در این مقاله اثر کانونی شدن امواج الکترومغناطیسی در یک بلور فوتونی دو بعدی با ثابت شبکه متغیر تدریجی متشکل از میله های سیلیکون در زمینه هوا بررسی شده است. نتایج نشان می دهد که بلور فوتونی مدرج توانایی کانونی کردن امواجی با پهنای عرضی بزرگ را در بسامد های نزدیک به لبه پایین نوار گاف دارد، که در این بسامد ها شکل منحنی هم بسامد مقعر نمی باشد. ساختار نوار فوتونی و منحنی های هم بسامد مربوط به این بل...

در این مقاله ساختار نوارهای انرژی و چگالی حالت ها در بلور ?-Al2O3 با استفاده از روش امـواج تخت تقویت شده خطـی بـا پتانسیل کامــل (FP-LAPW) درچارچوب نظریة تابعی چگالی (DFT) هوهنبرگ، کوهن و شم با تقریب شیب تعمیم یافته (GGA) محاسبه شده است. نتایج نشان می?دهد ?-Al2O3 یک گاف نواری مستقیم درنقطه به اندازه eV3/6 دارد که بیشترین سهم در نوار ظرفیت مربوط به اربیتال های S2 و P2 اکسیژن و در نوار رسانش مربو...

در این مقاله به کمک روش تابع گرین و در رهیافت تنگ بست به مطالعه رسانش الکترونی نانو سیم های مولکولی با در نظر گرفتن پرش الکترون بین همسایه های اول و دوم پرداخته ایم. ساختارهای مورد مطالعه شامل یک زنجیره خطی همگن، یک زنجیره خطی متناوب و یک چندپار پلی پارافنیلن هستند که فرض شده است بین دو هادی ساده فلزی محدود شده اند. نتایج نشان می دهند که در تقریب همسایه دوم پدیده-های تشدیدی، ضد تشدیدی و فانو در...

گرافن به دلیل تحرک ترابرد بالا و قابلیت استفاده در دمای اتاق کاندیدای خوبی در مقایسه با دیگر نیمرساناهای متداول در تکنولوژیهای جدید فوتوولتائیک است. سلول های خورشیدی نیم رسانا بطور وسیعی برای تولید جریان نوری مورد استفاده قرار می گیرد. ولی بخاطر هزینه ی بالا و بی اثر بودن جذب نور نزدیک گاف باندی و پایین بودن راندمان تدریجا جای خود را به ساختارهای گرافنی می دهد. لذا در پژوهش حاضر یک ساختارچاه ک...

بتاگالیم اکساید فتوکاتالیستی است که با بهره پایینی متان و دی اکسید کربن را به هیدروژن و مونوکسید کربن تبدیل می کند. یکی از راه های افزایش بهرهء واکنش فتوکاتالیستی کاهش گاف انرژی و یا تسهیل حرکت الکترون از لایه والانس به لایه هدایت می باشد. در این کار تحقیقاتی اثر یون های داپ شده با شعاع های مختلف بر گاف انرژی بتاگالیم اکساید با روش dft و تقریب شیب تعمیم یافته و با استفاده از نرم افزار wien2k بر...

در این پایان نامه، با استفاده از روش بسط موج تخت، ساختار نواری موجبر بلور فوتونی دو بعدی در دو شبکه مربعی و مستطیلی مورد بررسی قرار گرفته است. ابتدا ساختار نواری موجبر مربعی متشکل از المان هایی به اشکال و ابعاد گوناگون مورد بررسی قرار گرفته و سپس تاثیر ایجاد یک لایه درون هر المان و تغییر شکل و اندازه آن ها بررسی شده است. سپس ساختار نواری موجبرهایی با شبکه های مستطیلی قائم و افقی بررسی شده و با ...

گرافین، نامزد مناسبی برای نانوالکترونیک مدرن است. از آن جا که در گرافین نوار رسانش و ظرفیت با هم در تماس هستند، در نتیجه گرافین شبه فلزی با گاف انرژی صفر خواهد بود. برای به کارگیری گرافین در صنعت الکترونیک، نیاز است که گاف انرژی در نوار انرژی آن ایجاد گردد. در واقع گاف انرژی معیاری از ولتاژ آستانه و نرخ خاموش-روشن شدن در ترانزیستورهای اثر میدانی است. در سال های اخیر روش های گوناگونی برای ایجاد ...

در این مقاله ویژگی‌های الکترونی و اپتیکی(Na2S سدیم سولفید) در فازساختاری اورتورومبیک موردبررسی قرارگرفته است. محاسبات در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی و روش امواج تخت تقویت‌شدۀ خطی با پتانسیل کامل و با استفاده از کد محاسباتی Wien2k انجام‌شده‌اند. نتایج ساختار نواری نشان می‌دهد که سدیم‌سولفید در فاز ساختاری اورتورومبیک دارای یک گاف نواری مستقیم درنقطۀ Γ به‌اندازۀ 2/405 الکترون‌ولت می‌باشد، که بیشترین...

ترابرد الکترونی در ساختار nsn گرافینی, که در آن دو ناحیه نرمال با یک نوار ابررسانا به ضخامت d به هم متصل شده اند, را بررسی می کنیم. ترابرد از اتصال را در چارچوب معادله dbdg بر حسب فرایندهای مختلف پراکندگی شامل تونل زنی کوانتومی و بازتاب محلی و ضربی اندریو توصیف می کنیم. مقایسه با ساختار تمام نرمال نشان می دهد که وابستگی زاویه ای احتمال عبور در حضور همبستگیهای ابررسانایی به شدت مختل می شود. این ...

خواص الکترونی تیتانات کلسیم catio3 در فازهای پارالکتریک و فروالکتریک به طور نظری با استفاده از اصول اولیه نظریه تابعی چگالی dft هوهنبرگ – کوهن - شم مورد مطالعه و بررسی قرار گرفته است. نتایج فاز پاراالکتریک یک گاف نواری غیر مستقیم در حدود 2ev در راستای γ- r و پیوندی قوی بین تراز 3d تیتان با اربیتالهای 2p اکسیژن در نوار ظرفیت را نشان می دهد. مطالعات فاز فروالکتریکی آن یک گاف نواری مستقیم در نقطه ...