در این کار، شبیه سازی رشد لایه ی نازکGaAs به کمک روش تبخیر شیمیایی در محیط نرم افزار COMSOL Multiphysics انجام گردیده است. به منظور مقایسه نتایج شبیه سازی با نتایج تجربی، تمامی جزییات شبیه سازی و واکنش های مربوط به تشکیل GaAs بر مبنای یک آزمایش تجربی و نتایج آن صورت گرفت.جزئیات مراحل تعریف واکنش ها، طراحی محفظه، مطالعه روابط شیمیایی و ترمودینامیکی مربوطه و تحلیل مش ها شرح داده شد. پارامتر هایی ...

اکسید روی (ZnO) به عنوان ماده نیمه ‌رسانا با شکاف نواری مستقیم و پهن، اهمیت زیادی در ساخت قطعات الکترونیکی مانند ترانزیستورهای اثر میدانی و قطعات اپتو الکترونیکی نظیر دیود های نور گسیل و همچنین آشکار سازی نوری دارد. در این پژوهش با استفاده از لایه ‌نشانی به روش سل – ژل، پوشش ‌های لایه نازک از اکسید روی آلاییده شده با درصدهای مختلف منیزیم (6%، 8%، 10%) تولید شد. ایجاد لایه نازک به روش پوشش چرخشی...

با توجه به نظریه انعکاس و کاربردهای فراوان آینه، می توان به آینه های با پوشش‏های لایه نازک، فلز- دی الکتریک دست یافت. از این رو در این مقاله بادر نظر گرفتن رهیافت فوق و با استفاده از مواد جدید،آینه ای با حداکثر بازتاب نزدیک به 100% و با بستره‏ای از جنس فلز آلومینیوم ساخته شده است. آینه‏ی فلزی ساخته شده یک انعکاس دهنده‏ی بسیار خوب در بازه طول موجی 3 تا 5 میکرومتر می باشد.لایه واسط مطلوب برای لای...

با توجه به درک جهانی و نیازمندی ها در زمینه ی استفاده از منابع انرژی تجدید پذیر و پاک, انرژی خورشیدی در کانون توجه بسیاری از مراکز تحقیقاتی قرار گرفته است. امروزه کاهش قیمت ساخت در کنار راندمان ، از اهداف مهم صنعت سلول های خورشیدی می باشد. یکی از راه های کاهش قیمت، بکارگیری تکنولوژی فیلم نازک در این سلول ها می باشد که از اثر فتوولتایی استفاده می کنند. در بین این فیلم های نازک, cu(in ga)se علاوه...

در این مقاله پس از ساخت لایه های  نازک TiO2 و ZrO2 بر روی زیر لایه BK7 به روش تبخیر با باریکه الکترونی، طیف عبوری  UV-visible از لایه ها تهیه شده است. با استفاده از طیف عبوری، ضریب شکست لایه ها به دست آمده است. تصاویر AFM از لایه های نازک TiO2و ZrO2 تهیه شده است. اندازه‌گیری پراکندگی این لایه های نازک با روش پراکندگی تجمعی کلی یا TIS و روش AFM انجام شده است. همچنین، مقادیر زبری سطح و تخلخل و هد...

این مدل شبیه سازی از روش رو نشست با زاویه مایل و گام های تصادفی مونت کارلو استفاده شده است. مدل بکار رفته رشد، رشد بالستیک bd می باشد. شار ذرات فرودی تحت زاویه ای مشخص نسبت به نرمال سطح به سمت زیرلایه فرود می آیند. دو عامل فیزیکی الف) سایه اندازی و ب) محدودیت در تحرک پذیری ذرات فرودی باعث گردیده ساختارهای حاصل از این روش بصورت ستون های مجزا با اشکال مختلف که با فضاهای خالی از هم جدا شده اند، در...

لایه های نازک اکسید وانادیم(VOx) در سیستم کند و پاش مغناطیسی جریان مستقیم تهیه شدند. به منظور دستیابی به فازهایمختلف از اکسید وانادیم، نمونه ها تحت دماها و اتمسفرهای مختلف آنیل شدند. در ابتدالایه های نازک اکسید وانادیم(VOx)بدست آمده در دو دمای مختلف 450 و 500oC آنیل شدند. هر دو لایه شامل ترکیبی از فازهای VO2(M) و V2O5 بودند. فاز غالب در دمای 450oC فاز VO2(M) بود که در دمای 500oC به فاز V2O5 ...