نتایج جستجو برای: گیت به عقب

تعداد نتایج: 687848  

ژورنال: :مهندسی برق دانشگاه تبریز 0
محمد آسیایی دانشگاه دامغان - دانشکده فنی و مهندسی

در این مقاله یک مدار دومینو جدید برای کاهش توان مصرفی گیت های عریض بدون کاهش چشم گیر سرعت پیشنهاد می شود. در تکنیک مداری پیشنهادی از مقایسه جریان شبکه پایین کش با جریان مرجع جهت تولید خروجی مناسب استفاده می شود. بدین طریق دامنه تغییرات دو سر شبکه پایین کش کم شده و توان مصرفی کاهش می یابد. همچنین از یک ترانزیستور در حالت دیودی به صورت سری با شبکه پایین کش استفاده شده است تا جریان نشتی زیر آستانه...

ژورنال: فیزیک کاربردی 2013
ترانه وظیفه شناس, محمد براتی, هادی رحمانی نژاد

گرافین، به دلیل تحّرک ِالکترونی بالا و انعطاف‏پذیری، برای ساختِ قطعات الکترونیکی نظیر ترانزیستورهایی با عملکرد ِبالا در چند سال ِاخیر مورد توجه قرار گرفته است. در این مقاله ما اثر دما را بر چگالی جریان یک ترانزیستور اثرمیدانی نانو نوارگرافینی (GNRFET) بررسی می­کنیم که در آن کانال متشکل از آرایه­ای از نانو‏نوارهای گرافینی دسته صندلی می­باشددر این جا جریانالکتریکی را با استفاده از پتانسیل الکتروس...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید چمران اهواز - دانشکده تربیت بدنی و علوم ورزشی 1391

چکیده: هدف این پژوهش بررسی تأثیر دو پروتکل تمرینی شش هفته تمرین دویدن به عقب و دویدن به جلو روی قدرت بیشینه عضلات درگیر در اندام تحتانی و حداکثر اکسیژن مصرفی دانشجویان پسر ورزشکار دانشگاه شهید چمران اهواز بود. جامعه ی این تحقیق دانشجویان پسر ورزشکار عضو تیم دانشگاه (120=n) بودند. نمونه ی آماری این تحقیق شامل 24 نفر پسر ورزشکار (میانگین سنی 1±22) بود که بصورت هدفمند و در دسترس انتخاب شدند که پس ...

ژورنال: :مجله فیزیک کاربردی 2015
ترانه وظیفه شناس هادی رحمانی نژاد محمد براتی

گرافین، به دلیل تحّرک ِالکترونی بالا و انعطاف‏پذیری، برای ساختِ قطعات الکترونیکی نظیر ترانزیستورهایی با عملکرد ِبالا در چند سال ِاخیر مورد توجه قرار گرفته است. در این مقاله ما اثر دما را بر چگالی جریان یک ترانزیستور اثرمیدانی نانو نوارگرافینی (gnrfet) بررسی می­کنیم که در آن کانال متشکل از آرایه­ای از نانو‏نوارهای گرافینی دسته صندلی می­باشددر این جا جریانالکتریکی را با استفاده از پتانسیل الکتروس...

مدل جامعی برای یک خازن MOS، که به صورت یک MOSFET n- کانال نوع تخلیه ای در یک فن آوری CMOS زیر میکرونی پیاده سازی شده است، ارائه می شود. این مدل وابستگی ظرفیت خازنی به ولتاژ گیت را روی تمام گستره ولتاژ های عملیاتی منظور می کند و برازش آن به داده های اندازه گیری شده ظرفیت خازنی بر حسب ولتاژ گیت با ضریب همبستگی 99/0 مشخص می شود. با در نظر گرفتن خازن گیت و مقاومت سری مربوط به آن به صورت یک شبه RC گ...

ژورنال: :مکانیک سازه ها و شاره ها 0
حبیب احمدی استادیار، دانشگاه صنعتی شاهرود، دانشکده مهندسی مکانیک حسین حسین پور کلاته دانشجوی کارشناسی ارشد، دانشگاه صنعتی شاهرود، دانشکده مهندسی مکانیک هانیه اسماعیلی کارشناسی ارشد، دانشگاه صنعتی شاهرود، دانشکده مهندسی مکانیک

از آنجا که دینامیک حاکم بر ربات، دارای معادلات غیرخطی است، برای دستیابی به ردیابی مناسب و همگرایی مجانبی، استفاده از روش های کنترل غیرخطی بسیار سودمند است. در این مقاله برای کنترل یک ربات اسکارا در حضور نامعینی از روش گام به عقب استفاده شده است. روش گام به عقب یک تکنیک سیستماتیک بر پایه لیاپانوف جهت طراحی یک سیستم کنترل پایدار برای سیستم های دینامیکی غیرخطی است. از آنجایی که در عمل اغتشاشات و ع...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز 1390

دینامیک سه بعدی موشک و هدف یکی از پیچیده ترین سیستم های کنترلی می باشد. هدف از انجام این پایان نامه رساندن موشک به هدف، در کم ترین زمان ممکن می باشد به طوری که شتاب هدف نامعلوم می باشد. لذا برای طراحی قانون هدایت از روش های مقاوم استفاده شده است. از دو قانون هدایت مقاوم به نام های مود لغزشی و بازگشت به عقب استفاده شده است. برای نشان دادن کارایی و مقاوم بودن آن ها، با قانون هدایت تناسبی ناوبری (...

ژورنال: :مواد پیشرفته در مهندسی (استقلال) 0
علی بهاری a. bahari department of physics, university of mazandaran, babolsarگروه فیزیک ، دانشکده علوم پایه، دانشگاه مازندران، بابلسر ماندانا رودباری شهمیری m. roodbari shahmiri department of physics, university of mazandaran, babolsarگروه فیزیک ، دانشکده علوم پایه، دانشگاه مازندران، بابلسر نورالدین - میرنیا n. mirnia department of physics, university of mazandaran, babolsarگروه فیزیک ، دانشکده علوم پایه، دانشگاه مازندران، بابلسر

در سال های اخیر، موادی با ثابت دی الکتریک بالا نظیر اکسید آلومینیوم و اکسید تیتانیوم به جای گیت اکسید سیلیکون فرانازک مورد مطالعه قرار گرفته اند. در کار حاضر چنین اکسیدهایی در دماهای مختلف و تحت شرایط فراخلا بر روی زیرلایه ی si(100) رشد یافته اند. نتایج بدست آمده نشان می دهند که اکسید آلومینیوم از ساختار مناسب تری نسبت به ساختار اکسید تیتانیوم برخوردار است و می تواند به عنوان یک گیت دی الکتریک ...

Journal: :مهندسی برق دانشگاه تبریز 0
اکرم امیری دانشگاه زنجان سیروس طوفان دانشگاه زنجان

چکیده: در ایـن مقاله طراحی یک مبدل زمان به دیجیتال 12 بیتی رزولوشن بالا و توان مصرفی کم مبتنی بر اسیلاتور حلقوی چند­مسیره (multi-path gated ring oscillator) در تکنولوژی nm-cmos130 بیان شده است. برای افزایش رزولوشن دو مسیر گیت با رزولوشن­های متفاوت، رزولوشن درشت و رزولوشن ریز، به­صورت ساختار ورنیر استفاده شده است. تأخیر گیت هر مسیر تعیین­کننده رزولوشن آن مسیر و به دلیل به ­کار بردن آن­ها در ساخت...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید