به منظور بررسی اثر میدان مغناطیسی بر صفات جوانه زنی، بذرهای گیاه سیاه دانه در معرض میدان مغناطیسی با شدت های 25 و 50 میلی تسلا به مدت صفر، 30، 60 و 120 دقیقه قرار گرفتند. نتایج نشان داد که اِعمال میدان مغناطیسی عملکرد بذرها را در محیط کشت آزمایشگاه افزایش می دهد. درصد جوانه زنی، سرعت جوانه زنی، طول ریشه، طول کل دانه رُست ها، وزن خشک، شاخص بنیه گیاهچه i و شاخص بنیه گیاهچه ii به طور معنی داری نسبت ...

کانسار تیتانیوم- فسفات قره آغاج در 36 کیلومتری شمال غربی ارومیه واقع شده است. تشکیل این کانسار در ارتباط با توده های نفوذی مافیک-اولترامافیک منطقه می باشد. مهمترین سنگ های منطقه که کانی سازی در آن صورت گرفته،از نوع ورلیت و دیوریت است. علاوه بر این دو نوع تیپ سنگ،میکروگرانودیوریت،گابرو،گنیس،آمفیبولیت و... نیز در منطقه تشکیل شده است.براساس نتایج مطالعات ژئوفیزیکی(مغناطیس سنجی)واطلاعات زمین شناسی ...

کانسار تیتانیوم- فسفات قره آغاج در 36 کیلومتری شمال غربی ارومیه واقع شده است. تشکیل این کانسار در ارتباط با توده های نفوذی مافیک-اولترامافیک منطقه می باشد. مهمترین سنگ های منطقه که کانی سازی در آن صورت گرفته،از نوع ورلیت و دیوریت است. علاوه بر این دو نوع تیپ سنگ،میکروگرانودیوریت،گابرو،گنیس،آمفیبولیت و... نیز در منطقه تشکیل شده است.براساس نتایج مطالعات ژئوفیزیکی(مغناطیس سنجی)واطلاعات زمین شناسی ...

هدف از این تحقیق، بررسی بی هنجاری های مغناطیسی موجود در منطقه گزستان در استان یزد با استفاده از برگردان سه بُعدی داده های مغناطیسی و عرضة یک راهکار جدید برای مدل سازی ساختارهای زیرزمینی است. با استفاده از نرم افزار mag3d، که براساس الگوریتم غیرخطی لی- اولدنبرگ نوشته شده است، امکان مدل سازی ساختارهای زمین شناسی با توزیع هندسی پیچیده فراهم شده است. در پایان، توزیع خودپذیری مغناطیسی در هریک از سلول...

این مقاله فاقد چکیده می​باشد.

بیش از 30 سال است که دانشگاه تهران دشت قزوین را برای انجام امور پژوهشی در زمینه باستان شناسی انتخاب نموده است. این پژوهش ها گرچه با فراز و نشیب های فراوانی همراه بوده است ولی پژوهشگران دانشگاه تهران توانسته اند سهمی کوچک ولی بس مهم در شناسایی و معرفی فرهنگهای پیش از تاریخ منطقه داشته باشند. این توفیق نیز نصیب نگارنده شد که بتواند در سال 1380 تپه زاغه را مورد کاوش قرار دهد. اهداف عمده کاوش عبارت...

پایان نامه حاضر به مطالعه و بررسی مقاومت مغناطیسی تونل زنی در نانو ساختار نامتجانس gaas/ gamnas مبتنی بر نیمرسانای مغناطیسی رقیق در حضور میدان مغناطیسی خارجی و همچنین بایاس اعمالی خارجی به صورت تئوری می پردازد .محاسبات در مدل الکترون تقریبا آزاد (جرم موثر) ودر چهارچوب تئوری ماتریس انتقال در رژیم همدوسی صورت گرفته است

چکیده ندارد.