در این تحقیق، لایه های نازک اکسید ایندیم قلع (ito) به روش تبخیر با پرتو الکترونی بر روی زیرلایه های شیشه ای. با ضخامت های اسمی 50، 100، 170 و 250 نانومتر، با نرخ انباشت ثابت 10/0 نانومتر بر ثانیه لایه نشانی شده اند. دمای زیرلایه ها در خلال لایه نشانی در دمای 400 درجه سانتیگراد ثابت نگه داشته شد. از تکنیک های پراش پرتو ایکس (xrd) و بازتاب سنجی اشعه ایکس (xrr) برای آنالیز ساختاری لایه های نازک اس...

در این مقاله، با استفاده از روش ماتریس انتقال، طیف عبوری بلور فوتونی یک بعدی ‌دولایه‌ای بی‌نظم را با نقص بررسی خواهیم کرد و دو حالت بی‌نظمی مربوط به ضخامت و طول اپتیکی را در نظر گرفته و جابه جایی طول موج مد نقص را در این دو حالت در دو قطبش TE و TM بررسی خواهیم کرد. مشاهده می‌شود که با افزایش مرتبه بی‌نظمی در هر دو حالت متقارن و نامتقارن و در دو مورد بی‌نظمی ضخامت و طول اپتیکی، مدهای نقص به سمت ...

فیلم‏های نازک اکسید منیزیم به روش سل- ژل تهیه شدند. اثر دمای بازپخت روی خواص اپتیکی، ساختاری و مورفولوژیکی فیلم‏ها با استفاده از ftir، uv-visible، اسپکتروسکوپی فوتولومینسانس (pl)، پراش پرتو x (xrd) و میکروسکوپ الکترونی روبشی (sem) بررسی شد. ثابت‏های اپتیکی و ضخامت فیلم‏ها با رهیافت کمینه‏سازی نامقید نقطه‏گرا تعیین شد. شفافیت اپتیکی فیلم‏ها با افزایش دما کاهش می‏یابد. با افزایش دما ضریب شکست و ض...

در این پژوهش فیلم­های نازک اکسید منگنز به کمک روش سل- ژل و با تکنیک غوطه­وری تهیه شدند و تاثیر تغییر غلظت بر روی خواص ساختاری و اپتیکی فیلم­های نازک اکسید منگنز که به کمک IR خشک شده بودند، مورد بررسی قرار گرفت. این نمونه­ها از دو نوع سل اسیدی و بازی و با پیش ماده­های اصلی استیل استونات منگنز و استات منگنز 4 آبه تهیه شدند. لایه­های به دست آمده از سل بازی، به دلیل ویسکوزیته بالایشان، ضخامت بیشتری...

پاسخ‌های اپتیکی و مغناطواپتیکی بلورهای مغناطوفوتونی با لایه نقص مغناطیسی که در بین دو آینه براگ دی‌لکتریک احاطه شده است، مورد بررسی قرار گرفته است. این ساختارها دارای پتانسیل بالقوه‌ای برای کاربرد در ابزارهای مغناطواپتیکی و اپتیک مدارهای مجتمع می‌باشند. آینه‌های براگ، متشکل از ساختارهای چندلایه از مواد SiO2  و Ta2O5  می‌باشد. با معرفی ماده Ce:YIG به عنوان لایه نقص مغناطیسی، افزایش عبور و زاویه ...

ضریب شکست نور یکی از ثوابت مهم در طراحی لایه‌های نازک اپتیکی است و بسته به ضخامت،  دانسیته لایه، شبکه کریستالی و عیوب داخلی تغییر می‌کند. امواج الکترومغناطیسی تابشی بر روی سطح لایه به تناسب ضریب شکست در مقادیر مختلف، جذب، منعکس و یا عبور می‌کند و مقداری از آن نیز بدلیل معایب سطحی و داخلی لایه پراکنده می‌شود. لایه‌های نازک سیلیکا بصورت منفرد و یا در ترکیب با سایر اکسیدها در تولید خواص اپتیکی کار...

در این مطالعه لایه­های نازک الکتروکرومیک اکسید تنگستن و اکسید وانادیوم به روش فیزیکی تبخیر حرارتی در خلأ در ضخامت 200 نانومتر بر روی زیر لایه هادی شفاف sno2:f جایگذاری شده و مورد مطالعه اپتیکی در بازه طول موج 400 تا 700 نانومتر و مطالعه الکتریکی در بازه پتانسیل 5/1- تا 5/1+ ولت قرار گرفته­اند. همچنین این لایه­ها به منظور بررسی میزان تغییر گاف انرژی با دما، در دماهای 120، 300 و 500 درجه سیلسیوس ...

چکیده در این پایان نامه لایه های نازک اکسید مس آلومینیوم (cualo2) با ضخامت متوسط nm150به روش سل ـ ژل چرخشی و غوطه وری آماده شدند. به منظور بدست آوردن شرایط بهینه سنتز این نمونه ها، اثر پارامتر هایی نظیرنوع زیرلایه، دمای خشک سازی و دمای بازپخت، اتمسفر محیط بازپخت و نسبت مولی آلومینیوم به مس روی خواص ساختاری و اپتیکی نمونه ها بررسی شد. نتایج این مطالعه نشان داد که برای تبلور ساختار بلوری cualo2،...

در این پایان نامه، خصوصیات اپتیکی فیلم های نازک اکسید وانادیم مورد مطالعه قرار گرفته اند. برای تعیین ثابت های اپتیکی مانند ضریب شکست، ضریب خاموشی و همچنین ضخامت فیلم ها با استفاده از مدل دو نوسانگری لورنتز طیفهای بازتاب و تراگسیل اندازه گیری شده، از طریق الگوریتم لونبرگ-مارکوارت که یک روش بهینه سازی غیر خطی کمترین مربعات است شبیه سازی شدند. به علاوه، اثر آلایش تنگستن روی خصوصیات اپتیکی فیلم ها ...

در این تحقیق، لایه های نازک اکسید ایندیم قلع (ITO) به روش تبخیر با پرتو الکترونی بر روی زیرلایه های شیشه ای. با ضخامت‌های اسمی 50، 100، 170 و 250 نانومتر، با نرخ انباشت ثابت 10/0 نانومتر بر ثانیه لایه نشانی شده اند. دمای زیرلایه ها در خلال لایه نشانی در دمای 400 درجه سانتیگراد ثابت نگه داشته شد. از تکنیک های پراش پرتو ایکس (XRD) و بازتاب سنجی اشعه ایکس (XRR) برای آنالیز ساختاری لایه های نازک اس...