در این تحقیق، پارچه پلی­استری با پوششی از نانوذرات پلی (3- آلکیل­تیوفن) به روش پلیمرشدن شیمیایی و لایه نشانی بخار شیمیایی تهیه شده است. پوشش­دهی منسوج  در محفظه پلیمرشدن در مدت زمان مشخص و دمای مورد نیاز (°c40 و h 8 در پلیمرشدن همزمان و°c65 و h2 در روش لایه نشانی بخار شیمیایی) انجام شده است. مقاومت سطحی نمونه­های پوشش­دهی شده توسط ولت متر دیجیتال اندازه­گیری شده است که درروش لایه نشانی بخار شیم...

کار بر روی پروژه "شبیه سازی، طراحی و تهیه ی اجزای مورد نیاز برای ساخت سامانه ی لایه نشانی pecvd"، با هدف لایه نشانی اکسیدسیلیکون به عنوان لایه ی محافظ در قطعات الکترونیک آغاز شد. در مراحل ابتداییِ تحقیق مشخص شد که اغلب لایه های دی الکتریک موجود در تکنولوژی مدارات مجتمع، از جمله دی الکتریک بین لایه ها، اکسید میدان، لایه های محافظ و حتی در مواردی اکسید گیت، با روش های لایه نشانی بخار شیمیایی در مح...

کربن گرماکافتی به‌طورمعمول با روش رسوب‌دهی شیمیایی در فاز بخار و به دنبال گرماکافت برخی گازهای هیدروکربنی سبک در دماهای بالا در گستره‌ی از حدود 900 تا 2200 درجه‌ی سلسیوس به‌صورت یک پوشش کربنی روی سطح بستر، لایه نشانی می‌شود. این ماده کربنی از جهت ساختاری شامل تعداد زیادی نانوبلورهای گرافیتی یا صفحات گرافیتی با ابعاد چند نانومتر است. به دلیل ویژگی‌های زیست سازگاری، فیزیکی، مکانیکی، مقاومت سایشی ...

در این تحقیق لایه های نازک نیمرسانای اکسید قلع به روش بخار شیمیایی بر روی بسترهای شیشه ای تهیه شده است. سپس اثر شار اکسیژن و زمان لایه نشانی بر روی خواص ساختاری، الکتریکی و اپتیکی لایه های نازک مورد مطالعه قرار گرفته است.لایه های تهیه شده توسط پراش پرتو ایکس (xrd)، میکروسکو‍‍‍پ الکترونی روبشیاثر میدان (fesem)و جذب نوری (uv-vis)مشخصه یابی شده اند. لایه ها دارای خواص بس بلور و یکنواخت با جهت گیری...

لایه­ نازک کربن شبه الماسی به علت خاصیت ضد بازتابی که دارند به منظور افزایش بازدهی سلول­های خورشیدی استفاده می­گردد. در این تحقیق نانو فیلم کربن شبه الماسی با ضخامت 80 نانومتر بر سلول خورشیدی سیلیکونی نوع P به روش رسوب شیمیایی از فاز بخار تقویت شده با پلاسما (PECVD) از مخلوط گازهای هیدروژن و متان لایه نشانی شد. خواص اپتیکی پوشش به وسیله دستگاه بیضی سنجی وUV-VIS-NIR Recording Spectro Photometer ...

این مقاله پیشرفت فن آوریهای آماده سازی لایه های نازک hts را از روشهای مبتنی بر لایه نشانی بخار فیزیکی تا آخرین روشهای ارایه شده امروزی مرور می کند. مقاله شامل مسیرهای اصلی فرآیند در محل و کنترل رشد است. فعالیتهای جاری برای ساخت نوارهای مورد استفاده در کاربردهای توانی و نیز ساخت بهینه بین صفحه ای در کوپراتها مورد بحث قرار گرفته است. برخی از مسیرهای آتی در تحقیقات فیلمهای نازک hts, چه در علوم و چ...

شفت های نیروگاهی از نظر جوشکاری دارای مشکلاتی نظیر تشکیل فاز مارتنزیت، آستنیت باقی مانده، حساسیت به ترکیدگی سرد، ایجاد تنش های پسماند و ... می باشند. انتخاب صحیح روش و متغیرهای جوشکاری، تعیین فلز پرکننده و انجام عملیات حرارتی مناسب پس از جوشکاری سبب کاهش چنین مشکلاتی خواهد شد. با توجه به مقدار کربن و عناصر آلیاژی فولاد شفت 26 nicrmov 11 5، سیم جوش کم هیدروژن کروم- مولیبدن دار برای جوشکاری لایه ...

گرافن به علت داشتن خواص فوق العاده دررسانش الکتریکی و گرمایی، چگالی بالا وتحرک پذیری حامل های بار،اپتیکو خواص مکانیکی به ماده?ای منحصربفرد تبدیل شده است. نحوه دست�یابی به ورقه�های تک لایه و چند لایه گرافن، رسوب نشانی شیمیایی از فاز بخار بر روی بستر نیکل از گاز متان و در فشار محیط است. نتایج آنالیزها نشان�دهنده خلوص نمونه�ها و تعداد اندک ورقه�های گرافنی بود. تصاویر میکروسکوپ عبوری نشان می�دهد که...

لایه نشانی شیمیایی بخار یک ماده ی پلیمری (پلی کربوسیلان) در یک رآکتور استوانه ای و در فشار جو با استفاده از گاز آرگون، به عنوان گاز حامل، برای تولید فیلم نازک سیلیکون کرباید، شبیه سازی شده است. شبیه سازی به صورت عددی و با به کارگیری روش حجم محدود، انجام شده است. تاثیر پارامترهای کسرجرمی ورودی، عدد رینولدز ورودی، دمای زیرلایه، فاصله ی زیرلایه از ورودی، دمای دیواره ی رآکتور، دمای مخلوط ورودی، و ...

چکیده: در این رساله، اثر توان rf بر خواص لایه ی نازک sio2 بررسی شده است. دی اکسید سیلیکان با روش لایه نشانی بخار شیمیایی بکمک پلاسما بر زیرلایه ی gaas انباشت می شود. از این لایه بعنوان لایه ی دی الکتریک در افزاره های متشکل از ساختار فلز - اکسید – نیمرسانا (mos) استفاده می شود. مشخصه های لایه با تغییر توان rf قابل کنترل است. با افزایش توان rf، نرخ لایه نشانی افزایش می یابد که منجر به تغییر خوا...