نتایج جستجو برای: مدل پوشش تدریجی
تعداد نتایج: 142358 فیلتر نتایج به سال:
یکی از انواع مدل های مکان یابی، مدل های پوشش می باشند که هدف آن ها سرویس گرفتن هر مشتری توسط مرکزی است که در فاصله ای معقول از مشتری قرار گرفته است. مساله ی پوشش حداکثر یکی از مسائل پرکاربرد پوشش می باشد که هدف آن پوشش دادن حداکثر تقاضا با تعداد محدود تسهیلات می باشد. در مدل های پوشش معمولا سه فرض در نظر گرفته می شوند. فرض پوشش همه یا هیچ: به این معنی که نقاط تقاضایی که در شعاع پوشش یک مرکز ق...
در این پایان نامه یک مدل مکان یابی شبکه که ترکیبی از مدل های میانگین مرتب شده و پوشش تدریجی است را مورد بررسی قرار می دهیم .این مسئله مسئله مکان یابی با پوشش تدریجی مرتب شده )ogclp )است .در مسائل پوششی فرض بر این است که یک فاصله بحرانی وجود دارد که در آن فاصله نقاط تقاضا کاملا پوشیده اما زمانی که تقاضاها دورتر از این فاصله باشند اصلا پوشیده نمی شوند . در مسئله مکان یابی با پوشش تدریجی هدف پوشش ...
در مسائل پوشش تدریجی افزایش فاصله از تسهیل ارائه دهنده سرویس در ناحیه پوشش، موجب کم شدن سطح پوشش¬دهی می¬گردد و اغلب محققین در مسایل مکان¬یابی تنها به عامل فاصله توجه می¬کنند، حال آنکه در دنیای واقعی معیارهای زیادی مثل جمعیت، دسترسی سریع و... وجود دارند که باید علاوه بر عامل فاصله در ارزیابی مکان¬یابی و تخصیص مورد توجه قرار گیرند، به عنوان مثال در مکان¬یابی تسهیلات اورژانسی نباید تنها به عامل فا...
در این تحقیق پوشش های تک لایه اکسید تیتانیوم (TiO2)، تک لایه هیدروکسی اپتایت (HA)، دو لایه HA-TiO2و پوشش با ساختار تغییرات تدریجی HA/TiO2 به روش الکتروفورتیک بر روی آلیاژ تیتانیومTi–6Al–4V اعمال گردیدند. مقاومت به ضربه پوشش های مختلف پس از عملیات تفت جوشی به وسیله رها سازی گلوله فولادی از ارتفاع های مختلف بر روی سطح پوشش، اندازه گیری شد. بررسی مقاومت به سایش پوشش های مختلف، توسط آزمون سایش به ر...
در تحقیق حاضر پوشش های تک لایه هیدروکسی اپتایت (HA)، اکسید تیتانیوم (TiO2) و پوشش با ساختار تغییرات تدریجی اکسید تیتانیوم/هیدروکسی اپتایت به روش الکتروفورتیک بر روی آلیاژ تیتانیومTi–6Al–4V اعمال گردید. مورفولوژی پوشش ها با استفاده از میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) بررسی شد. همچنین ترکیب پوشش ها با استفاده از آنالیز های پراش اشعه ایکس (XRD) و طیف سنجی پراش انرژی اشعه ایکس (EDX) مورد بررسی قرار گ...
گرافیت به طور گسترده در ساختارهای دمای بالا مورد استفاده قرار گرفته است با این حال، گرافیت از دمای حدود 400 درجه سانتیگراد، به آسانی با اکسیژن واکنش می دهد. کاربید سیلیسیم (sic) با تغییر تدریجی ترکیب در مقیاس میکروسکوپی به عنوان بهترین ماده برای جلوگیری از اکسیداسیون گرافیت شناخته شده است. در این پروژه پوشش sic بر پنج نوع گرافیت مختلف به روش سمانتاسیون توده ای اعمال گردید و رابطه بین ریزساختار ...
در مسائل مکانیابی پوشش نوین، افزایش فاصله از تسهیل ارائه دهنده سرویس در ناحیه پوشش، موجب کم شدن سطح پوشش دهی می گردد و تحت عنوان پوشش تدریجی در نظر گرفته می شود، با ازدیاد نقاط تقاضا، زمان حل در اینگونه مسائل افزایش می یابد. لذا روشهای مختلف حل از جمله دقیق، فرا ابتکاری و ابتکاری برای مدلهای مختلف مسئله پوشش تدریجی مطرح شده است. در این مقاله مسئله پوشش تدریجی با استفاده از روشهای شبیه سازی تبری...
در مسائل مکانیابی پوشش نوین، افزایش فاصله از تسهیل ارائه دهنده سرویس در ناحیه پوشش، موجب کم شدن سطح پوشش دهی می گردد و تحت عنوان پوشش تدریجی در نظر گرفته می شود، با ازدیاد نقاط تقاضا، زمان حل در اینگونه مسائل افزایش می یابد. لذا روشهای مختلف حل از جمله دقیق، فرا ابتکاری و ابتکاری برای مدلهای مختلف مسئله پوشش تدریجی مطرح شده است. در این مقاله مسئله پوشش تدریجی با استفاده از روشهای شبیه سازی تبری...
گرافیت به طور گسترده در ساختارهای دمای بالا مورد استفاده قرار گرفتهاست با این حال، گرافیت از دمای حدود 400 درجه سانتیگراد، به آسانی با اکسیژن واکنش میدهد. کاربید سیلیسیم (SiC) با تغییر تدریجی ترکیب در مقیاس میکروسکوپی به عنوان بهترین ماده برای جلوگیری از اکسیداسیون گرافیت شناخته شده است. در این پروژه پوشش SiC بر پنج نوع گرافیت مختلف به روش سمانتاسیون تودهای اعمال گردید و رابطه بین ریزساختار ...
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید