کاهش ولتاژ شکست یکی از مهمترین اشکالات افزارهایی است که در تکنولوژی soi ساخته می شوند. روش های متعددی برای افزایش ولتاژ شکست افزاره های soi پیشنهاد شده است. کاهش میدان سطحی، فوق پیوند و ایجاد پیک های اضافی از کاربردی ترین روش های افزایش ولتاژ شکست می باشند. برای افزایش ولتاژ شکست ترانزیستورهای ماسفت، یک ساختار جدید با دو پنجره در اکسید مدفون شده پیشنهاد شده است. در این ساختار از روش ایجاد پیک...

یکی از ماسفتهایی که امروزه توجه زیادی را به خود جلب کرده است ، ماسفت سیلیکون بر روی عایق می باشد. علاوه بر کاربرد چشمگیر ماسفتهای سیلیکون بر روی عایق در زمینه دیجیتال، باید به استفاده وسیع آنها در زمینه ی سیستمهای آنالوگ فرکانس بالا نیز توجه داشت. با این وجود ماسفت سیلیکون بر روی عایق با اتصال بدنه امروزه توجه بسیاری از طراحان را به خود جلب کرده است، اما یکی از مشکلات اینگونه ماسفتها وجود یک ...

ترانزیستورهای ماسفت با تکنولوژی سیلیسیم روی عایق کاربرد وسیعی در صنعت الکترونیک دارند. اما وجود لایه عایق در این ساختارها باعث مشکلاتی مانند اثر بدنه شناور و اثر خودگرمایی می‌گردند. به‌منظور بالابردن عملکرد الکتریکی، در این مقاله یک ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق در مقیاس نانو ارائه می‌گردد. ساختار پیشنهادی با نام QSZ-MOSFET ارائه می‌گردد که در آن چهار ناحیه سیلیسیمی در کانال و در اکسید مدفو...

در این رساله یک مدل دو بعدی تحلیلی برای تغییرات پتانسیل سطح در امتداد کانال در تخلیه کامل یک ماسفت دو گیتی سیلیکن روی عایق پیشنهاد شده است تا اثرات کانال کوتاه در آن مورد بررسی قرار گیرد. ترانزیستور ما شامل دو گیت و اختلاف ولتاژ بین آن دو می باشد. ما نشان می دهیم که پتانسیل سطح در کانال یک تابع پله ای را نمایش می دهد که به منزله عدم تاثیر گذاری بایاس درین بر روی پتانسیل سطح است. این اختلاف پتان...

استفاده از ترانزیستورهای سیلیکون روی عایق (اکسید سیلیکون) راه حلی برای حذف اثرات پارازیتی موجود در افزاره های بدنه سیلیکون می باشد اما هدایت گرمایی پایین لایه اکسید مدفون در افزاره های سیلیکون روی عایق، موجب تولید اثر خود گرمایی و افزایش دمای شبکه در این افزاره ها به ویژه در افزاره های زیر میکرون می شود. لذا اثر خود گرمایی محرکی برای حرکت به سمت استفاده از تکنولوژی سیلیکون بر روی موادی گردید که...

با پیشرفت تکنولوژی نانو و کاهش ابعاد ادوات نیمه هادی، مشکلات قابل ملاحظه¬ای از جمله اثرات نامطلوب کانال کوتاه بوجود آمده اند. لذا به منظور افزایش کارآیی و قابلیت اطمینان قطعه، کاهش اثرات منفی کانال کوتاه مهم است. به دلیل مزایایی که تکنولوژی سیلیسیم رو عایق در مقایسه با ترانزیستورهای بدنه¬ی سیلیسیمی دارد، ترانزیستورهای سیلیسیم روی عایق جایگزین مناسبی برای ابعاد کوچکتر ترانزیستورها می¬باشند. تران...

در این پایان نامه به بررسی مفصل تأثیر مقاومت بدنه بر مکانیسم شکست و ولتاژ شکست حالت روشن ترانزیستورهای ماسفت نفوذی افقی سیلیکون روی عایق پرداخته شده است. همچنین در این پایان نامه به بررسی و مقایسه ی فرآیند شکست ترانزیستور ماسفت نفوذی افقی با اتصال بدنه ی معمولی و اتصال بدنه ی لوزی شکل، با بررسی نتایج عملی موجود و انجام شبیه سازی، پرداخته شده است.

امروزه با پیشرفت تکنولوژی و تمایل به مجتمع سازی مدارات الکترونیک قدرت، نیاز به کاهش اندازه ی المان های غیرفعال مدار و درنتیجه کاهش حجم و وزن این مدارات بیشترشده است. پارامترمهم و تاثیرگذار جهت دستیابی به این اهداف افزایش فرکانس کلیدزنی می باشد. باتوجه به این که تمایل به بالارفتن سرعت پردازنده ها نیزوجود دارد، بالارفتن فرکانس به سریع ترشدن پاسخ حالت گذرای مدار نیز کمک خواهدنمود. درکنار این مزایا...

امروزه شبکه های هوشمند مصنوعی به عنوان ابزاری قدرتمند در بهینه سازی و مدل سازی قطعات و مدارهایالکترونیکی به خصوص مدارات مجتمع (ic) و پیچیده، به حساب می آیند. در واقع این شبکه ها حتی اگر مدار معادل و معادلات فیزیکی قطعه در دسترس نباشد، می توانند به کار روند.در این تحقیق میزان تطبیق پذیری ساختار شبکه های عصبی فیدبک دار را در مدل سازی رفتار غیرخطی ترانزیستورهای ماسفت بررسی کرده و به یک مدل ماسفت ه...

ترانزیستورهای مدرن به رغم عملکرد ساده¬¬شان، یکی از مهمترین دستگاه¬های پیچیده¬ی ایجاد شده توسط بشر هستند. سالانه میلیون¬ها ترانزیستور ساخته شده در جهان نقش مهمی در رایانه، تلفن همراه، رله قدرت و انواع دیگر دستگاه¬های الکترونیکی بازی می¬کنند. ماسفت به¬عنوان پایه¬ی مدارات مجتمع امروزی و همچنین پایه¬ی بسیاری از سنسورهای دقیق می¬باشد. جهت¬گیری تکنولوژی همواره به کوچک¬سازی این قطعه ¬انجامیده است. اخ...