در این رساله به ترسیب و شناسایی سولفید سرب و کادمیم، به صورت فیلم تکی و مولتی بر روی زیر لایه های فلزی، شیشه هادی سنتزی و ito به روشهای الکتروشیمیایی ولتامتری چرخه ای و upd پرداخته شد. سپس خواص فوتوالکتروشیمیایی آنها و همچنین پارامترهای فیزیکی و الکتروشیمیایی مربوط به نیمه رساناها توسط تکنیکهای ولتامتری خطی و چرخه ای، مات-شاتکی و اسپکتروسکوپی امپدانس مورد بررسی قرار گرفت و روابط خوبی میان پارام...

اصول فیزیک لیزرهای نیمه رسانا بسیار شبیه دیودهای نور گسیل (led) می باشد. محیط لیزری، پیوندگاه دو نیمه رسانای n و p است. برای رسیدن به حالت لیزری باید وارونگی جمعیت تا شرط آستانه به وجود آید و سپس نشر القایی ایجاد شده در پیوندگاه، تقویت گردد. چون ضریب شکست مواد نیمه رسانا نسبتا بزرگ است لذا، در ساخت این لیزرها نیازی به تشدید کننده ی جدا نمی باشد، زیرا ضریب شکست نیمه رساناها باعث افزایش ضریب انعک...

لایه های نازک و قطعات ساندویچی تک لایه و پیوند ناهمگن نانوذرات دو نیمه رسانای پالادیوم فتالوسیانین ..و کلر آلومینیوم فتالوسیانین ..به تبخیر گرمایی آماده شدند. پس از تمیز کردن بستر پلی بروسیلیکات ابتدا لایه ای از طلا ( به عنوان الکترود ) به روش تبخیر گرمایی در محفظه ای با فشار 10-5 mbar روی آن نشانده شد. سپس نیمه رساناهای pdpcو ciaipc به ترتیب با ضخامت 10 و 200nm و آهنگ تبخیر 1.0 nm/sec به نشانی...

اسپینترونیک یا الکترونیک بر پایه ی اسپین، شامل، مطالعه، کنترل و دستکاری درجات آزادی اسپین در سیستم های حالت جامد است. در این پایان نامه، روی اصول فیزیکی اسپینترونیک که دربرگیرنده ی تولید قطبش اسپینی حامل ها، دینامیک اسپینی و انتقال اسپین قطبیده در نیمه رساناها و فلزات می باشد، بحث شده است، همچنین اثرات مختلف تزریق اسپین و خصوصیات مواد را بررسی کرده و نتایج آن را برای سیستم های چندلایه ای به کار...

به طور کلی مواد به دو گروه عمده ی رسانا و نارسانا تقسیم می شوند، ولی در واقع گروهی دیگر از مواد نیز وجود دارند که در این دسته بندی قرار نمی گیرند، این مواد ممکن است تحت شرایطی جریان الکتریکی را عبور داده و در شرایط دیگری ( بسته به دما و ولتاژ اعمال شده ) آن را عبور ندهند، از این رو به آنها نیمه رسانا می گویند.از نیمه رساناها برای ساخت قطعاتی مانند دیود، ترانزیستور، تریستور، آی سی و ... استفاده ...

خواص الکترونیکی نیم رساناها مبنای توسعه ی شگفت انگیزی در ایجاد قطعات مینیاتوری در حدود ابعاد کوانتومی یا ابعاد نانو متر شده است . اساسی ترین تفاوت در خاصیت نیم رساناها به نوار گاف در ساختار نواری آنها مربوط می شود . فصل یک این پایان نامه مختصری از این خواص را بیان می کند . پیشرفت تکنولوژی ساخت قطعات ، امکان ایجاد لایه های نازک ماده ای روی ماده دیگر را فراهم نموده است . ساختارهای ترکیبی قطعات نی...

به علت کاربرد مطالعات تغییرات گاف انرژی و ضرایب اپتیکی نیمه رساناها در حسگرها، هنوز هم بعد از سال ها بررسی اثر آلایش رساناها مورد توجه محققان قرار می گیرد. در این پایان نامه با استفاده از دستگاه بیضی نگاری خواص اپتیکی لایه های zno خالص و zno آلایش شده با co مورد مطالعه قرار گرفته است تا نحوه ی تغییرات ضرایب اپتیکی در اثر این آلایش و همینطور در اثر تغییرات ضخامت لایه ها بدست آید. دلیل انجام اینک...

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

باتوجه به ماهیت فرایند فوتو ولتائیک در سلول های خورشیدی، مواد جاذب نور تنها سطح انرژی خاصی از فوتون را جذب می کنند. بنابراین، تنظیم شکاف انرژی نیم رساناها در سلول های خورشیدی حائز اهمیت است. در این مقاله ساختار و ویژگی های الکترونیکی نقطه ی کوانتومی تیتانیم دی اکسید به عنوان تابعی از اندازه برای بهبود بازده سلول های خورشیدی با استفاده از روش آغازی بررسی شده است و از سوی دیگر ویژگی های ساختاری ا...