نتایج جستجو برای: مدار حافظه سیماس

تعداد نتایج: 10579  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تحصیلات تکمیلی صنعتی کرمان - دانشکده مهندسی برق و الکترونیک 1393

امروزه پردازنده ها ها از میلیارد ها ترانزیستور تشکیل گردیده است. بنابراین اطمینان از عملکرد آن ها در همه شرایط کار بسیار دشواری است. بنابراین طراحی های باید در ابتدا به گونه ای باشد تا تست قطعات به راحتی صورت گیرد. یکی از روش های پر کاربرد در تست مدارات دیجیتال استفاده از طراحی bist برای تست مدارات می باشد. طراحی bist به گونه ایست که الگوهای تست به صورت داخلی در مدار تولید شده و به مدار اعمال م...

ژورنال: :توانبخشی 0
راضیه عالمی raziyeh a'lemi tehran, iran, south kargar avenue, perfection, medical center, loghman hospital, cochlear implant centerتهران، خیابان کارگر جنوبی، خیابان کمالی، مرکز پزشکی، آموزشی و درمانی لقمان حکیم، مرکز کاشت حلزون شنوایی فریبا یادگاری fariba yadegari university of social welfare and rehabilitation sciencesدانشگاه علوم بهزیستی و توانبخشی مهدی رهگذر mehdi rahgozar university of social welfare and rehabilitation sciencesدانشگاه علوم بهزیستی و توانبخشی

هدف: دشواری در کسب اطلاعات جدید معمولا اولین نشانه خاموش در بیماریهای پیشرونده مغزی نظیر آلزایمر است. در این بیماری فرایندهای شناختی دیگر نظیر درک جمله نیز دچار اشکال می باشند. هدف پژوهش حاضر بررسی ارتباط بین حافظه فعال و درک جمله در بیماران مبتلا به آلزایمر و مقایسه آن با سالمندان سالم می باشد. روش بررسی: نوع مطالعه مقطعی، تحلیلی- مقایسه ای است. با مراجعه به انجمن آلزایمر ایران 10 بیمار مبتلا ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی شیراز - دانشکده مهندسی برق و الکترونیک 1392

از مهمترین نیازمندی ها برای طراحی ابزارهای قابل حمل مانند گوشی های هوشمند مصرف پایین انرژی بر کارکرد می باشد. در بسیاری از کاربردها، حافظه ها بخش عمده ای از کل انرژی سیستم را مصرف می کنند. از این رو درکاربردهای توان محدود که سرعت در درجه دوم اهمیت پیدا می کند، مفید است که عملیات های خواندن و نوشتن برای یک سلول sram با کمترین ولتاژ کاری ممکن انجام گیرد. چالش اصلی در طراحی sram مرسوم سازش بین نیا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی اصفهان - دانشکده برق و کامپیوتر 1392

پیشرفت چشمگیر علم الکترونیک در سالهای اخیر تا حد زیادی به دلیل پیشرفت تکنولوژی ساخت المانهای الکترونیکی در ابعاد میکرومتر و نانومتر است. ممریستور نیز یکی از المان های الکترونیکی اساسی است که به تازگی کشف شده و در ابعاد زیر میکرون ساخته می شود. در سال 2008 شرکت hp ساخت اولین نمونه از این قطعه را اعلام کرد و پس از آن توجه بسیاری از مراکز تحقیقاتی دنیا به آن جلب شد. این پایان نامه ابتدا به معرفی م...

ژورنال: :international journal of behavioral science 0
mir-hossein dalvand zanjan university tahereh elahi zanjan university

. مقدمه: پژوهش حاضر با هدف بررسی عملکرد مؤلفه های حافظه کاری (مجری مرکزی، مدار آوایی و بخش دیداری-فضایی) در دانش آموزان مبتلا به ناتوانی یادگیری ریاضی (md) و مقایسه آنها با همتایان عادی انجام شد. روش: 30 دانش آموز دختر و پسر md مرکز ناتوانی‏های یادگیری شهر زنجان انتخاب و با 30 نفر از دانش آموزان عادی که از لحاظ هوش، سن، جنس و پایه تحصیلی همتا شده بودند مقایسه شدند. آزمودنی ها با استفاده از تکال...

ژورنال: :international journal of behavioral science 0
elahi t. azad-fallah p. fathi-ashtiani a. poorhosein r.

مقدمه: پژوهش حاضر با هدف بررسی نقش مولفه­های حافظه کاری (مجری مرکزی، مدار آوایی و بخش دیداری- فضایی) در عملکرد جمع ذهنی کودکان پیش­دبستانی انجام شد.   روش: 30 نفر از دانش­آموزان دختر پیش­دبستانی مدارس ابتدایی شهر زنجان با دامنه هوشی 115-100 به­صورت تصادفی انتخاب و با تکالیف فراخنای ارقام وارونه، فراخنای ارقام مستقیم، فراخنای کُرسی و مسایل جمع ذهنی (استاندارد و غیراستاندارد) با ارایه به شکل کلامی...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه گیلان - دانشکده فنی 1390

بیشترین تعداد هسته های موجود در سیستم های روی تراشه (soc) را حافظه های جاسازی شده تشکیل می دهند. از این رو بهره دهی این حافظه ها نقش بسزایی در بهره دهی کل soc دارد. پیشرفت مداوم مجتمع سازی در سطح تراشه-ها و در نتیجه افزایش چگالی حافظه های جاسازی شده، امکان بروز نقص در سلول های حافظه را افزایش داده است که این امر به کاهش بهره دهی کل تراشه منجر می گردد. با تعمیر حافظه های جاسازی شده می توان این م...

ژورنال: کودکان استثنایی 2011
افروز, غلامعلی, صفرپور دهکردی, ندا, وفایی, مریم,

پ‍‍‍‍ژوهش حاضر، به منظور مقایسه سرعت نامیدن و عملکرد مؤلفه‌های سه‌گانه حافظه فعال در کودکان عادی و نارساخوان انجام شده است. نمونه مورد بررسی شامل 60 نفر از دانش‌آموزان پسر (30 عادی ،30 نارساخوان) مقطع سوم دبستان بود که به شیوه تصادفی خوشه ای چند مرحله‌ای از شش منطقه ‌6،9،12،14،16،18 شهر تهران انتخاب شدند. برای جمع‌آوری اطلاعات، از آزمون سرعت نامیدن اعداد (دنکلا و رودل،1974؛1976)، آزمونهای حافظه...

پژوهش حاضر، با هدف بررسی سوگیری حافظه ضمنی نسبت به پردازش اطلاعات هیجانی منفی و راهبردهای مقابله‌ای، در دانشجویان سیگاری و غیر‌سیگاری، انجام گردید.بر این اساس پژوهش حاضر یک مطالعه توصیفی از نوعی علی- مقایسه‌ای است. جامعه آماری آن شامل تمامی دانشجویان پسر ساکن خوابگاه دانشگاه علوم پزشکی تبریز است، بدین منظور 100 نفر از دانشجویان سیگاری و100 نفر دانشجوی غیرسیگاری از جامعه مذکور، به صورت نمونه، تص...

ژورنال: :توانبخشی 0
زهرا یزدانی zahra yazdani بوشهر نیروگاه اتمی، کمپ مسکونی مروارید، واحد اِچ 37، منزل حسین درخشنده طاهره سیماشیرازی tahereh sima-shirazi university of welfare & rehabilitation siences, tehran, iran.تهران، اوین، بلوار دانشجو، دانشگاه علوم بهزیستی و توانبخشی، گروه گفتاردرمانی، کد پستی: 1985713834 زهرا سلیمانی zahra soleimani تهران ، میدان مادر، ددانشکده توانبخشی دانشگاه علوم پزشکی تهران محمد رضا رضوی mohammad reza razavi تهران، دانشگاه علامه طباطبائی، گروه زبانشناسی بهروز دولتشاهی behrouz dolatshahi تهران، اوین، بلوار دانشجو، دانشگاه علوم بهزیستی و توانبخشی، گروه گفتاردرمانی، کد پستی: 1985713834

هدف: در سالهای اخیر مقالات متعددی به وجود ارتباط بین آسیب زبانی ویژه و ضعف معنادار در تکرار ناکلمه پرداخته اند. هدف از پژوهش حاضر بررسی اثر مداخله ای تکلیف تکرار ناکلمه بر برخی از شاخصهای زبانی مرتبط در کودکان با آسیب زبانی ویژه می باشد. روش بررسی: در این مطالعه تک موردی با خط پایه چندگانه، اثر مداخله ی تکلیف تکرار ناکلمه بر برخی شاخصهای زبانی مرتبط، در چهار کودک 5/6 تا 5/7 ساله دارای آسیب زبان...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید