نتایج جستجو برای: پیوندگاه جوزفسون جفت شده

تعداد نتایج: 469427  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه اصفهان - دانشکده علوم پایه 1390

در این پایاننامه ابتدا مقدمهای از ابررسانایی و جفت شدگی اسپین سهتایی را بیان کردهایم. آنگاه نظریهی میکروسکوپی را بررسی f- را مطرح میکنیم و چگونگی محاسبه بردار گاف مربوط به ابررساناهای با تقارن جفتشدگی موج bcs میکنیم. سپس بهصورت اجمالی به بررسی انواع پیوندگاههای ضعیف و اهمیت این شاخه پرداخته و با پارامترهای مهم مربوط به آن آشنا میشویم. تشکیل شده میپردازیم و بعد f- در ادامه کار، بر پیوندگاهی ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه ارومیه - دانشکده علوم 1391

جریان جوزفسون ناشی از تونل زنی جفت الکترونهای کوپر از میان لایه ای است که بین دو اتصال ابررسانا قرار دارد، لایه اتصال می تواند فلز نرمال، عایق و یا فرومغناطیس باشد و اتصال جوزفسون مبنای خیلی از وسایل کاربردی مانند اسکوییدها می باشد. معروفترین کاربرد اسکوئیدها به عنوان مغناطیس سنجها با حساسیت بالاست که می توانند تغییرات میدان مغناطیسی تا مرتبه g10-10 را نشان دهند. در پایان نامه حاضر، جریان جوزفس...

Journal: : 2023

ضرورت دسترسی به کاربردهای وسیع تصاویر ابرطیفی سبب توسعة سیستم‌های تصویربرداری نوآورانه و اقتصادی در ثبت این شده است. به‌منظور استفاده از تصاویر، لازم است ارتباط هندسی دقیقی میان آنها فضای زمین برقرار شود فرایند نیازمند نقاط کنترلی بسیاری نکته راهکارهای اصلاح منطبق با ساختار هریک دوربین‌ها را بارز می‌کند. سنجندة (nm 400-1000) BaySpec OCI-F یکی نوآورانه‌ای که هندسة پوش‌بروم دریافت سنجنده، علاوه‌ب...

پایان نامه :دانشگاه بین المللی امام خمینی (ره) - قزوین - دانشکده علوم پایه 1390

اسکوئید مخفف عبارت ابزار ابررسانشی تداخل کوانتومی، یکی از حساس ترین سنسورهای مغناطیسی است که تاکنون شناخته شده است. پیشرفته ترین نمونه های آن توانایی آشکارسازی میدان های مغناطیسی از مرتبه فمتوتسلا را دارا می باشند. این قطعه الکترونیکی، حلقه ای ابررسانا از جنس نایوبیوم است که نوع dc آن دارای دو پیوند جوزفسون بوده که در حکم قلب اسکوئید است. پیوند جوزفسون متشکل از سه لایه nb/al-alox/nb می باشد که ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه ارومیه - دانشکده علوم 1392

گرافن بدلیل داشتن ویژگی های منحصر بفرد در سالهای اخیر موضوع مهم تحقیقات قرار گرفته است. چنین خصوصیاتی این ماده را بعنوان نامزدی برای کاربرد در کارهای آتی در الکترونیک مطرح می کند. گرافن اولین مثال از یک بلور دو بعدی واقعی است و این ماده پل جدیدی بین فیزیک ماده چگال و نظریه میدان های کوانتومی است. تک لایه گرافن بصورت نیمه رسانا بدون گاف انرژی و طیف انرژی خطی، دستگاه دو بعدی از فرمیونهای دیراک بد...

سلول های فتوولتاییک منابعی پاک، مؤثر و مطمئن از انرژی الکتریکی را در اختیار قرار می دهند. نسل اول این تکنولوژی، سلول-های خورشیدی سیلیکونی می‌باشد. به دلیل برخی مشکلات این نسل مانند هزینه بالا و احتمال زیاد بازترکیب جفت الکترون-حفره در پیوندگاه p-n و در نتیجه کاهش بازده، نسل‌های بعدی سلول‌های خورشیدی مانند سلول‌های خورشیدی حساس شده به رنگزا و نقاط کوانتومی و همچنین سلول‌های خورشیدی پلیمری به وجو...

راشدی, غلامرضا ,

  In this paper, the density of states (DOS) of a planar d-wave Josephson junction is studied analytically. Two high temperature superconductors are separated by an interface with finite transparency coefficient. The c-axes are parallel to the interface and ab-axes have a mis-orientation. The tunneling occurs via the interface because of phase difference between superconducting bulks. The effec...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه ارومیه - دانشکده علوم پایه 1392

در این طرح در هم تنیدگی کیوبیت های بار را در مدارهای ابررسانا مورد بررسی، تجزیه و تحلیل قرار می دهیم. یکی از روشهای مورد استفاده در مکانیک کوانتومی حل معادلات به روش ماتریسی است. با توجه اهمیت هامیلتونی در سیستم های ابررسانا، در فصل سوم هامیلتونی متناظر را به صورت ماتریسی توضیح داده و سپس طرح دو کیوبیت بار را معرفی می کنیم. با در نظر گرفتن حالت های مختلف این سیستم ها، با استفاده از معیار تواف...

در تحقیق حاضر با اعمال هم‌زمان کشش و سد مغناطیسی به گرافین گاف‌دار که بین دو الکترود فرومغناطیسی قرار گرفته است ضریب عبور و رسانش پیوندگاه بررسی شده و شرایط رسیدن به بیشینه مقاومت مغناطیسی مهیا شده است. نتایج نشان می‌دهند اعمال کشش به تنهایی منجر به ایجاد گاف دره‌ای در ساختار گرافین نمی‌شود و این گاف با اعمال سد مغناطیسی در حضور کشش در ساختار گرافین قابل ایجاد و با تغییر مقدار گاف جرمی زیر لایه...

ژورنال: فیزیک کاربردی 2012

در این تحقیق لایه AZO (اکسید روی الایش یافته با الومینیوم) بر روی زیر لایه p-Si به روش افشانه داغ لایه نشانی شد. هدف از این تحقیق بررسی خواص الکترواپتیکی پیوندگاه نامتجانس AZO/p-Si و نیزلایه AZO تحت تابش نور مرﺋی و فرابنفش قبل و پس از پخت است . پیوندگاه نامتجانس ایجاد شده می تواند به عنوان یک حسگر نوری و سلول خورشیدی عمل کند. به منظور بررسی ساختار بلوری و ریخت شناسی این لایه ، از طیف پراش اشعهX...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید