در این پروژه هدف طراحی و شبیه سازی مداری جهت اندازه گیری بار ذخیره شده در گیت شناور یک ماسفت گیت شناور است. ماسفت گیت شناور ساختاری شبیه به ماسفت معمولی دارد با این تفاوت که بین گیت کنترلی و زیرلایه آن یک گیت شناور پلی سیلیسیمی وجود دارد که توسط عایق دی اکسید سیلیسیم احاطه شده است.می توان بار را با کمک خاصیت تونل زنی دراین گیت شناور برای مدت طولانی ذخیره نمود. برای اندازه گیری این بار ابتدا ساخ...

چکیده به خوبی می دانیم که کاهش طول گیت، یک وسیله ی قوی جهت افزایش هدایت انتقالی و فرکانس عبور ترانزیستور های اثر میدانی فلز نیمه هادی (mesfet) می باشد. البته با کاهش طول گیت بدون کاهش چگالی ناخالصی و ضخامت کانال، عملکرد قطعه بوسیله اثرات کانال کوتاه و عوامل پارازیتی کاهش می یابد. از مهمترین اثرات کانال کوتاه در ترانزیستور mesfet می توان به کاهش سد کانال بوسیله ولتاژ درین(dibl) ، شیفت منفی در و...

ویژگی¬های الکتریکی و نوری خاص گرافین، ازجمله تحرک پذیری بالای حاملین در دمای اتاق، عدم وجود گاف باندی، قابلیت انعطاف پذیری بالا و وجود ترابرد بالستیک حاملین در دمای اتاق، آن را به یک ماده ایده¬آل برای استفاده در حوزه نانو الکترونیک تبدیل کرده است.تحرکپذیری بسیار بالای حامل¬ها در دمای اتاق و ترابرد بالیستیک، گرافین را جایگزین بالقوه ی سیلیکون به عنوان نیمرسانا در مدارهای مجتمع، مدارهای منطقی و ا...

چکیده: در این مقاله یک ساختار جدید از ترانزیستور اثر میدانی فلز نیمه­هادی در تکنولوژی SOIمعرفی می­شود که مشخصات  DCو فرکانسی بهتری نسبت به ساختارهای متداول دارد. ایده اصلی مقاله بر مبنی تغییر چگالی حامل­ها توسط یک تکه اکسید اضافی چسبیده به لایه­ مدفون اکسید در سمت درین است. بهبود عملکرد قطعه توسط شبیه­­ساز دوبعدی بررسی می­شود. در ساختار پیشنهادی ولتاژ شکست از V13 در ساختار  متداول به V19 در ساخ...

در این پایان نامه به بررسی ساختار گرافین از جمله شبکه آن ، بردارهای پایه شبکه حقیقی و شبکه وارون و یکی از ویژگی های منحصر به فرد در گرافین که طبیعت خاص حامل های بار در آن است پرداخته ایم .نحوه به دست آمدن معادله دیراک در گرافین را شرح می دهیم و یک ترانزیستور اثر میدانی گرافینی را شبیه سازی می کنیم و رفتار فرمیون های بدون جرم دیراک را در برخورد با ترانزیستور اثر میدانی گرافینی را در حالت هایی که...

در سال های اخیر ضخامت گیت دی اکسید سیلیکون در تکنولوژی CMOSبه کمتر از دو نانومتر رسیده است. این تمایل بی سابقه به کوچککردن ترانزیستور ها، علاوه بر مزایای فراوان تکنولوژیکی، مشکلاتیهمچون افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتمبور از گیت دی الکتریک فرانازک را به همراه داشته است مواد نانوکامپوزیت هیبریدی آلی به خاطر ویژگی های خوب الکتریکی همچون جریان نشتی پایین و ثابتدی الکتریک بالا...

ترانزیستورهای اثر میدان فلز-اکسید-نیمه‌هادی (MOSFET (ماسفت)) با تکنولوژی سیلیسیم روی عایق (SOI) به‌طور گسترده در مدارات مجتمع به کار می‌روند. بنابراین، دست‌یابی به ترانزیستورهای ماسفت سیلیسیم روی عایق در ابعاد بسیار کوچک نیازی مهم برای توسعه صنعت الکترونیک به حساب می‌آید. در این مقاله یک ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق دو گیتی جدید در مقیاس نانو پیشنهاد می‌گردد که در آن یک پنجره از اکسید سیلی...

در سال های اخیر ضخامت گیت دی اکسید سیلیکون در تکنولوژی cmosبه کمتر از دو نانومتر رسیده است. این تمایل بی سابقه به کوچککردن ترانزیستور ها، علاوه بر مزایای فراوان تکنولوژیکی، مشکلاتیهمچون افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتمبور از گیت دی الکتریک فرانازک را به همراه داشته است مواد نانوکامپوزیت هیبریدی آلی به خاطر ویژگی های خوب الکتریکی همچون جریان نشتی پایین و ثابتدی الکتریک بالا...

ترانزیستورهای اثر میدان فلز-اکسید-نیمه هادی (mosfet (ماسفت)) با تکنولوژی سیلیسیم روی عایق (soi) به طور گسترده در مدارات مجتمع به کار می روند. بنابراین، دست یابی به ترانزیستورهای ماسفت سیلیسیم روی عایق در ابعاد بسیار کوچک نیازی مهم برای توسعه صنعت الکترونیک به حساب می آید. در این مقاله یک ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق دو گیتی جدید در مقیاس نانو پیشنهاد می گردد که در آن یک پنجره از اکسید سیلی...