در تکنولوژیهای جدید خطای نرم به عنوان اصلی ترین عامل کاهش قابلیت اطمینان در مدارات مجتمع شناخته می شود. در این میان نقش مدارات ترکیبی در افزایش نرخ خطای نرم مدارات مجتمع غیرقابل انکار است. نکته قابل توجه در مورد وقوع خطای نرم در مدارات ترکیبی این است که برخلاف سلولهای حافظه، خطای گذرا بطور مستقیم منجر به وقوع خطای نرم نمی شود، بعبارتی یک خطای گذرا برای تبدیل شدن به خطای نرم بایستی در مدار ترکیب...

با حرکت تکنولوژی بسمت ساخت مدارات مجتمع نوری وجود قطعات بسیار کوچک بیش از پیش احساس می شود. لزوم اجرای مدارات مجتمع نوری داشتن ابزارهای فوتونیکی با سایز کوچک می باشد. لذا ضرورت داردکه قطعات کنونی با قطعات کوچکتر که قابلیت استفاده در مدارات مجتمع را دارند جایگزین شوند. موجبرهای اپتیکی از جمله از عناصر کلیدی وسایل فوتونی می باشند. موجبرها تنها هدایت موج را انجام نمی دهند بلکه اتصال، سوییچ کردن و ...

با کوچک شدن مقیاس تکنولوژی در مدارات vlsi ، تاخیر در اتصالات میانی از تاخیر در گیت بیشتر می شود. در اتصالات سرتاسری که بلند هستند این افزایش تاخیر بیشتر از اتصالات محلی حس می شود که ایجاب می کند از روش های جدیدتری به منظور بهبود هر چه بیشتر تاخیر در آن ها استفاده شود. همچنین، با توجه به افزایش سرعت زمان صعود و طولانی شدن اتصالات میانی، اندوکتانس مهم تر از قبل جلوه می کند که در مدل های جدیدتر از...

قابلیت تغییر ساختار پردازنده ها در زمان اجرا، راه حلی موثر جهت ترکیب کارآیی بالای تراشه های خاص منظوره با قابلیت انعطاف پردازنده های همه منظوره می باشد. پردازنده هایی که می توانند پایان عمر پردازش بر مبنای سیلیکون را چند سال دیگر به تعویق اندازند. یکی از مهمترین بسترهای پیاده سازی چنین پردازنده هایی fpga های بر مبنای سلول حافظه هستند که قادر به تغییر ساختار خود یا در اصطلاح پیکر بندی مجدد در زم...

ترانزیستورهای اثر میدان فلز-اکسید-نیمه هادی (mosfet (ماسفت)) با تکنولوژی سیلیسیم روی عایق (soi) به طور گسترده در مدارات مجتمع به کار می روند. بنابراین، دست یابی به ترانزیستورهای ماسفت سیلیسیم روی عایق در ابعاد بسیار کوچک نیازی مهم برای توسعه صنعت الکترونیک به حساب می آید. در این مقاله یک ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق دو گیتی جدید در مقیاس نانو پیشنهاد می گردد که در آن یک پنجره از اکسید سیلی...

مدارهای مجتمع فرکانس بالا برای همه وسایل الکترونیکی قابل حمل که در ارتباطات بی سیم استفاده می شوند، لازم هستند. مدارات فرکانس بالای اولیه با استفاده از تکنولوژی های sige یا gaas ، به دلیل خواص فرکانس بالای فوق العاده آنها،پیاده سازی می شدند.اخیرا، سایز ترانزیستور mos در تکنولوژی cmos به طور مداوم در حال کم شدن بوده است تا خواص فرکانس بالای آن را بهبود دهد؛ که باعث شده پروسه های cmos برای استفاد...

رساله حاضر روشی برای مدلسازی ساختاری، توصیف و ذخیره سازی اطلاعات پردازنده ، به عنوان یک هسته نرم افزاری، ارائه کرده است. این هسته نرم افزاری در یک کتابخانه ‏‎ip‎‏ ذخیره شده و امکان استفاده مجدد از آن در طرحهای مختلف فراهم است. این هسته پردازنده که دارای اطلاعات پردازنده از سه دیدگاه مجموعه دستورالعمل ‏‎isa‎‏، قراردادهای تولید نرم افزار ‏‎abi‎‏ و معماری مسیر -داده است ‏‎microarch‎‏ ، می تواند بر...

با توجه به پیشرفت روز افزون مدارات مجتمع و اهمیت بحث تاخیر زمانی در مدارات ابعاد نانو ، تلاش برای دستیابی به مداراتی با سرعت بالاتر مورد توجه قرار گرفت با بررسی ساختار داخلی مدارات مجتمع دیده می شود بعد از ایجاد ترانزیستور ها با سرعت بالا تاخیر اتصالات به عنوان یک عامل محدود کننده سرعت نمود پیدا کرد به نحوی که تاخیر ناشی از مقاومت سیم های اتصالات داخلی بیش از تاخیر گیت ترانزیستور ها تعین کننده ...

رگولاتورهای خطی کم توان در کاربردهای پزشکی، نظامی و مخابراتی، مانند استفاده در گلوله های توپ دارای تغذیه داخلی، شبکه مین های دریایی، سیستم های کم مصرف مدارات ماهواره و سیستم های قابل کاشت در بدن موجودات اهمیت فراوانی دارند. در این مقاله، یک رگولاتور خطی تمام مجتمع با تکنیک fcoc ارائه شده است. این رگولاتور را با سه بلوک a، bو cو با پنج بلوک a، b، c،d و e در فناوری mµ13/0 طراحی و نتیجه های آن را ...

چکیده: کاربرد وسیع حلقه‏های قفل شونده فاز در انواع مدارهای مخابراتی و الکترونیکی و چند منظوره بودن این مدارها، سبب شده است که طراحی بهینه آن‏ها مورد توجه پژوهشگران قرار گیرد. بی تردید توان مصرفی پایین و تاخیر کمتر از مهم‏ترین اهدافی است که در طراحی حلقه‏های قفل شونده فاز به آن پرداخته می‏شود. در این تحقیق، فرآیند طراحی و بهینه‏سازی عملکرد حلقه‌های قفل شونده فاز در سطح مدارهای مجتمع، با استفاده ...