محاسبات اصول اولیه خواص ساختاری، کشسانی و پاشندگی فونونی تنگستن تری اکسید((WO3 مکعبی با تقریب شیب تعمیم‌یافته (GGA) و روش شبه‌پتانسیل فوق نرم، بر اساس نظریه تابعی چگالی انجام‌ شده است. وابستگی فشار نسبت به ثابت‌های کشسانی، مدول‌های حجمی، مدول‌های برشی، مدول‌های یانگ، دمای دبای کشسانی، ضریب ناهمسانگردی کشسانی، نسبت پواسون، شکل‌پذیری، سرعت‌های کشسان و پارامتر کلینمن نشان داده‌شده است. تجزیه‌ و تح...

در این تحقیق رسانش الکتریکی و چگالی حالت های چندین نانوساختار در رهیافت بستگی قوی به صورت کاملاً تحلیلی مطالعه شده است. در ابتدا نانوساختار شانه-مانند منظم و نامنظم که متصل به دو نیم سیم کوانتومی است در نظر گرفته شده و با استفاده از بازبهنجارش انرژی این دستگاه شانه-مانند به یک زنجیر ساده تقلیل یافته است. در دستگاه شانه-مانند منظم تأثیر عواملی همچون طول دستگاه، تعداد دندانه ها و انرژی جایگاهی دند...

بلورهای فونونی با توجه به پارامترهای فیزیکی و نوع آرایش شبکه آنها دارای نوارهای ممنوعه فرکانسی هستند که به این نوارها، نوار ممنوعه فونونی گفته می شود. امواج مکانیکی با فرکانس واقع در این نوار ممنوعه نمی توانند داخل بلور فونونی انتشار پیدا کنند. می توان با ایجاد نقص در یک بلور فونونی (تغییر شعاع و حذف یک میله (1l) یا سه میله(3l) و یا تغییر شکل یک میله)، درون نوار ممنوعه فونونی مدهایی را به وجود ...

چکیده در سازه های اندازه گیری جریان با مقطع کنترل، بین عمق و دبی رابطه ای ایجاد می شود که این رابطه مبنای محاسبه دبی است. به دلیل انحنای خطوط جریان در سازه های اندازه گیری، و ایجاد ناحیه جدایی در برخی از این سازه ها، در این سازه ها افت انرژی وجود دارد. بنابراین افت انرژی سازه های اندازه گیری جریان آب یکی از محدودیت های طراحی آنها به شمار می رود. یکی از سازه های ساده ای که برای اندازه گیری جری...

لایه های نازک به طور گسترده ای در اپتیک، فوتونیک و تکنولوژی لیزر مورد استفاده قرار گرفته اند و کاربردهای فراوانی در ابزارهای اپتیکی مانند پوشش های ضدبازتاب، آینه های دی الکتریک، فیلترهای تداخلی، سلول های خورشیدی، موجبرها و ... دارند. با کشف خواص اپتیک غیرخطی و مشاهده آن در بسیاری از مواد آلی وغیرآلی، این شاخه از فیزیک وارد حیطه لایه‎‎ های نازک شد. امروزه مواد اپتیکی غیرخطی نقش مهمی در تکنولوژی...

چاه های کوانتومی به عنوان نانوساختارهای دوبعدی، پایه واساس ساخت وسایل الکترونیکی در ابعاد نانو می باشند. در این پایان نامه به مطالعه مشخصه های تشدید تونل زنی (ضریب عبور، ضریب بازتاب و چگالی جریان) از سدهاو چاه های کوانتومی مثلثی متقارن ساخته شده از gaas-algaas پرداخته شده است. برای حل معادله شرودینگر مستقل از زمان در ساختارهای مثلثی از تابع ایری (airy function) و برای محاسبه ضرایب عبور از روش م...

،در این مقاله با استفاده از نرم­افزار کوانتوم اسپرسو، خواص فونونی نانولوله­های gan زیگزاگ (0و4) و دسته صندلی (4و4)، محاسبه و بررسی شده است. با استفاده از نمودار پراکندگی فونونی، پایداری این نانولوله ها بررسی شده است. سپس با استفاده از نتایج محاسبات فونونی، ظرفیت گرمای ویژه در دماهای متفاوت محاسبه شدند. ثابت کشسانی در راستای محور نانولوله با محاسبه شیب نمودار پراکندگی فونونی تعیین شد

دراین مقاله مشخصه های تشدید تونل زنی (ضریب عبور، چگالی جریان و مقاومت دیفرانسیل منفی) از چاه های کوانتومی دوگانۀ مثلثی alx ga1-x as / ga as بررسی شده است. برای حل معادلۀ مستقل از زمان شرودینگر در ساختارهای چاه مثلثی از تابع ایری1 استفاده شده است. به طور اساسی، عبارت های دقیق ضرایب بازتاب وعبور قبل و بعد از اعمال میدان الکتریکی خارجی برای دو چاه کوانتومی مثلثی متقارن براساس تقریب جرم مؤثر به عنو...

در این مقاله، خواص ساختاری، فونونی و حرارتی Co2MnGe و Co2MnSi محاسبه‌شده و با یکدیگر مقایسه گردیده‌اند. خواص ساختاری با دیگر نتایج نظری و تجربی هم‌خوانی خوبی دارد. با استفاده از نظریه تابعی چگالی اختلالی و بسته محاسباتی کوانتوم اسپرسو، محاسبات پراکندگی فونونی در جهت‌های مختلف انجام شد. محاسبۀ چگالی حالت‌های فونونی کلی و جزئی نشان داد که با افزایش جرم، سهم اتم‌ها در بسامدهای بالاتر کاهش می‌یابد....

  به کمکِ تقریبِ دی الکتریکِ پیوسته، مدهای فونون‌های اپتیکی حاصل از فصلِ مشترکِ یک سیمِ کوانتومی استوانه‌ای از جنس GaAs در یک محیطِ نیمه رسانای قطبی GaxAl1-xAs بررسی شده است. نتایج به دست آمده دو شاخۀ متفاوت ( SO1, SO2 ) از مدهای فونونی سطحی را نشان می‌دهند. با افزایشِ بردارِ موج ( )، بسامدِ هر یک از مدهای فونونی به بسامدِ یک ساختارِ صفحه ای تخت نا متجانس همگرا می‌شود.