نتایج جستجو برای: مقاومت مغناطیسی نوری

تعداد نتایج: 44845  

ژورنال: :مهندسی سازه و ساخت 0
موسی مظلوم دانشیار، دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی سید مجتبی میری دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی سازه، دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی

امروزه بتن یکی از مهم ترین و پر مصرف ترین مصنوعات تولیدی بشر است. بهبود مشخصات بتن همواره یکی از مسائل اساسی پیش روی مهندسین سازه بوده و هست.  بهبود مشخصات فیزیکی آب، به عنوان یکی از عناصر اصلی بتن، یکی از راه های بهبود مشخصات بتن است. آب مغناطیسی، به آبی گفته می شود که از درون میدان مغناطیسی عبور کرده و کیفیت فیزیکی آن دچار تغییر شده است. این تحقیق به بررسی تاثیرات استفاده از آب مغناطیس شده با...

سید مجتبی میری موسی مظلوم,

امروزه بتن یکی از مهم‌ترین و پر مصرف ترین مصنوعات تولیدی بشر است. بهبود مشخصات بتن همواره یکی از مسائل اساسی پیش روی مهندسین سازه بوده و هست.  بهبود مشخصات فیزیکی آب، به عنوان یکی از عناصر اصلی بتن، یکی از راه های بهبود مشخصات بتن است. آب مغناطیسی، به آبی گفته می شود که از درون میدان مغناطیسی عبور کرده و کیفیت فیزیکی آن دچار تغییر شده است. این تحقیق به بررسی تاثیرات استفاده از آب مغناطیس شده با...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی اصفهان - دانشکده علوم 1393

چکیده در این پایان نامه خواص مغناطیسی، الکتریکی و ساختاری نمونه های حجمی بس بلور ولایه نازک ترکیب منگنایت la0.85ca0.15mno3 مورد بررسی قرار گرفته اند. نمونه اولیه به روش سل ژل تهیه شد و سپس نمونه ها در دو دمای 1150 و 1350 درجه سانتی گراد کلوخه سازی شدند. خواص مغناطیسی نمونه های کپه ای توسط پذیرفتاری مغناطیسی متناوب ( مولفه حقیقی و موهومی ) مورد بررسی قرار گرفت. پذیرفتاری مغناطیسی نمونه ها در ...

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
حسین خسرو آبادی h. khosroabadi وحید دادمهر ومحمد اخوان v. daadmehr

نمونه های تک فاز چند بلوریgd1-xprxba2cu3o7-δ  با استوکیومتری 0.15, 0.10, 0.05=x با روش استاندارد واکنش حالت جامد, ساخته و با انجام آزمایشهای xrd و sem مشخصه یابی شدند. اندازه گیریهای مقاومت ویژه, اثر هال و مقاومت مغناطیسی بر روی این نمونه ها انجام شد. نتایج اندازه گیری مقاومت ویژه نشان می دهد که هر سه ترکیب ساخته شده دارای گذار ابررسانایی می باشند. دما و پهنای گذار این نمونه ها با افزایش مقدار ...

ژورنال: فیزیک کاربردی 2019

یک سیستم اتمی چهارترازی نوع Y معکوس را در نظر می‌گیریم که در داخل یک کاواک حلقوی یک‌سویه قرار گرفته و با یک میدان موج کوتاه در حال اندرکنش است و هدف ما کنترل رفتار دوپایایی نوری آن است که در سوئیچ‌زنی تمام نوری کاربرد دارد. دو مؤلفۀ قطبش دایره‌ای یک پرتو کاوندۀ قطبیدۀ خطی ضعیفی را در نظر می‌گیریم که با این محیط مادی در اندرکنش‌اند و با گذار متفاوتی از هم متمایز شده‌اند. یک میدان جفت‌کنندۀ همدوس...

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
ابراهیم عطاران کاخکی e attaran kakhki مهدی عادلی فرد m adelifard

با گسترش فناوری اطلاعات و ارتباطات، استفاده از نور قطبیده لیزر، برای کاربردهای مهمی چون کلیدزنی و ذخیره اطلاعات در لایه های نازک فرومغناطیس و فرو الکتریک، مورد توجه قرار گرفته است [1]. برای انجام تحقیق و افزایش کاربری این لایه ها، رسم دقیق پسماندنوری و مغناطیسی لایه ها بسیار مهم است. در این تحقیق با استفاده از نور لیزر قطبیده شده خطی، مدارهای الکترونیکی خاص و نیز نرم افزار ویژه ای که برای ثبت ا...

مهدی علوی

بررسی اجسام فریتها فریتها اجسامی هستند مغناطیسی که در صنعت کاربرد فراوان دارند مثل :آنتنهای فریتی،ضباطهای مغناطیسی ، تقویت کننده های مغناطیسی ،تنظیم کننده مغناطیسی، مغزهای اطلاعاتی کامپیوتر سوییچ های مغناطیسی و غیره ........ و بررسی در زمینه خواص فریتها از زمان جنگ جهانی دوم پیشرفت زیادی کرده و تهیه انواع فریتها مربوط به ساختمان و طرز قرار گرفتن اتمها در شبکه کریستالین آن اجسام میشود.فریتها ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت مدرس - دانشکده علوم پایه 1389

هدف از انجام رساله حاضر مطالعه خواص ترابردی در چند لایه ایهای مغناطیسی بود. در بین چند لایه ایهای مذکور اتصالات تونلی (mtj) fe/mgo/fe، بعلت داشتن مقاومت مغناطیسی (tmr) بالا، کاربردهای گسترده ای را در صنعت ذخیره اطلاعات پیدا کرده اند. یکی از عمده ترین مشکلات در مطالعه mtjهای fe/mgo/fe اختلاف زیاد بین مقاومت های مغناطیسی اندازه-گیری شده و محاسبه شده است. محاسبات مقاومت مغناطیسی ای بزرگتر از 1000%...

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
مصطفی سعید عمر ms omar university of salahaddinدانشگاه صلاح الدین عراق طارق عبدالمجید عباس ta abbas university of salahaddinدانشگاه صلاح الدین عراق

وابستگی دمایی مغناطو - اپتیکی و مغناطو - رسانش نوری در بازه 200 تا 300 کلوین اندازه گیری شده است. یخچال اپتیکی مورد اندازه گیری ساخت آزمایشگاه محلی است. برای این نمونه، گاف انرژی اندازه گیری شده در دمای اتاق ev 2.211 به دست آمد. ضریب دمایی گاف انرژی اندازه گیری شده با روش جذب نوری ev/k -5.48×10-4 و با اندازه گیری رسانش نوری ev/k -4.90×10-4 به دست آمد. اندازه گیری ضریب میدان مغناطیسی گاف انرژی ن...

ژورنال: علوم و فناوری رنگ 2014

در این تحقیق نانوکامپوزیت مغناطیسی C-TiO2@Fe3O4با استفاده روش سل ژل سنتز گردید و حذف آلاینده آبی مستقیم 71 در حضور نور مرئی مورد بررسی قرار گرفت. این نانو کامپوزیت، شامل هسته نانوذرات مغناطیسی مگنتیت و پوسته دی‌اکسید تیتانیم دوپ شده با کربن است. ریخت‌شناسی سطح، ساختار و فاز بلوری نانوکامپوزیت‌ها توسط روش‌های XRD،SEM و HRTEM مشخص شد. بررسی‌ها نشان داد که هسته Fe3O4 ساختار سه بعدی اسپینل معکوس دا...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید