در این پایاننامه، انتشار امواج الکترومغناطیسی در بلورهای فوتونی یک بعدی شامل محیط های جاذب یا تقویت کننده (بهره)، موادی با ضریب شکست مختلط ،n ?=n+i? به طور تحلیلی مطالعه شده است. روش ماتریس انتقال و شرط براگ به طور مناسب اصلاح شد ه اند. نتایج انتشار موج در یک بلور دولایه ای دی الکتریک-فلز و یک بلور جاذب سینوسی به عنوان مثال ارائه شده است. طیف انعکاسی، جذبی و تراگسیلی ساختار بلور فوتونی دی الک...

پس از انقلابی که نیمرساناها در تکنولوژی ایجاد کردند و موجب گذر بشر از عصر مکانیکی به عصر الکتریکی شدند بلورهای فوتونی دومین انقلاب دنیای تکنولوژی به حساب می آیند. انقلابی که تمام هدفش به اسارت درآوردن ذراتی بنام فوتون است. انتظار می رود در آینده ای نه چندان دور بلورهای فوتونی جایگزین قطعات الکتریکی شده و شاهد تحولی شگرف در صنعت فناوری اطلاعات و مخابرات باشیم. بیشتر کاربردهای بلور فوتونی با ا...

بلور فوتونی محیطی است که تابع توزیع ضریب شکست در آن متناوب و یا شبه متناوب می باشد. بلورهای فوتونی در دهه ی اخیر به خاطر کاربردها و ویژگی های الکترومغناطیسی منحصر به فردشان به یک حوزه ی تحقیقاتی مهمی تبدیل شده اند. با انتخاب آرایش های مختلف از محیط های با خواص نوری معین، ابزارها و ادوات فوتونی طراحی می شوند. ویژگی بارز بلورهای فوتونی وجود گاف باند فوتونی در طیف تراگسیل می باشد. بطوریکه امواج ال...

بلورهای فونونی با توجه به پارامترهای فیزیکی و نوع آرایش شبکه آنها دارای نوارهای ممنوعه فرکانسی هستند که به این نوارها، نوار ممنوعه فونونی گفته می شود. امواج مکانیکی با فرکانس واقع در این نوار ممنوعه نمی توانند داخل بلور فونونی انتشار پیدا کنند. می توان با ایجاد نقص در یک بلور فونونی (تغییر شعاع و حذف یک میله (1l) یا سه میله(3l) و یا تغییر شکل یک میله)، درون نوار ممنوعه فونونی مدهایی را به وجود ...

برهمکنش بین نور و ماده ی مغناطیسی می تواند باعث پدیده های مغناطواپتیکی بسیاری شود، از جمله ی آن ها می توان به چرخش فارادی و کر اشاره کرد. برای بدست آوردن اثر مغناطواپتیکی می توان از مواد مغناطیسی نوع حجیم استفاده نمود، ولی این چنین اندازه های بزرگ برای استفاده در سیستم های مخابرات نوری (ایزولاتورهای اپتیکی) که دارای اندازه های کوچک هستند مناسب نیستند. یکی از روش ها برای افزایش اثرهای مغناطواپتی...

کاواک های بلور فوتونیک کاربرد های زیادی در صنعت اپتوالکترونیک دارند. این کاواک ها از ایجاد نقص در ساختار دوره ای بلور های فوتونیک به وجود می آیند. کاواک ها با تغییر پارامترهای فیزیکی نقص خواص اپتیکی متفاوتی از خود نشان می دهند. در این پایان نامه، به مطالعه ی کاواک های بلور فوتونیک می پردازیم. با استفاده از روش شبیه سازی المان متناهی کاواک بلور فوتونیک با نقص های مختلف را مدل سازی کرده و تأثیر ک...

در این مقاله، با استفاده از روش ماتریس انتقال، طیف عبوری بلور فوتونی یک بعدی ‌دولایه‌ای بی‌نظم را با نقص بررسی خواهیم کرد و دو حالت بی‌نظمی مربوط به ضخامت و طول اپتیکی را در نظر گرفته و جابه جایی طول موج مد نقص را در این دو حالت در دو قطبش TE و TM بررسی خواهیم کرد. مشاهده می‌شود که با افزایش مرتبه بی‌نظمی در هر دو حالت متقارن و نامتقارن و در دو مورد بی‌نظمی ضخامت و طول اپتیکی، مدهای نقص به سمت ...

در این پژوهش، پس از معرفی و بیان خصوصیات سیلیکون متخلخل و بلورهای فوتونی، عوامل موثر بر گاف نواری بلور فوتونی سیلیکون نانومتخلخل یک بعدی بررسی شده است. علاوه بر آن نشان داده شده است که با ایجاد یک نقص در ساختار بلور فوتونی، در گاف نواری آن، یک یا چند مُد نقص ایجاد می شود که در عمل از اهمیت بالایی برخوردار است. در ادامه عوامل موثر بر موقعیت، تعداد و ضریب کیفیت مُدهای نقص مورد بررسی قرار گرفته است....

کنترل انتشار نور در ساختارهای دی الکتریک لایه ای همواره مورد توجه محققین بوده است. این امر ناشی از قابلیت های فراوان این سیستم ها در کاربردهای گوناگون و وسیع در حیطه نورشناسی می باشد. مزیت اصلی سیستم لایه دی الکتریک نسبت به محیط اتمی قابلیت کاربرد آن در مطالعه انتشار نور در باند گاف بلور فوتونی است. تا به حال روش های گوناگونی برای کنترل رفتار انتشاری نور در داخل این سیستم ها ارائه شده است. برای...

در این پایان نامه، اثر هارتمن در ساختار نانو بلور فوتونی یک بعدی مورد مطالعه قرار می گیرد . با استفاده از روش ماتریس انتقال و روش فاز ایستا، زمان فازی مربوط به پالس عبوری از درون نانو بلور فوتونی یک بعدی بررسی شده و نشان داده می شود اگر مواد تشکیل دهنده ی نانو کریستال فوتونی یک بعدی دارای ضریب شکست مثبت باشد اثر هارتمن مثبت می شود که به سرعت فرانوری می انجا مد. همچنین با قرار دادن لایه نقص در ا...