در این کار اثر جایگزین شدن اتمهای گالیوم-آرسنیک و نیز جذب مولکول کربن مونوکسید بر پارامترهای ساختاری و الکترونی نانولوله بورفسفید مورد مطالعه قرار گرفته است.در این راستا رزونانس مغناطیس هسته ای، رزونانس چهارقطبی هسته ای، ساختارهای هومو-لومو و توصیفگرهای مولکولی کوانتومی مانند سختی، پتانسیل شیمیایی، الکترونخواهی و الکترونگاتیویته بررسی شد. در فصل دوم و سوم ساختار نانولولههای بورفسفید آرمچیر (4و4...

مقدمه: جهت تخریب سلولهای سرطانی به صورتی استفاده می شود که سلولهای سالم کمترین آسیب را متحمل شوند. یکی دیگر ازروشهای درمان سرطان، روش فوتوالکترون تراپی می باشد که یک روش درمانی جدید جهت درمان تومورهای توده ای است. دراین روش م یبایست، مواد دارویی با عدد اتمی بالا با استفاده از حاملهای دارویی به داخل سلولهای تومور انتقال یابند تا با افزایشعدد اتمی سلولهای تومور نسبت به سلولهای سالم، امکان اجرای ر...

در این مقاله رسانندگی گرمایی در یک دستگاه یک‌بُعدی، شامل نانوسیم‌های نیم‌رسانا با جنس سیلیکن و گالیوم آرسنیک محاسبه و رسم شده است. روش به‌کاررفته حل معادلۀ بولتزمن برای پراکندگی فونونی است. در مواردی که پراکندگی خالص فصل مشترک باشد، رسانندگی هم در نانوسیم سیلیکنی و گالیوم آرسنیکی مقدار بیشتری را نشان می‌دهد. رسانندگی با افزایش قطر نانوسیم افزایش می‌یابد. دو مدل متفاوت برای رسانندگی در این پژوهش ...

نانولوله‏ها با خواص منحصر به فرد مکانیکی، الکتریکی و اپتیکی جایگزین مناسبی برای بیشتر مواد به کار رفته در صنعت می‏باشند. تاکنون نانولوله‏هایی از جنس‏های مختلف از جمله کربن، گالیوم نیترید، سیلیکن کاربید، روی اکسید، آلومینیوم نیترید و بور نیترید ساخته شده اند که امروزه از میان آن ها نیم رساناهای نیتروژن‎ دار به دلیل ویژگی های منحصر به فرد، بیش تر توجه محققین را به خود جلب کرده است و از آن جا که ا...

هدف از این پایان نامه طراحی و ساخت یک حسگر مغناطیسی اثر هال با استفاده از نیمه هادی گلایوم آرسناید با روش رشد رونشستی پرتوهای مولکولی mbe می باشد. اثر هال یک خاصیت فیزیکی مواد می باشد که در مواد حامل جریان الکتریکی هنگامی که تحت تاثیر میدان مغناطیسی قرار می گیرند به وجود می آید. در این خاصیت یک ولتاژ الکتریکی در دو سر ماده تولید می شود که این ولتاژ متناسب با حاصلضرب چگالی الکتریکی و میدان مغناط...

گالیوم آرسناید ترکیبی از عنصرهای گروه‌های III-V جدول تناوبی عناصر است. گالیوم آرسناید در ساختاری بلوری مشهور به zinc blende متبلور می‌شود. این ساختار به ساختار شبکه‌ی بلوری الماس بسیار شبیه است، اما در الماس فقط یک نوع اتم (کربن) وجود دارد در حالی که در این ماده هر موضع اتمی به تناوب توسط یکی از اتم‌های آرسنیک یا گالیوم اشغال می‌شود. از این نیمرسانای استفاده‌ی گسترده‌ای در تکنولوژی و ساخت قطعات...

گالیوم آرسناید ترکیبی از عنصرهای گروه‌های III-V جدول تناوبی عناصر است. گالیوم آرسناید در ساختاری بلوری مشهور به الماس گونه متبلور می‌شود. این ساختار به ساختار شبکه‌ی بلوری الماس بسیار شبیه است، اما در الماس فقط یک نوع اتم (کربن) وجود دارد در حالی که در این ماده هر موضع اتمی به تناوب توسط یکی از اتم‌های آرسنیک یا گالیوم اشغال می‌شود. از این نیمرسانای استفاده‌ی گسترده‌ای در تکنولوژی و ساخت قطعات ...

گالیوم آرسناید ترکیبی از عنصرهای گروه‌های III-V جدول تناوبی عناصر است. گالیوم آرسناید در ساختاری بلوری مشهور به zinc blende متبلور می‌شود. این ساختار به ساختار شبکه‌ی بلوری الماس بسیار شبیه است. از این نیمرسانای استفاده‌ی گسترده‌ای در تکنولوژی و ساخت قطعات نیمرسانا مانند مدارهای مجتمع، دیودهای مادون قرمز، دیودهای لیزری و سلول های خورشیدی می شود از این جهت مطالعه‌ی خواص آن حایز اهمیت است. در این...

هدف این پژوهش، بررسی اثر جایگزین شدن اتم های سیلیسیوم و گالیوم و برهمکنش مولکول دی نیتروژن اکسید بر پارامترهای ساختاری و الکترونی نانولوله های بورفسفید آرمچیر و زیگزاگ با استفاده از تئوری تابع چگالی است. نتایج نشان داد که انرژی برهمکنش دی نیتروژن اکسید با سطح نانولوله بورفسفید در حالت جایگزین شده با سیلسیم و گالیوم به طور همزمان نسبت به دیگر حالت های جذب بیشترین مقدار را دارد.

مقدمه: جهت تخریب سلولهای سرطانی به صورتی استفاده می شود که سلولهای سالم کمترین آسیب را متحمل شوند. یکی دیگر ازروشهای درمان سرطان، روش فوتوالکترون تراپی می باشد که یک روش درمانی جدید جهت درمان تومورهای توده ای است. دراین روش م یبایست، مواد دارویی با عدد اتمی بالا با استفاده از حاملهای دارویی به داخل سلولهای تومور انتقال یابند تا با افزایشعدد اتمی سلولهای تومور نسبت به سلولهای سالم، امکان اجرای ر...