نتایج جستجو برای: گشتل ge
تعداد نتایج: 19972 فیلتر نتایج به سال:
از دیدگاه هیدگر، ذات تکنولوژی جدید نوعی انکشاف است که آدمی را به تعرض به طبیعت فرا می خواند و از او می خواهد که طبیعت را در مقام منبع ذخیرهٔ انرژی نظم بخشد. در این نحو از انکشاف، وجود به محاق فراموشی می رود و خطر نیست انگاری و بی خانمانی، بشر جدید را تهدید می کند. از دیدگاه هیدگر، انسان معاصر با تأمل در ذات تکنولوژی می تواند از اسارت آن خارج شود و نیروی منجی ای را در آن بیابد. نیروی منجی بشر از ...
locus of control is said to affect learners' academic achievement. this effect has scarcely been examined within general english context. this study is concerned with examining the differences in general english (ge) course achievement among university students of humanities, sciences, and engineering. it also explores the effect of locus of control (loc) in ge course achievement among these th...
در زمینه فنّاوری دو گونه اخلاق وجود دارد که از آنها به ترتیب تحت عنوان های اخلاق پیشافنّاوری و اخلاق پسافنّاوری یاد می شود. استدلال خواهد شد که هر دوی این موارد به حوزه اخلاق عمومی آفرینندگان، صنعتگران، کنشگران و کاربران فنّاوری ها اختصاص دارد. چند آزمایش فکری پیشنهاد خواهدشد که بیانگر امتناع ورود مستقیم اخلاق به ساحت فنّاوری است و آن را به حوزه اخلاق عمومی همگی کنشگران منتسب می سازد. این واکاوی به ...
قول به ماهیتی مستقل از ارادۀ آدمیان برای تکنولوژیِ، از سوی هر اندیشمندی که ارائه شود، تأثیرات درازدامنی بر کل منظومۀ تأملات او دربارۀ تکنولوژی بر جای می نهد. هایدگر را در زمرۀ قائلین به ماهیت مستقل برای تکنولوژی (ذات گرایان یا essentialists) آورده اند. رأی هایدگر به این ماهیت، مؤکد و سازگار با سایر پاره های تفکر او در باب تکنولوژی است. این قول حتی تا نهایت فلسفه ورزی او دربارۀ تکنولوژی یعنی آنجا...
The notion of a belligerent GE-filter in GE-algebra is introduced, and the relationships between will be given. Conditions for to are provided. product union GE-algebras discussed its properties investigated.
Herein, we report the formation of multisegment Si-Ge axial heterostructure nanowires in a wet chemical synthetic approach. These nanowires are grown by the liquid injection of the respective silicon and germanium precursors into the vapor phase of an organic solvent in which a tin-coated stainless steel substrate is placed. The Si-Ge transition is obtained by sequential injection with the more...
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید