نتایج جستجو برای: گاف انرژی مستقیم

تعداد نتایج: 69434  

در این تحقیق نانو ساختارهایC20 bowl ، (n=1-5) C20-nSin وn=1-5) ) C20-nGenاز نظر پایداری ترمودینامیکی، گاف انرژی، هدایت الکتریکی و کاربرد آنها در سلول خورشیدی به کمک نظریه تابعی چگالی در سطح محاسبات کوانتومیLSDA/6-31G در دمای اتاق مورد بررسی و مقایسه قرار گرفته اند. پایدارترین ساختارها در 300 کلوین، C17Si3 و C15Ge5 نتیجه شده اند. نتایج نشان میدهند که تعداد استخلاف سیلیکون و یا ژرمانیم تاثیر منظم...

Journal: : 2023

میون‌­ها به دلیل سطح مقطع کوچک برای انجام واکنش، متداول‌­ترین تابش فضایی قابل آشکارسازی در زمین هستند. همانند سایر ذراتی که از طریق برخورد ذرات پرانرژی تولید می‌­شوند، ناپایدار و دارای طیف توزیع طول عمر این مقاله، انرژی میون با استفاده سیستم طیف‌­سنجی دیجیتال اندازه‌­گیری شده است. روش ارایه همه ماژول­ه‌ای الکترونیک هسته‌­ای آنالوگ حذف فرایند شکل­ دهی سیگنال‌­ها ثبت آن­ها صورت نرم­‌افزاری اندازه...

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
حسن ربانی h rabani shahrekord universityدانشگاه شهرکرد محمد مردانی m mardaani shahrekord universityدانشگاه شهرکرد آذر اسماعیلی a esmaeili shahrekord universityدانشگاه شهرکرد

در این مقاله به مطالعه رسانش و چگالی حالت های الکترونی یک بسپار شانه-مانند با انرژی پرش متناوب متصل به دو زنجیره ساده یک بعدی در رهیافت بستگی قوی پرداخته شده است. روابطی برای ضریب عبور الکترونی و چگالی حالت ها به کمک تابع گرین سامانه به صورت تحلیلی ارائه شده اند. نتایج نشان می دهند که طیف رسانش الکتریکی بسپارهای پلی استیلن-مانند در غیاب انرژی پرش پیوند کربن-هیدروژن دارای یک گاف انرژی متناسب با ...

ژورنال: فیزیک کاربردی 2012
حمدا. صالحی, سارا دادگر

در این مقاله ساختار نوارهای انرژی و پارامترهای ساختاری ترکیب ازجمله ثابت شبکه، مدول حجمی، تراکمپذیری و بهینه سازی حجم  درسرامیک  درفاز تتراگونال  محاسبه شده است.محاسبات با استفاده ازروش شبه پتانسیل درچارچوب نظریۀ تابعی چگالی اختلالی وبااستفاده ازنرم افزارمحاسبه شده است.ساختارنوارهای انرژی یک گاف نواری مستقیم به اندازهeV5/4رادرنقطه داردکه بانتایج تجربی ونظری به دست آمده ازدیگرروش ها سازگاری خوبی...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شاهد - دانشکده علوم پایه 1391

از تصاویر afm جهت بررسی مورفولوژی سطح لایه ها و برای سه نمونه (0c 100، 0c 200و 0c 300)انجام دادیم. نشان داده شد که لایه ها به صورت تقریبا یکدست نهشته شده و در دو دمای 0c 100، 0c 200 نمونه ها به صورت منظم و دانه ای تشکیل یافته است ولی در دمای دیگر خصوصاً بر زیر لایه سیلیکون، سطح صافتر به نظر می رسد. با بررسی طرح پراش اشعه x (xrd) متوجه تشکیل لایه و دانه های بلوری در همه نمونه ها شده و شاهد تغی...

ژورنال: :پژوهش سیستم های بس ذره ای 0
رضا افضلی عضو هیات علمی دانشکده فیزیک دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی عمید علی زاده دانشکده فیزیک دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی

با در نظر گرفتن نظریه اسپین- فرمیون که از مکانیزم افت و خیز اسپینی برای توجیه جفت شدگی در ابررساناهای دمای بالا استفاده می کند، پذیرفتاری اسپینی یا همان عملگر قطبش را برای مسین های حفره دار و الکترون دار محاسبه نمودیم. در حالتی که گاف انرزی را ثابت در نظر بگیریم بخشی از محاسبات را به طور تحلیلی انجام داده ایم. در مورد گاف وابسته به تکانه ابتدا در دمای صفر رفتار عملگر قطبش برحسب فرکانس را نمایش ...

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
شهروز نصیریان sh nasirian university of mazandaranدانشگاه مازندران حسین میلانی مقدم h milani moghaddam university of mazandaranدانشگاه مازندران

نانوپودرهای تیتانیا و نانوکامپوزیت های تیتانیا- سیلیکا با استفاده از روش سل- ژل تهیه شدند. اگر چه اندازه نانوبلورک ها و درصد وزنی فاز روتایل (پس از آغاز استحاله) با افزایش دمای تکلیس در دو نمونه افزایش یافت ولی اندازه آنها در نانوکامپوزیت های تیتانیا- سیلیکا کوچک تر از تیتانیای خالص بوده است. محاسبات گاف انرژی اپتیکی غیرمستقیم دو نمونه نشان داده که مقادیر آنها با افزایش دما تا نقطه شروع استحاله...

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
محمد مردانی m mardaani shahrekord universityدانشگاه شهرکرد سونیا انصاری s ansary shahrekord universityدانشگاه شهرکرد

در این مقاله رسانندگی الکترونی یک بسپار پلی پیرول ( ppy ) متصل به دو هادی فلزی در رهیافت بستگی قوی و به روش تابع گرین بررسی شده است. در ابتدا ساختار پلی پیرول را به کمک روش بازبهنجارش، به یک ساختار یک بعدی تبدیل کرده، سپس رسانندگی آنرا برحسب طول بسپار، انرژی پرش اتصال با هادی ها به دست آورده ایم. نتایج نشان می دهد که در نواحی گاف، با افزایش طول و کاهش انرژی پرش اتصال ها، رسانش الکترونی کاهش می ...

با در نظر گرفتن نظریه اسپین- فرمیون که از مکانیزم افت و خیز اسپینی برای توجیه جفت شدگی در ابررساناهای دمای بالا استفاده می کند، پذیرفتاری اسپینی یا همان عملگر قطبش را برای مسین های حفره دار و الکترون دار محاسبه نمودیم. در حالتی که گاف انرزی را ثابت در نظر بگیریم بخشی از محاسبات را به طور تحلیلی انجام داده ایم. در مورد گاف وابسته به تکانه ابتدا در دمای صفر رفتار عملگر قطبش برحسب فرکانس را نمایش ...

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
حسن ربانی h rabani department of physics, faculty of science, shahrekord university, p. o. box 115, shahrekord, iranگروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه شهرکرد، شهرکرد . مرکز پژوهشی فناوری نانو، دانشگاه شهرکرد، شهرکرد محمد مردانی m mardaani department of physics, faculty of science, shahrekord university, p. o. box 115, shahrekord, iran nanotechnology research center, shahrekord university, 8818634141, shahrekord, iranگروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه شهرکرد، شهرکرد مرضیه طالبی m talebi department of physics, faculty of science, shahrekord university, p. o. box 115, shahrekord, iranگروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه شهرکرد، شهرکرد

در این مقاله به کمک روش تابع گرین و در رهیافت تنگ بست به مطالعه رسانش الکترونی نانو سیم های مولکولی با در نظر گرفتن پرش الکترون بین همسایه های اول و دوم پرداخته ایم. ساختارهای مورد مطالعه شامل یک زنجیره خطی همگن، یک زنجیره خطی متناوب و یک چندپار پلی پارافنیلن هستند که فرض شده است بین دو هادی ساده فلزی محدود شده اند. نتایج نشان می دهند که در تقریب همسایه دوم پدیده-های تشدیدی، ضد تشدیدی و فانو در...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید