گرافین، به دلیل تحّرک ِالکترونی بالا و انعطاف‏پذیری، برای ساختِ قطعات الکترونیکی نظیر ترانزیستورهایی با عملکرد ِبالا در چند سال ِاخیر مورد توجه قرار گرفته است. در این مقاله ما اثر دما را بر چگالی جریان یک ترانزیستور اثرمیدانی نانو نوارگرافینی (GNRFET) بررسی می­کنیم که در آن کانال متشکل از آرایه­ای از نانو‏نوارهای گرافینی دسته صندلی می­باشددر این جا جریانالکتریکی را با استفاده از پتانسیل الکتروس...

مدل جامعی برای یک خازن MOS، که به صورت یک MOSFET n- کانال نوع تخلیه ای در یک فن آوری CMOS زیر میکرونی پیاده سازی شده است، ارائه می شود. این مدل وابستگی ظرفیت خازنی به ولتاژ گیت را روی تمام گستره ولتاژ های عملیاتی منظور می کند و برازش آن به داده های اندازه گیری شده ظرفیت خازنی بر حسب ولتاژ گیت با ضریب همبستگی 99/0 مشخص می شود. با در نظر گرفتن خازن گیت و مقاومت سری مربوط به آن به صورت یک شبه RC گ...

سابقه و هدف: پیشرفت های فراوانی در نحوه اداره و درمان بیماران با ترومای سر در خلال سالهای اخیر اتفاق افتاده است. علیرغم این، مطالعاتی که به شکستگی های فرورفته جمجمه به عنوان بخشی از بیماران ترومای سر، پرداخته باشد بسیار محدود است. هدف از این مطالعه، بررسی نتایج جراحی در بیماران با شکستگی های فرورفته جمجمه می باشد. مواد و روشها: این مطالعه مقطعی بر روی 74 بیمار (50 مرد و 24 زن) با میانگین سنی 20...

سابقه و هدف: پیشرفت های فراوانی در نحوه اداره و درمان بیماران با ترومای سر در خلال سالهای اخیر اتفاق افتاده است. علیرغم این، مطالعاتی که به شکستگی های فرورفته جمجمه به عنوان بخشی از بیماران ترومای سر، پرداخته باشد بسیار محدود است. هدف از این مطالعه، بررسی نتایج جراحی در بیماران با شکستگی های فرورفته جمجمه می باشد. مواد و روشها: این مطالعه مقطعی بر روی 74 بیمار (50 مرد و 24 زن) با میانگین سنی ...

در این مقاله یک ترانزیستور جدید اثر میدان فلز-نیمه هادی با گیت تو رفته دوبل و ناحیه بدون ناخالصی در سمت درین ارایه می شود. از آنجائیکه توزیع حامل ها نقش مهمی در تعیین مشخصه های ترانزیستور دارد ایده اصلی در این ساختار اصلاح چگالی حامل ها و توزیع میدان الکتریکی جهت بهبود ولتاژ شکست و ماکزیمم توان خروجی ساختار است. نتایج شبیه سازی دو بعدی نشان می دهد که ولتاژ شکست و ماکزیمم توان خروجی ساختار پیشنه...

در سال های اخیر، موادی با ثابت دی الکتریک بالا نظیر اکسید آلومینیوم و اکسید تیتانیوم به جای گیت اکسید سیلیکون فرانازک مورد مطالعه قرار گرفته اند. در کار حاضر چنین اکسیدهایی در دماهای مختلف و تحت شرایط فراخلا بر روی زیرلایه ی si(100) رشد یافته اند. نتایج بدست آمده نشان می دهند که اکسید آلومینیوم از ساختار مناسب تری نسبت به ساختار اکسید تیتانیوم برخوردار است و می تواند به عنوان یک گیت دی الکتریک ...

در این مقاله یک ترانزیستور جدید اثر میدان فلز-نیمه هادی با گیت تو رفته دوبل و ناحیه بدون ناخالصی در سمت درین ارایه می شود. از آنجائیکه توزیع حامل ها نقش مهمی در تعیین مشخصه های ترانزیستور دارد ایده اصلی در این ساختار اصلاح چگالی حامل ها و توزیع میدان الکتریکی جهت بهبود ولتاژ شکست و ماکزیمم توان خروجی ساختار است. نتایج شبیه سازی دو بعدی نشان می دهد که ولتاژ شکست و ماکزیمم توان خروجی ساختار پیشنه...

مقدمه: تأثیر گیت به عقب بر متغیرهای بیومکانیکی راه رفتن بیماران دچار استئوآرتریت زانو ناشناخته‌اند. هدف این مطالعه تعیین تأثیر پروتکل تمرینی گیت به عقب بر پارامترهای فضایی- زمانی- مکانی راه رفتن بیماران دچار استئوآرتریت داخلی زانو است. مواد و روش‌ها: این تحقیق نیمه تجربی با طرح پیش­آزمون-پس آزمون در دو گروه کنترل (سالم مرجع و بیمار شاهد) و یک گروه تجربی انجام ...

سیستم تنفسی بر مبنای گیت برای تومورهای نواحی که تحت تاثیر حرکات تنفسی اند بالقوه با کاهش حاشیه های اطراف تومور که منجر به کاهش نرخ پیچیدگی و عوارض و یا افزایش کنترل روی تومور می شود. تنفس برمبنای گیت به بیم درمانی امکان همزمانی سیکل تنفسی بیمار را می دهد. بیمار برای کاهش دوز رسیده به ارگان های مشخص در زمان بهینه در طول سیکل تنفسی خود تحت درمان قرار می گیرد.هدف از سیستم گیت، کاهش دوز رسیده به با...