یکی از موضوعات اصلی در الکترونیک; ساخت،اندازه گیری و فهم مشخصه های جریان- ولتاژ یک محیط الکترونی درسیستم های مولکولی می باشد. بنابراین در این پژوهش به بررسی خواص الکترونی نانو لوله bc2n تک دیواره نوع زیگ زاگ ساندویچ شده بین دو الکترود فلزی که نانو لوله کربنی از نوع زیگ زاگ می-باشد پرداخته ایم. روش های عددی به کار رفته در این محاسبات مبتنی بر هامیلتونی تنگ بست، رهیافت تابع گرین، مدل نیوز- اندرسو...

در این پایان نامه ابتدا الکترونیک مولکولی را به عنوان شاخه ای از فناوری نانو معرفی کرده و مزایای متعدد آن را بیان می کنیم. سپس نحوه ارتباط بین مولکول ها و سیم های مولکولی ساخته شده بر مبنای این علم را ارائه خواهیم کرد. در ادامه به معرفی دیود rtd و بررسی رفتار ولتاژ و جریان آن خواهیم پرداخت. سپس با استفاده از خواص دیودهای مذکور و الکترونیک مولکولی به طراحی و شبیه سازی مدارهای منطقی دیجیتالی می پ...

ترانزیستورهای اثر میدان فلز-اکسید-نیمه هادی (mosfet (ماسفت)) با تکنولوژی سیلیسیم روی عایق (soi) به طور گسترده در مدارات مجتمع به کار می روند. بنابراین، دست یابی به ترانزیستورهای ماسفت سیلیسیم روی عایق در ابعاد بسیار کوچک نیازی مهم برای توسعه صنعت الکترونیک به حساب می آید. در این مقاله یک ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق دو گیتی جدید در مقیاس نانو پیشنهاد می گردد که در آن یک پنجره از اکسید سیلی...

آئروژل¬ها موادی با ساختار نانو محسوب می¬شوند که پایین¬ترین چگالی نسبت به مواد دیگر را به خود اختصاص داده¬اند و با توجه به ساختار و ترکیب خود دارای کاربردهای ویژه در زمینه¬های مختلف می¬باشند. آئروژل¬ها در مرحله اول با شیمی متداول سل-ژل و در دمای پایین سنتز می شوند. در مرحله نهایی که اغلب ژل¬ها با تبخیر معمولی خشک شده و تولید زروژل¬ها را می¬کنند، آئروژل¬ها با فرآیند خشک کردن فوق بحرانی خشک می¬شون...

بلور دو بعدی مولبیدیم دی سولفات، MoS2، در بازه‌ی فرکانسی تراهرتز به علت کاربردهای اپتوالکترونیکی و کاربری آن برای الکترود شفاف در حوزه‌ی نانو بسیار مورد توجه قرار گرفته است. در این مقاله، به طراحی ساختارهایی شامل تک لایه‌ی MoS2 روی زیرلایه‌های مختلف و با قرارگیری در جایگاه های متفاوت این تک لایه در بلور فوتونی یک بعدی، 1DPC، به منظور کاهش جذب و افزایش عبور پرداخته‌ایم. ضریب شکست MoS2 را در ناحی...

ترانزیستورهای اثر میدان فلز-اکسید-نیمه‌هادی (MOSFET (ماسفت)) با تکنولوژی سیلیسیم روی عایق (SOI) به‌طور گسترده در مدارات مجتمع به کار می‌روند. بنابراین، دست‌یابی به ترانزیستورهای ماسفت سیلیسیم روی عایق در ابعاد بسیار کوچک نیازی مهم برای توسعه صنعت الکترونیک به حساب می‌آید. در این مقاله یک ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق دو گیتی جدید در مقیاس نانو پیشنهاد می‌گردد که در آن یک پنجره از اکسید سیلی...

نانو بلورهای نیمه هادی ( نقاط کوانتومی qds ) در چند دهه اخیر مورد تحقیق و توجه زیادی قرار گرفته اند. این علاقه مندی به خاطر خواص منحصر به فرد وابسته به اندازه آنها می باشد که نقاط کوانتومی را به طور شگرفی برای استفاده در محدوده وسیعی از وسایل الکترونیک تا برچسبهای سلولی مناسب می سازد. موضوع این تحقیق ، ساخت نانو ذرات سلنید کادمیم (cdse) با اندازه ای در محدوده نقاط کوانتومی بود. برای این منظور ن...

دراین پژوهش با توجه­به کاربردهای فراوان نانولوله­های­کربنی درقطعات نانویی الکترونیک، طیف سنجی پراکندگی رامان نانولوله­های کربنی ­بررسی­شده است. در ابتدا به­صورت تجربی طیف رامان نانولوله کربنی خالص وآلاییده مورد بحث قرارگرفته و سپس طیف شبیه سازی نظری بیان­شده و نتایج مقایسه­شده­است.     با­توجه­به طیف­های به­دست­­آمده، در مقایسه با داده­های تجربی تطابق خوبی مشاهده شده­است. درنانولوله­کربنی­خالص،...