چکیده در سال های اخیر، علم لایه های نازک در میان سایر علوم رشد قابل ملاحظه ای داشته و حجم وسیعی از تحقیقات را به خود اختصاص داده است. بی شک رشد چشمگیر ارتباطات، پردازش اطلاعات، ذخیره سازی، صفحه های نمایش، صنایع تزئینی، ابزارآلات نوری، مواد سخت و عایق ها نتیجه تولید لایه های نازک براساس فناوری های نوین می باشد. در ساخت لایه های نازک نیز در سال های اخیر تحولات وسیعی صورت گرفته است که خود ناشی ا...

فیلم‌هایی از سیلیکون آمورف به روش لایه­نشانی فیزیکی فاز بخار به کمک پرتو الکترونی (EB-PVD) ایجاد شد. فرآیند لایه­نشانی در شرایط خلأ بالا (torr 6-10) که منجر به تشکیل یک پوشش آمورف البته با ضخامت‌های کنترل‌شده انجام شد. پس از نمونه‌سازی، نمونه‌ها در دمای oC800 و در محیط گاز خنثی تحت شرایط عملیات حرارتی قرار گرفت و ویژگی‌های ساختاری و الکتریکی آن قبل و بعد از عملیات حرارتی م...

به منظور بررسی امکانپذیری جایگزینی پوششهای جدید با کروم سخت، لایه های نازک نیترید کروم در سیستم کند و پاش تهیه شدند. نتایج بدست آمده نشان داد که ریز ساختار پوششها به شدت به فشار نسبی گاز واکنشی وابسته است. با افزایش فشار نسبی گاز واکنشی ( N2)P در سیستم، در ابتدا فاز نیترید شکل می گیرد ولی با افزایش بیشتر گازهای واکنشی، پوششها نظم کریستالی خود را از دست داده و حالت آمورف پیدا می کنند. تغییر نسب...

از زمانی که مطابق قانون مور, بکارگیری اکسیدسیلیکون حدود یک نانومتر برای نانوترانزیستورهای اثرمیدان ناممکن شده است.دی الکتریک های بسیاری نظیر اکسید و نیترید آلومینیوم اکسید زیرکونیوم,اکسید هافنیوم, اکسید تیتانیوم و مواد پلیمری مطرح شده اند. مطالعات بسیاری در دهه اخیر صورت گرفته است تا قابلیت اینگونه فیلم ها را به عنوان یک کاندیدای مناسب در تولیدات آتی قطعات الکترونیکی را بررسی کند. تقریبا تمام ا...

در این پژوهش لایه های نیترید زیرکونیوم روی سیلیکون و فولاد زنگ نزن ۳۰۴ با روش کندوپاش مغناطیسی واکنشی پوشش داده شدند. تاثیر ولتاژ بایاس زیرلایه روی ساختار لایه ها، مورفولوژی و سختی مورد بررسی قرار گرفت. لایه ها بوسیله ی پراش اشعه ایکس، میکروسکوپ الکترونی روبشی، میکروسختی سنجی و میکروسکوپ نیروی اتمی آنالیز شدند. بر اساس الگوهای پراش اشعه ایکس، تنها پیک های پراش ZrN مربوط به صفحات (۱۱۱) و (۲۰۰) م...

وابستگی خواص الکتریکی و مکانیکی لایه های نازک نیترید تیتانیوم انباشت شده بر روی زیرلایه های سیلیکون به روش کندوپاش مغناطیسی dc، به شار گاز آرگون بررسی شد. ساختار بلوری و ریخت شناسی لایه ها به ترتیب به وسیله پراش پرتو-x (xrd) و میکروسکوپ نیروی اتمی(afm) بررسی شد. خواص مکانیکی و الکتریکی لایه ها نیز بوسیله آزمون سختی سنجی (nano-indentation) و دستگاه جستجوگر چهار نقطه ای (four point probe)، تحقیق ...

در این پژوهش، کندگی لیزری بر روی ویفر سیلیکون کریستالی در سوسپانسیون اکسید گرافن – (ان- متیل -2 - پیرولیدون) با استفاده از لیزر پالسی nd:yag با طول موج 1064 نانومتر و عرض پالس230 نانوثانیه انجام شد. انرژی پالس های بکار برده شده در آزمایش 1 ، 5/1 و2 میلی ژول بودند. سطح ویفر سیلیکون با میکروسکوپ نوری و میکروسکوپ الکترونی روبشی مورد مطالعه قرار گرفت. نتایج نشان دادند که کندگی سیلیکون در مایع با لی...

پوشش با لایه های نازک نقش بسیار مهمی در صنایع نیم رسانا ها و تجهیزات میکروالکترومکانیک و نانوالکترومکانیک دارد. اطلاع از خواص تشعشعی ساختار های چند لایه ای شامل سیلیکون و مواد مرتبط مانند دی اکسید سیلیکون, نیترید سیلیکون و طلا با پارامترهای متفاوت, جهت کاربردهای سیستمهای کوچک ضروری است. این پروژه اثر پارامترهای گوناگون بر روی خواص تشعشعی ساختارهای چند لایه ای نانو مقیاس را شرح می دهد. از هر دو...

به دلیل کوچک بودن، اتم نیتروژن می تواند در موقعیت بین نشین قرار گیرد. تقریبا همه فلزات به جز فلزات نجیب و قلیایی، می توانند تشکیل نیترید بدهند. برخی از نیتریدهای فلزی از سختی، نقطه ذوب، مقاومت شیمیایی و هدایت حرارتی بالا و ویژگی های مکانیکی و فیزیکی قابل توجه برخوردار می باشند. نیترید سیلیسیوم به عنوان مهمترین عضو خانواده این گروه محسوب می گردد و امروزه جایگاه ویژه ای در بین سرامیک های مهندسی د...

در این تحقیق تجربی، مورفولوژی به همراه آنالیز عنصری، خواص ساختاری و اپتیکی نانوساختارهای اکسید سیلیکون رشد داده شده به روش جایگذاری بخار شیمیایی (cvd) بر روی ویفر سیلیکون را مورد بررسی قرار داده ایم. در این مطالعه از دستگاه های میکروسکوپ الکترونی گسیل گرمایونی (sem)، پراش پرتو ایکس (xrd) و فوتولومینسانس (pl) استفاده کرده ایم. در نمونه های سنتز شده در این روش، نانو ساختارهای اکسید سیلیکون با اس...