در این مقاله با استفاده از یک مدل خود سازگار و با لحاظ تقریب فاز تصادفی، تابع دی الکتریک گاز الکترونی نانوسیم های نیم رسانایinas  وzno  پوشیده شده با یک محیط دی الکتریک محاسبه شده است. همچنین نشان داده ایم هنگامی که این نانوسیم ها با محیطی با ثابت دی الکتریک بالا (بزرگتر از ثابت دی الکتریک نانوسیم نیم رسانا ) پوشش داده شود، استتار بارهای آزاد درون ساختار نانو کاهش می یابد. در حالی که در محیطی ب...

چکیده ندارد.

ترکیب پیزوالکتریک عاری از سرب Ba0.85Ca0.15Zr0.1Ti0.9O3 (BCZT) با استفاده از روش متداول سرامیک‌ها سنتز و اثر افزودن 1/0% مولی Bi2O3 بر فرایند زینتر و خواص دی الکتریک، فروالکتریک و پیزوالکتریک این ترکیب مطالعه شد. در راستای کاهش اتلاف بیسموت در دماهای بالای کلسیناسیون و زینتر BCZT، ، دو روش متفاوت برای افزودن بیسموت به ساختار این ترکیب بکار گرفته شد؛ در روش اول، Bi2O3 مطابق فرمولاسیون ([(Ba0.85,C...

چکیده ندارد.

روش قطبش القائی، روش ژئوفیزیکی اصلی در اکتشاف کانسارهای پورفیری است. روش قطبش القائی طیفی به‌عنوان شاخه‌ای از روش قطبش القائی، به‌دلیل ارائه‌ اطلاعات بیش‌تر در ارتباط با بی‌هنجاری زیرسطحی، در دهه‌های اخیر به‌خصوص در اکتشاف کانسار‌های پورفیری، هیدروژئوفیزیک، اکتشافات باستان‌شناسی، بیوژئوفیزیک و مسائل زیست‌محیطی مورد توجه قرار گرفته است. در این روش، برداشت‌های صحرایی بر روی یک گستره‌ بسامدی (معم...

درجه بندی محصولات کشاورزی همواره موضوع تحقیق دانشمندان بوده است. یکی از زمینه های مورد مطالعه درجه بندی میوه براساس میزان رسیدگی آن است. روش های مختلفی برای تشخیص میزان رسیدگی میوه به کار گرفته شده است که بعضی از این روش ها مخرب و برخی دیگر غیر مخرب هستند. در این تحقیق از روش غیرمخرب خازنی برای تشخیص میزان رسیدگی میوه ی موز استفاده شده است. رابطه میزان رسیدگی با ثابت دی الکتریک میوه در بسامد یک...

در سال های اخیر ضخامت گیت دی اکسید سیلیکون در تکنولوژی CMOSبه کمتر از دو نانومتر رسیده است. این تمایل بی سابقه به کوچککردن ترانزیستور ها، علاوه بر مزایای فراوان تکنولوژیکی، مشکلاتیهمچون افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتمبور از گیت دی الکتریک فرانازک را به همراه داشته است مواد نانوکامپوزیت هیبریدی آلی به خاطر ویژگی های خوب الکتریکی همچون جریان نشتی پایین و ثابتدی الکتریک بالا...

به منظور بررسی اثرات محیط دی الکتریک پاشنده و جاذب و همچنین خمیدگی فضای فیزیکی بر خواص حالت های کوانتومی فرودی، روابط کوانتش امواج الکترومغناطیسی مبتنی بر رویکرد پدیده شناختی را برای به دست آوردن روابط کوانتومی ورودی- خروجی بین تابش ها در دو طرف تیغه دی الکتریک به کار می بریم. با استفاده از این روابط، همانندی، توابع ویگنر و همچنین همبستگی کوانتومی حالت های خروجی از دی الکتریک را برای وضعیتی که ...

شبیه ­سازی یک بعدی پلاسمای تخلیه ­ی سد دی­ الکتریک صفحه ­ای با استفاده از نرم­ افزار کامسول انجام شد. تأثیر ضخامت و ضریب دی ­الکتریک، ولتاژ و بسامد اعمال­ شده به الکترودها بر تغییرات دما و چگالی الکترون مورد مطالعه قرار گرفت. نتیجه­ های به دست آمده نشان داد که افزایش ولتاژ، بسامد، ضریب گسیل الکترون ثانویه ­ی الکترود و ضریب دی­ الکتریک باعث افزایش چگالی الکترون می­ شود درحالی که افزایش ضخامت دی­...

اگرچه در دو دهه اخیر مفاهیم تخلیه های حایل دی الکتریک (dbds) به خوبی در کاربردهایی نظیر تولید ازون، کنترل آلودگی هوا، صفحات نمایش پلاسما و کنترل فرایندهای شیمیایی، زیستی و پزشکی توسعه داده شده، اما استفاده از آن در فن فشار قوی الکتریکی برای بهبود عملکرد عایقی سیستم (به عنوان جایگزین سیستمهای با عایقی گاز پرفشار 6sf) هنوز کاربردی نشده است. در این روش با ترکیب عایق جامد (به عنوان پوشش دی الکتریک ...