در این پایان نامه تغییر طول موج لیزر نیمرسانای فابری- پرو در اثر تغییر جریان الکتریکی تزریقی شبیه سازی شده است. مدل مورد بررسی یک لیزر نیمرسانای 5 لایه از ماده ی ingaasp/inp است

در این پایان نامه، هدف ساخت سنسور گاز الکلی با استفاده از نیمرسانای اکسید روی به عنوان ماده ای ارزان و دسترس پذیر میباشد. که به منظور بهینه کردن خاصیت سنسوری در آن، از نانولوله های کربنی نیز بهره برده شده است. سنسورهای ساخته شده در معرض گازهای الکلی همانند متانول، اتانول و پروپانول قرار گرفتند تا میزان حساسیت سنسور نسبت به آنها بررسی گردد.

اکسیدروی نیمرسانایی با گاف انرژی مستقیم و پهن در حدود37/3 الکترون ولت می باشد که شفافیت قابل توجهی در ناحیه مرئیبا قابلیت تابش در نواحی نزدیک به فرابنفش راداراست. ساختار شبکه بلوری اکسیدروی،ورتزیت است و به همین علت دارای خواص الکترومکانیکی منحصر به فردی می باشد که ویژگی اصلی ساخت حسگر ها و مبدلهای پیزوالکتریک است. همچنین به دلیل غیر سمی بودن و سازگاری با بافت های زیستی امکان استفاده در تجهیزات ...

گالیوم آرسنید نیمرسانایی از ترکیب ستون های III-V جدول تناوبی است. این نیمرسانا دارای گاف مستقیم eV 1/42 در دمای اتاق می باشد و از آن استفاده‌ی گسترده‌ای در تکنولوژی و ساخت قطعات نیمرسانا مانند سلول های خورشیدی می شود از این جهت مطالعه ی خواص آن حایز اهمیت است.در این مقاله خواص ترابردی نیمرسانای GaAs از نوع p مورد مطالعه قرار گرفته است. نمونه های تحت بررسی که شامل دو نمونه نیمرسانای GaAs هستند ب...

امروزه مواد نیمرسانای مغناطیسی رقیق بعلت قابلیت کاربرد گسترده آنها در صنعت اسپینترونیک مورد توجه محققین قرار گرفته است و مطالعات تجربی و تئوری زیادی روی این مواد در حال انجام می باشد. در اسپینـترونیک علاوه بر خـواص بار الکـتریکی از خاصیـت اسپیـنی حاملها نیز استفاده می گردد. به دلیل توجه به این ویژگیها، آلایش گروهی از مواد نیمرساناها نظیر ترکیبات گروه iii-iv و ii-vi با اتمهای مغناطیسی مورد توجه ...

گالیوم آرسنید نیمرسانایی از ترکیب ستون های iii-v جدول تناوبی است. این نیمرسانا دارای گاف مستقیم ev 1/42 در دمای اتاق می باشد و از آن استفاده ی گسترده ای در تکنولوژی و ساخت قطعات نیمرسانا مانند سلول های خورشیدی می شود از این جهت مطالعه ی خواص آن حایز اهمیت است.در این مقاله خواص ترابردی نیمرسانای gaas از نوع p مورد مطالعه قرار گرفته است. نمونه های تحت بررسی که شامل دو نمونه نیمرسانای gaas هستند ب...

گالیوم آرسناید ترکیبی از عنصرهای گروه های iii-v جدول تناوبی عناصر است. گالیوم آرسناید در ساختاری بلوری مشهور به zinc blende متبلور می شود. این ساختار به ساختار شبکه ی بلوری الماس بسیار شبیه است، اما در الماس فقط یک نوع اتم (کربن) وجود دارد در حالی که در این ماده هر موضع اتمی به تناوب توسط یکی از اتم های آرسنیک یا گالیوم اشغال می شود. از این نیمرسانای استفاده ی گسترده ای در تکنولوژی و ساخت قطعات...

در این پایان نامه، اثرات ناخالصی شیمیایی روی خواص الکترونی و اپتیکی چندلایه ای های نیمرسانای بی نظم بر اساس هامیلتونی بستگی قوی و تقریب پتانسیل همدوس تک جایگاه مورد مطالعه قرار گرفته است. به دلیل قید کوانتومی سیستم در جهت عمود بر لایه ها، طیف الکترونی به مجموعه ای از زیرتراز ها گسسته می شود و چگالی حالت های الکترونی و به تبع آن طیف جذب اپتیکی وابسته به موقعیت لایه می شوند. نتایج نشان می دهد که ...

شیشه های اکسیدی شامل اکسیدهای عناصر واسطه بطور وسیع بخاطر خواص نیمرسانایی آنها مورد بررسی قرار گرفته اند. شیشه های تهیه شده بر اساس اکسید تلور (teo2) دارای توانایی جالب تشکیل شیشه بوده و خواص رطوبتی از خود نشان نمی دهند، دارای ضریب انبساط حرارتی بالا، دمای گذار شیشه ای پایین بوده و نیز نقطه ی ذوب پایینی از خود نشان می دهند. رسانش الکتریکی در این شیشه ها با مدل جهش پولارون کوچک (sph) تفسیر می شو...

اسپینترونیک فصل مشترک مغناطیس و الکترونیک است. پایه اصلی اسپینترونیک ها استفاده صحیح از جریان های اسپینی در حضور جریان های الکتریکی اصلی، است. امروزه استفاده ازاسپین الکترون باعث ایجاد توانایی ها و ظرفیت های جدیدی در وسایل الکتریکی و الکترواپتیکی می شود. تولید نیم رساناهای مغناطیسی رقیق یک روش مهم برای بکارگیری هم زمان اسپین و بار الکترون، و ایجاد خاصیت فرومغناطیسی در مواد اکسیدی است. اخیراً، چن...