در این مقاله خواص ساختاری، الکترونی و اپتیکی ترکیب تلوراید جیوه در فاز هگزاگونال مورد بررسی و مقایسه قرار می‌گیرد. محاسبات با استفاده از روش شبه‌پتانسیل در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی و با استفاده از نرم‌افزار کوانتوم اسپرسو صورت گرفته است. . نتایج ساختار نواری نشان‌دهندۀخاصیت نیم‌رسانایی این ترکیب در فاز سینابار می‌باشد. محاسبۀ سهم حقیقی تابع دی‌الکتریک ضریب شکست برای فاز سینابار را 489/4 می‌دهد....

چاههای کوانتومی کاربرد وسیعی در ابزار الکترونیکی مانند ترانزیستورها و صنایع اپتوالکترونیکی مانند لیزرهای نیمرسانا و آشکارسازهای مادون قرمز دارند. مطالعه و بررسی اثر میدانهای خارجی مانند میدان لیزری قوی بر روی چاههای کوانتومی دارای اهمیت فراوانی می باشد. در این پایان نامه اثر میدان لیزری را بر روی خواص نوری چاههای کوانتومی نیمه سهموی و سهموی gaas و چاههای کوانتومی کرنشی ingan/algan بررسی خواهیم ...

رابطه ساده بین الکترونگاتیویتی اپتیکی، گاف انرژی، ضریب شکست و قطبش الکترونی برای نیمه هادی chalcopyrite سه گانه ارایه شده است. گاف انرژی از الکترونگاتیویتی اپتیکی برآورد شده و مقادیر ضریب شکست و قطبش الکترونی از گاف انرژی با در نظر گرفتن یک رابطه خطی بین آنها برآورد شده است. مقادیر محاسبه شده در توافق قابل قبولی با نتایج تجربی وپژوهش های پیشین است. بررسی حاضر نشان دهنده اهمیت رابطه بین این پارا...

در این پژوهش خواص الکترونی و اپتیکی نانو ساختارهای تک لایه aln و gaas براساس اصول اولیه تابع گرین بس- ذره ای و فرمول بندی معادله بته- سالپیتر محاسبه شده است. تصحیحات انرژی به ویژه مقادیر dft با استفاده از تقریب gw برای مواد انجام شدند، تا اینکه مقدار گاف های انرژی بدست آیند. با استفاده از تصحیحات شبه- ذره گاف انرژی غیرمستقیم تک لایه لانه زنبوری aln 8/5 الکترون ولت (gaas 42/3 الکترون ولت) محاسبه...

در این تحقیق نانو ساختارهایC20 bowl ، (n=1-5) C20-nSin وn=1-5) ) C20-nGenاز نظر پایداری ترمودینامیکی، گاف انرژی، هدایت الکتریکی و کاربرد آنها در سلول خورشیدی به کمک نظریه تابعی چگالی در سطح محاسبات کوانتومیLSDA/6-31G در دمای اتاق مورد بررسی و مقایسه قرار گرفته اند. پایدارترین ساختارها در 300 کلوین، C17Si3 و C15Ge5 نتیجه شده اند. نتایج نشان میدهند که تعداد استخلاف سیلیکون و یا ژرمانیم تاثیر منظم...

در این تحقیق با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت تنگابست به مطالعه‏ی ترابرد الکترونی یک سامانه ی چند مولکولی فتالوسیانین مس متصل دو هادی فلزی پرداخته شده است. نتایج نشان می دهد که در گاف های این سامانه چگالی حالت های الکترونی مستقل از تعداد مولکول ها یا طول سامانه رفتار می‏کند. همچنین افزایش طول سامانه علاوه بر کاهش رسانش تونل زنی، باعث ظهور دره ها و قله هایی در گاف های طیف رسانش می شود و بست...

در گرافین، الکترون های رسانش شبیه ذرات نسبیتی بدون جرم دیراک با یک خاصیت کایرال رفتار می کنند. به همین دلیل، مقید کردن الکترون ها در گرافین به شکل هندسه های نقطه کوانتومی ناممکن است. در گرافین بدون گاف، به دلیل طیف الکترونی منحصر به فرد آن، رسانش الکتریکی در نقطه? دیراک دارای یک کمینه است. این موضوع استفاده از ماده فوق را در قطعات الکترونیکی دشوار کرده است. یکی از روش های غلبه بر این مشکل، ایجا...

در این پایان نامه ترابرد الکترونی ونحوه ایجاد گاف نواری انرژی در باریکه ای از گرافین تک لایه را در حضور پتانسیل متناوب اعمالی بررسی و مطالعه میکنیم. در ساختار شبکه لانه زنبوری گرافین درجه آزادی اضافه ای بنام شبه اسپین وجود دارد که برای تشریح محل قرار گرفتن اوربیتالهای توابع موج در شش گوشه ساختار لانه زنبوری مطرح شده است. گرافین در حالت نرمال یک نیمرسانای بدون گاف محسوب میشود. حضور پتانسیل متنا...

در این مقاله به مطالعه رسانش و چگالی حالت های الکترونی یک بسپار شانه-مانند با انرژی پرش متناوب متصل به دو زنجیره ساده یک بعدی در رهیافت بستگی قوی پرداخته شده است. روابطی برای ضریب عبور الکترونی و چگالی حالت ها به کمک تابع گرین سامانه به صورت تحلیلی ارائه شده اند. نتایج نشان می دهند که طیف رسانش الکتریکی بسپارهای پلی استیلن-مانند در غیاب انرژی پرش پیوند کربن-هیدروژن دارای یک گاف انرژی متناسب با ...

بررسی ساختارهای فبزیکی جدید در قالب فرمالیسم کوانتومی نسبیتی هم از لحاظ تئوری و هم از لحاظ تجربی و طراحی سیستم های جدید الکترونیکی بسیار حائز اهمیت می باشد. دو کاندیدای خوب برای ساختار های ماده ی چگال نسبیتی که در 6-7 سال اخیر به طور جدی مطرح شده اند، گرافن و عایق توپولوژیکی هستنددر این ساختارها بستگی الکترون ها به هسته بطور ذاتی توسط هامیلتونی دیراک دو بعدی با جرم موثر فرمیونی صفر توصیف می شون...