در این مقاله یک فیلتر Gm-C چند حالته (universal) مرتبه‌ی دو با قابلیت دریافت تمامی پاسخ‌های فیلتری (پایین گذر، بالاگذر، میان گذر، میان نگذر و تمام گذر)، تنظیم الکترونیکی فرکانس مرکزی ω0)) و ضریب کیفیت Q)) و عملکرد در چهار مد (ولتاژ، جریان، ترارسانایی و ترامقاومتی) مبتنی‌بر اینورتر (بلوک ترارسانایی) با بایاس شدن ترانزیستورها در ناحیه زیرآستانه (Sub Threshold) ارا...

در این پایان نامه به بررسی و تحلیل عملکرد آشکارساز نوری با ساختار ترانزیستوری و ناحیه فعال از جنس نانونوار گرافین پرداخته شده است. در این راه ابتدا نانونوار گرافین معرفی و شیوه به دست آوردن هامیلتونین آن با رویکرد تنگ بست توضیح داده شده است. با استناد به نتایج حاصل از شبیه سازی ها در رویکرد تنگ بست نیاز به در نظر گرفتن سه همسایگی اول و آثار لبه ای مشهود است. سپس با استفاده از قانون طلایی فرمی ض...

هدف از انجام این پژوهش، مطالعه، بررسی و محاسبه خواص الکترونیکی سه مولکول از خانواده آروماتیک ها، di thiol 3,3-bipyridyl، di thiol stilbene و di thiol imidazole، به خصوص بررسی طیف های گذار در حالت اعمال بایاس و در حالت بایاس صفر و نیز چگالی حالت ها با در نظر گرفتن اربیتال های مختلف اتم های مولکول میانی و نیز با در نظر گرفتن تمامی اربیتال ها برای تمامی اتم های موجود در سیستم مولکولی، تعیین ویژه م...

ما دیفرانسیل رسانایی نانولوله های کربنی فلزی را با روش ماتریس پراکندگی محاسبه کردیم. مشاهده شد که دیفرانسیل رسانایی ابزارهایی که براساس نانولوله های فلزی ساخته شده اند به صورت تابعی از ولتاژ بایاس، بین ولتاژ ورودی و هدایت، نوسان می کند. دوره نوسان t به طور مستقیم با عکس طول نانولوله متناسب است. بعلاوه دریافتیم که انتقال الکترونی نسبت به تغییر طول نانولوله حساس است.

در این مقاله یک فیلتر gm-c چند حالته (universal) مرتبه­ی دو با قابلیت دریافت تمامی پاسخ­های فیلتری (پایین گذر، بالاگذر، میان گذر، میان نگذر و تمام گذر)، تنظیم الکترونیکی فرکانس مرکزی ω0)) و ضریب کیفیت q)) و عملکرد در چهار مد (ولتاژ، جریان، ترارسانایی و ترامقاومتی) مبتنی­بر اینورتر (بلوک ترارسانایی) با بایاس شدن ترانزیستورها در ناحیه زیرآستانه (sub threshold) ارائه شده است. بایاس کردن تراتزیستور...

در این رساله تک مولکول مغناطیسی میان دو الکترود عادی قرار گرفته است و با اعمال ولتاژ گیت به تک مولکول و ولتاژ بایاس به الکترودها شرایط برای تونل زنی پی در پی آماده می شود. سپس با استفاده از معادله نرخ پائولی جریان عبوری از این سیستم در غیاب میدان مغناطیسی و در حضور میدان مغناطیسی عرضی و طولی و در دماهای مختلف و دمای صفر محاسبه می شود.

در این مقاله یک فیلتر Gm-C چند حالته (universal) مرتبه‌ی دو با قابلیت دریافت تمامی پاسخ‌های فیلتری (پایین گذر، بالاگذر، میان گذر، میان نگذر و تمام گذر)، تنظیم الکترونیکی فرکانس مرکزی ω0)) و ضریب کیفیت Q)) و عملکرد در چهار مد (ولتاژ، جریان، ترارسانایی و ترامقاومتی) مبتنی‌بر اینورتر (بلوک ترارسانایی) با بایاس شدن ترانزیستورها در ناحیه زیرآستانه (Sub Threshold) ارا...

در این پژوهش طراحی و مدلسازی اتمی سوئیچ الکترومکانیکی لغزشی چند حالته مبتنی بر نانو نوار گرفاینی آلفا دولایه با بهره گیری از نظریه تابعی چگالی و ترکیب آن با تابع گرین غیرتعادلی ارائه میشود. ساختار سوئیچ پیشنهادی به صورتی است که لایه گرفاین زیرین ثابت و لایه بالایی آن متحرک است. چینشهای متمایز از طریق حرکت لایه بالایی نسبت به لایه پایینی در راستای محور افقی و با فواصل جابجایی 9.44Å ، 8.41 Å، 3.9...

در این پایان نامه تأثیر ارتعاشات مولکولی روی ترابرد الکترونی از یک زنجیره اتمی از طلا که بین دو الکترود فلزی ساندویچ شده به روش تابع گرین غیرتعادلی کلدیش (روشی قدرتمند برای تحلیل ترابرد ناکشسان در حضور برهمکنش الکترون- فونون) مورد تحقیق قرار گرفته است. اخیراً روش negf به طور موفقیت آمیزی برای ترابردهای ناکشسان در نانوساختارهای مختلف به کار برده شده است از جمله سیم های اتمی و اتصالات مولکولی. ب...

اصطلاح مدل قطعه در استخراج اتوماتیک پارامترهای مدار معادل سیگنال کوچک، برای طراحان ic های مدرن بسیار حائز اهمیت است. ihp در سپتامبر سال 2009 با انجام یک سری شبیه سازی در فرکانس بالا بر روی ترانزیستورها، به مشخصاتی برای sige:c bicmos ها دست یافتند که فرکانس قطع و فرکانس ماکزیمم بالا( >ghz 120) از آن دسته مشخصات اند. hbt های sige:c امروزه به عنوان مهمترین ترانزیستورها در تکنولوژی bicmos استفاد...