در این مقاله موجبرهای پلاسمونیکی با هدف کنترل آهنگ نشر خودبه خودی نقاط کوآنتومی کلوئیدی طراحی شده اند. برای این کار، با در نظر گرفتن موجبرهایی از جنس نقره و آلومینیوم، وابستگی آهنگ نشر پلاسمونیکی نقطه کوآنتومی به ابعاد موجبر، جنس موجبر و مکان نقطه کوآنتومی بررسی شده است. نتایج نشان می دهد که نقطه کوآنتومی در فاصله 5 نانومتری از لبۀ موجبری از جنس نقره و با ضخامت (h)20 نانومتر و عرض گاف(w) 30 نان...

در این مقاله ساختار نواری وابسته به قطبش در موجبر بلور فوتونی دو بعدی با شبکه مربعی متشکل از المان های با سطح مقطع بیضوی از جنس گالیم آرسناید در زمینه هوا با استفاده از روش بسط موج تخت مطالعه شده است. سپس به بررسی تغییرات ساختار نواری موجبر بلور فوتونی، با تغییر در کشیدگی المان ها پرداخته شده است. براساس نتایج حاصله، با افزایش میزان کشیدگی المان های بیضوی، هردو مشخصه پهنای نوارگاف و بزرگی ویژه ...

در این مقاله از موجبر تیغه ای که دارای تیغه با انحراف بیضی شکل است جهت تغذیه آنتن شکافی طولی قرار گرفته بر روی خط مرکزی موجبر تیغه دار استفاده می شود. روش پیشنهادی با جایگزین نمودن قسمتی از تیغه مستقیم موجبر تیغه دار با تیغه با انحراف بیضی شکل محقق می شود. تیغه با انحراف بیضی شکل دقیقا در زیر شکاف قرار گرفته است و در این حالت شکاف هیچگونه انحرافی نسبت به خط مرکزی موجبر ندارد. نتایج شبیه سازی بی...

اتصالات نوری، به عنوان جایگزینی مناسب برای اتصالات الکتریکی در بوردها و تراشه های کامپیوتری، توسط فوتونیک سیلیکونی مجتمع مبتنی بر تکنولوژی CMOS قابل تحقق هستند. موجبر شیاری عایقی، به عنوان یکی از جدیدترین ساختارهای موجبر نوری، می تواند زیرساخت قطعات پسیو و اکتیو این مدارهای مجتمع را تشکیل دهد. قطعات پسیو دارای رفتار خطی هستند. از اثرات غیرخطی در موجبرهای فوتونیک سیلیکونی نیز می توان به منظور تح...

در این مقاله موجبرهای پلاسمونیکی با هدف کنترل آهنگ نشر خودبه‌خودی نقاط کوآنتومی کلوئیدی طراحی شده‌اند. برای این کار، با در نظر گرفتن موجبرهایی از جنس نقره و آلومینیوم، وابستگی آهنگ نشر پلاسمونیکی نقطه کوآنتومی به ابعاد موجبر، جنس موجبر و مکان نقطه کوآنتومی بررسی شده است. نتایج نشان می‌دهد که نقطه کوآنتومی در فاصله 5 نانومتری از لبۀ موجبری از جنس نقره و با ضخامت (h)20 نانومتر و عرض گاف(w) 30 نان...

در این مقاله کاربرد یک موجبر مجتمع شده در زیر لایه با تیغه زیگ زاگی شکل، برای تحریک آنتن شکافی طولی موازی نشان داده شده است. دو رابطه ی اصلی یرای طراحی ساختار موجبر مجتمع شده در زیر لایه و به دست آوردن پارامترهای ساختار مورد نظر، برای تحریک شکاف موازی طولی توسط تیغه زیگ زاگی شکل، در موجبر مجتمع شده در زیر لایه تعیین شده است. تیغه زیگ زاگی درست زیر شکاف طولی قرار گرفته است. شکاف مورد نظر در امتد...

در این تحقیق، قابلیت روش جدید ساخت موجبرهای تپه ای در لیتیوم نایوبایت مبتنی بر سونش فیزیکی با گاز آرگون و نفوذ تیتانیوم بررسی می شود. برای این منظور سهم مد انتشاری در قسمت برآمده موجبر تپه ای، اندازه­گیری و شبیه­سازی شده است. همینطور  اثرات نقص های دیواره های موجبر تپه ای که یکی از چالشهای این نوع موجبرها است، در مقدار تلفات نور منتشر شده در موجبر، شبیه سازی شده است. ارتفاع قسمت برآمده موجبر سا...

در این مقاله یک جفتگر فلزی کم اتلاف و پر بازده به منظور هدایت موج از یک موجبر سیلیکونی به یک موجبر پلاسمونیک معرفی و مشخصه یابی شده است. عملکرد جفتگر در ابعاد مختلف بررسی و بهینه سازی شده است. محاسبات نشان می دهد که در جفتگر پیشنهادی، محدودسازی نور از موجبر سیلیکونی  .   به موجبر پلاسمونیک تا ابعاد2   nm 200×200 با بازده 70 % ( db 8/ 0 )در طول موج µm 55/1 رخ می­دهد .

اتصالات نوری، به عنوان جایگزینی مناسب برای اتصالات الکتریکی در بوردها و تراشه های کامپیوتری، توسط فوتونیک سیلیکونی مجتمع مبتنی بر تکنولوژی cmos قابل تحقق هستند. موجبر شیاری عایقی، به عنوان یکی از جدیدترین ساختارهای موجبر نوری، می تواند زیرساخت قطعات پسیو و اکتیو این مدارهای مجتمع را تشکیل دهد. قطعات پسیو دارای رفتار خطی هستند. از اثرات غیرخطی در موجبرهای فوتونیک سیلیکونی نیز می توان به منظور تح...

آنتن های موج نشتی از خانواده ی آنتن های موج انتشاری محسوب می شوند که عموماً در یک پهنای باند وسیع تشعشع می کنند و توانایی اسکن زاویه ای بخشی از فضا را دارند. این آنتن ها دو نوع اصلی یکپارچه و متناوب دارند. در آنتن های موج نشتی با اسکن فرکانسی ، با تغییر فرکانس ، زاویه ی بیم اصلی تشعشع نسبت به خط عمود بر صفحه ی آنتن تغییر می کند. از طرفی ساختار های موجبری مجتمع شده در زیر لایه ، به واسطه ی ساخت ...