در این پروژه تهیه نانو سیم های مس به روش انباشت الکتروشیمیایی درون قالب پلی کربنات با حفراتی به قطر 80-120 نانومتر و با استفاده از محلول سولفات مس انجام شده است. ابتدا یک سمت قالب ها را با پوششی از نقره پوشانده و درون محلول 2/0 مولار از سوالفات مس با 4ph= قرار داده شد. انباشت الکتروشیمیایی تحت پتانسیل mv 400 - نسبت به الکترود مرجع انجام شد. در فصول اول و دوم به بررسی خواص نانو ساختارها و روش ها...

در این مقاله با استفاده از روش مکانیک ساختاری و نرم افزار ABAQUS نانو سیم‌های سیلیسیم و مدل‌سازی و تحلیل شده است. میدان‌های نیروی بکار گرقته شده جهت مدل‌سازی در این مطالعه، میدان نیروی DREIDING است. در این تحلیل بار بحرانی کمانشی برای ضخامت-های 1 تا 4 نانومتر با طول‌های 5/0 تا 20 نانومتر محاسبه شده است. نتایج نشان می‌دهد بار بحرانی کمانشی در نسبت های طول به ضخامت نانوسیم، کمتر از 10 از رابطه او...

تا به حال نانوذرات فلزی به روش های متفاوتی تولید شده اند. در این پایان نامه روش جدیدی برای تولید نانوذرات آلیاژی بر روی زیر لایه شیشه با استفاده از پلاسمای هیدروژنی در دمایی بسیار پایین تر از دمای نقطه ذوب حالت کپه ای ماده یا مواد مورد آزمایش ارائه شده است.تولید نانوذرات در سه مرحله تمیز کردن زیرلایه، لایه نشانی و رشد نانوذرات آلیاژی در دستگاه "لایه نشانی بخار شیمیایی بهبود یافته با پلاسما" انج...

در این مقاله با استفاده از یک مدل خود سازگار و با لحاظ تقریب فاز تصادفی، تابع دی الکتریک گاز الکترونی نانوسیم های نیم رسانایinas  وzno  پوشیده شده با یک محیط دی الکتریک محاسبه شده است. همچنین نشان داده ایم هنگامی که این نانوسیم ها با محیطی با ثابت دی الکتریک بالا (بزرگتر از ثابت دی الکتریک نانوسیم نیم رسانا ) پوشش داده شود، استتار بارهای آزاد درون ساختار نانو کاهش می یابد. در حالی که در محیطی ب...

در این مقاله رسانندگی گرمایی در یک دستگاه یک‌بُعدی، شامل نانوسیم‌های نیم‌رسانا با جنس سیلیکن و گالیوم آرسنیک محاسبه و رسم شده است. روش به‌کاررفته حل معادلۀ بولتزمن برای پراکندگی فونونی است. در مواردی که پراکندگی خالص فصل مشترک باشد، رسانندگی هم در نانوسیم سیلیکنی و گالیوم آرسنیکی مقدار بیشتری را نشان می‌دهد. رسانندگی با افزایش قطر نانوسیم افزایش می‌یابد. دو مدل متفاوت برای رسانندگی در این پژوهش ...

چکیده ندارد.

در این مقاله، بر اساس نظریه تابعی چگالی و با استفاده از تقریب شیب تعمیم یافته، پس از بهینه سازی ساختار نانوسیم های اکسید روی با سطح غیر اشباع و اشباع شده با اتم های هیدروژن در جهت [000 1  ] ، به مطالعه اثرات فشار تک محور بر ساختار نانوسیم و محاسبه مدول یانگ و ضریب مؤثر پیزوالکتریک آنها پرداخته ایم. همچنین تأثیر فشار تک محور بر قسمت موهومی تابع دی الکتریک را نشان داده ایم.

در این مقاله با استفاده از یک مدل خود سازگار و با لحاظ تقریب فاز تصادفی، تابع دی‌الکتریک گاز الکترونی نانوسیم‌های نیم‌رسانایInAs  وZnO  پوشیده شده با یک محیط دی‌الکتریک محاسبه شده است. همچنین نشان ‌داده‌ایم هنگامی که این نانوسیم‌ها با محیطی با ثابت دی‌الکتریک بالا (بزرگتر از ثابت دی‌الکتریک نانوسیم نیم‌رسانا ) پوشش داده شود، استتار بارهای آزاد درون ساختار نانو کاهش می‌یابد. در حالی که در محیطی ...

نانوکامپوزیت ag/ppy کروی و نانوسیم به ترتیب به روش مغناطیسی و template سخت سنتز شدند. نسبت مونومر به اکسنده 2.4:1 و مونومر به نقره 0.0001:1 است. پلیمریزاسیون در دمای زیر 5 درجه سانتی گراد انجام گرفت. تستر گاز آزمایشگاهی طراحی و ساخته شد. مواد سنتز شده به روش های sem و eds مورد شناسایی قرار گرفت. فیلم های نازک مواد سنتز شده برروی الکترودهای شانه ای پوشش داده شد تا خواص حسگری این مواد نسبت به گا...