در این مقاله با استفاده از یک مدل خود سازگار و با لحاظ تقریب فاز تصادفی، تابع دی الکتریک گاز الکترونی نانوسیم های نیم رسانایinas  وzno  پوشیده شده با یک محیط دی الکتریک محاسبه شده است. همچنین نشان داده ایم هنگامی که این نانوسیم ها با محیطی با ثابت دی الکتریک بالا (بزرگتر از ثابت دی الکتریک نانوسیم نیم رسانا ) پوشش داده شود، استتار بارهای آزاد درون ساختار نانو کاهش می یابد. در حالی که در محیطی ب...

در این مقاله رسانندگی گرمایی در یک دستگاه یک‌بُعدی، شامل نانوسیم‌های نیم‌رسانا با جنس سیلیکن و گالیوم آرسنیک محاسبه و رسم شده است. روش به‌کاررفته حل معادلۀ بولتزمن برای پراکندگی فونونی است. در مواردی که پراکندگی خالص فصل مشترک باشد، رسانندگی هم در نانوسیم سیلیکنی و گالیوم آرسنیکی مقدار بیشتری را نشان می‌دهد. رسانندگی با افزایش قطر نانوسیم افزایش می‌یابد. دو مدل متفاوت برای رسانندگی در این پژوهش ...

در این مقاله، بر اساس نظریه تابعی چگالی و با استفاده از تقریب شیب تعمیم یافته، پس از بهینه سازی ساختار نانوسیم های اکسید روی با سطح غیر اشباع و اشباع شده با اتم های هیدروژن در جهت [000 1  ] ، به مطالعه اثرات فشار تک محور بر ساختار نانوسیم و محاسبه مدول یانگ و ضریب مؤثر پیزوالکتریک آنها پرداخته ایم. همچنین تأثیر فشار تک محور بر قسمت موهومی تابع دی الکتریک را نشان داده ایم.

در این مقاله با استفاده از یک مدل خود سازگار و با لحاظ تقریب فاز تصادفی، تابع دی‌الکتریک گاز الکترونی نانوسیم‌های نیم‌رسانایInAs  وZnO  پوشیده شده با یک محیط دی‌الکتریک محاسبه شده است. همچنین نشان ‌داده‌ایم هنگامی که این نانوسیم‌ها با محیطی با ثابت دی‌الکتریک بالا (بزرگتر از ثابت دی‌الکتریک نانوسیم نیم‌رسانا ) پوشش داده شود، استتار بارهای آزاد درون ساختار نانو کاهش می‌یابد. در حالی که در محیطی ...

معرفی معاونت فناوری پژوهشگاه پلیمر و پتروشیمی ایراناخبار علمی.نانوذراتی که عفونت را در زخم متوقف می سازندنانواسفنج های جاذب آلودگی دریادرمان دیابت به کمک علم پلیمر پوشش های پلیمری که مقاوم ترین باکتری ها و.....تولید بطری های پلاستیکی سازگار با محیط زیست توسعه اولین فناوری ساخت نانوسیم از پلیمرکنترل ساختار پلیمر به وسیله سنتز زیست تقلیدی نسل جدید پیل های خورشیدی پلیمریکشف پلیمر دوبعدی معرفی کتاب...

آرایه ای از نانوسیم های اکسید روی از طریق لایه نشانی فلز طلادر محیط خلأ بر روی زیرلایه ی فلز روی به همراه اکسایش حرارتی در هوا در دمای oc 400 و به مدت 4 ساعت ساخته شد. الگویپراش پرتو ایکس مجموعه ای از قله های معینی مطابق با ساختار ورتسایت اکسید روینشان داد. تصویر میکروسکوپ الکترونی روبشی مشخص نمود که نانوسیم های اکسیدروی باطول چندین میکرون تشکیل شده اند. مطالعات طیف سنجی فوتوالکترون اشعه ی ایکس...

در این مقاله تغییرات مدول الاستیسیته و مقاومت نهایی چندلایه ها با استفاده از مدل های المان محدود شبیه سازی شده از نمونه های آزمایشگاهی برای چندلایه های کامپوزیتی از جنس شیشه/وینیل استر مورد آزمایش و بررسی واقع شد. با استفاده از مدل های المان محدود دارای المان های سه بعدی با قابلیت خرابی پیشرونده و همچنین با تعریف دقیق رابطه تماس بین تیر و تکیه گاه، تاثیر رفتار غیرخطی مواد و هندسه در رفتار خمشی ...

در این پایان نامه، ساخت سلول های خورشیدی با استفاده از نانوسیم های ژرمانیوم و سیلیکون مورد بررسی قرار گرفت و خواص فتوولتاییک سلول های ساخته شده با استفاده از دستگاه های solar simulator وiviumstat تحت شرایط استاندارد در am1.5 بررسی گردید. جهت بررسی دقیق تر رفتار سلول های خورشیدی ساخته شده و مطالعه ی فاکتورهای موثر بر خواص فتوولتاییک آن ها از شبیه سازی عددی سلول ها با برنامه ی afors-het استفاده ش...