناسبی برای مطالعه ویژگی های ترابردی اتصالات پایه-گرافینی شامل ابررسانا، فرومغناطیس و عادی (گرافین در حالت عادی) پدید آید. هم چنین مقاومت مغناطیسی غول آسا، gmr، پدیده دیگری است که کشف آن د...

همانطور که می دانیم انرژی پتانسیلی که به شکل یک تابع دلتای دیراک سه بعدی نمایش داده می شود، هیچگونه حالت مقیدی را ایجاد نمی کند در حالی که مدل یکبعدی آن منجر به یک حالت مقید می شود. انرژی پتانسیل به فرم تابع دلتای دیراک سه بعدی اغلب برای توصیف بر هم کنشهای نقطه ای اسپین های الکترونهای رسانش بکار می رود در حالیکه انرژی پتانسیل به فرم تابع دلتای دیراک یکبعدی برای توصیف یک توزیع مسطح (دو وجهی) از ...

چکیده پایان نامه (شامل خلاصه، اهداف، روش های اجرا و نتایج به دست آمده): برای سالیان طولانی ابررسانایی و فرومغناطیس به صورت دو پدیده ضد هم شناخته می شدند. دلیل این امر به چگونگی قطع مغناطیسی در مواد فرومغناطیس و چگونگی نقطه جفت های کوپر در مواد ابررسانا بر می گردد.به عبارت دیگر در مواد فرومغناطیس اسپین الکترون ها همگی در یک جهت مشخص قرار می گیرد در حالی که در یک جفت الکترون ها با اسپین های خلاف ...

در این تحقیق ما به مطالعه همدوسی ترابرد کوانتومی در یک اتصال گرافینی فرومغناطیس – ابررسانا - فرومغناطیس در چارچوب نظریه bcs و با استفاده از معادله شبه ذرات dbdg پرداختیم. ترابرد همدوس برای ناحیه ابررسانا با پهنای محدود دارای دو ویژگی یکی است، وجود ترابرد الکترونی در انرژی های کمتر از گاف ابررسانا و دیگری نوسان رسانش دیفرانسیلی در انرژی های بالاتر از گاف است. همچینین ما صفر شدن دوره ای بازتاب آن...

با استفاده از روش ماتریس انتقال بصورت نظری به مطالعه‌ی خواص ترابردی اسپینی در ابرشبکه‌ی سیلیسینی در حضور برهمکنش اسپین-مدار راشبا‌ی خارجی و کرنش می‌پردازیم. به دلیل حضور برهمکنش اسپین-مدار راشبای خارجی، رسانش اسپینی و چرخش اسپینی را می‌توان با قدرت کرنش و برهمکنش اسپین-مدار راشبای خارجی تنظیم کرد. برای مقادیر خاصی از قدرت اسپین-مدار راشبای خارجی الکترون‌ها فقط در صورتی که چرخش کامل اسپینی انجام...