یکی از ملزومات مربوط به انتخاب یک قطعه الکترونیکی قدرت مناسب برای یک مبدل این است که قطعه باید دارای مقاومت درونی ویژه پائین باشد. مقاومت درونی ویژه ی قطعه دوقطبی به عرض بیس و غلظت ناخالصی ناحیه رانش دارای ناخالص کم ،وابسته است . این بدین معنی است که غلظت ناخالصی و عرض ناحیه بیس کم غلظت در یک قطعه دوقطبی باید با دقت بسیار زیاد تعیین شود تا بتوان به یک ولتاز شکست بهمنی و مقاومت درونی مطلوب دست ی...

در این پژوهش، ابتدا الکترولیت توسط روش های مختلف آماده و بهینه سازی شد. در مرحله بعد، نانوذرات tio2 با موفقیت از طریق روش سل-ژل سنتز و برای نشست لایه ی tio2 و p25 از روش الکتروفورز (epd) بر روی لایه شیشه ای fto استفاده شد. علاوه بر این، برای ارتقاء راندمان تبدیل انرژی، از ضخامت های مختلف cds بر روی tio2 توسط روش جذب و واکنش پی در پی لایه یونی (silar) نهشت شده است. اثر نانوذرات tio2 و ضخامت cds ...

تلاشهای دانش انسانی برای ارسال تصاویر بکمک امواج با مشکلات طبیعی از جمله اتمسفر متغیر زمین روبرو شده و محقیقین را به بررسی راههای مختلف حذف مشکل فوق مجبور نموده است . یکی از این مشکلات انهدام قدرت امواج نوری و مادون قرمز توسط اتمسفر مرطوب و مه آلود است . این امر محققین را به استفاده از امواج میلیمتری وادار نموده که به همراهی آن تکنیک استفاده از نیمه هادیها نیز مطرح شده است . در انجام پروژه فوق ...

سوئیچ های نانوالکترومکانیک مشابه سوئیچ های نیمه هادی معمولی اند اما اصول عملکرد سوئیچ های نانوالکترومکانیک ونیمه هادی با هم متفاوت می باشد. با توجه به وضعیت بهینه ای که در فناوری سوئیچ های نانو الکترومکانیک وجود دارد می توان آنها را جایگزین فناوری نیمه هادی ها کرد. نکته قابل توجه در این فناوری این است که در ساختار سوئیچ های نانو الکترومکانیک نانولوله های کربنی نقش مهمی را ایفا می کنند چرا که د...

در این تحقیق خوردگی سرب در دو حالت الکتروشیمیایی و فتوالکتروشیمیایی بررسی شده،در مطالعه الکتروشیمیایی خوردگی سرب که در محیط کلراید سدیم در محدوده غلظتی 1/0 تا 1 مولار توسط روشهای تافل و امپدانس الکتروشیمیایی انجام شده با استفاده از الکترود سرب با قطر cm 1 افزایش غلظت محلول عاملی در افزایش خوردگی سرب بوده و داده های تافل و ا مپدانس مبین این مسئله می باشند اما در قسمت دیگر این تحقیق که عملا به نو...

در این مقاله به شرح جزییات و نحوه طراحی یک لیزر نیمه هادی بسیار دقیق, با نور بازتابی از توری پراش جفت شده, می پردازیم. با توجه به اینکه بسامدهای نور بازتابی در زاویه های مختلف پراشیده می شوند, تنها یکی از بسامدهای برگشتی قادر به تشدید در داخل کاواک خواهد بود. این عمل باعث تیز شدن بسامد نور خروجی لیزر و پایداری بسامد آن می شود. از آنجا که این دستگاه کاربردهای فراوانی در طیف نمایی, اندازه گیری چگ...

لایه های نازک نیمه هادی تلورید کادمیوم به روش تبخیر در خلاء بر روی زیر لایه های نیکل

بررسی تئوری تشدید تولی در چند لایه های ‏‎ga1-x a1x as/gaas‎‏ را در این مجموعه حاضر کرده ایم. طیف انرژیهای تشدید و وابستگی آن به ساختمان سد از روی منحنیهای عبور سد برحسب انرژی و مشخصه جریان - ولتاژ در دمای مشخص و سطوح فرمی معین، آنالیز شده است. فرمالیزم حاضر براساس تقریب جرم موثر است. و نتایج براساس محاسبات رقومی مستقیم است.

نانو سیم های نیترید گالیوم در سه بعد دارای خواص پیزو الکتریک می باشد تائید قطبیت پیزوالکتریک روی افت پتانسیل ممکن است عامل مهمی باشد به این شکل که وقتی قطبیت پیزو الکتریک کاهش مییابد افت پتانسیل ساختار کوانتوم ول گالیم نترات بسیار بیشتر می شود میدان پیز و الکتریکی در نانو وایرهای کوانتومی گالیم نیترات نقش مهمی درانتشار نورنیتریدی دیود ها و لیزرها ایجاد می شود .که درطول موج قودرت نوسان گر و طول ...