نانو ذرات  siبه روش تبخیر با باریکه بر روی زیر لایه  p-si(111)در زاویای °0، °75 و °85 ساخته شد. مقاومت سطحی نمونه ها به روش ون در پاو اندازه گیری و با نمونه زیر لایه سیلیکان مقایسه شد. نتائج نشان داد به علت افزایش زاویه از °75 به °85 نانو ذرات سیلیکان با تخلخل بیشتری شکل می گیرند در نتیجه نمونه °85 توانایی حمل جریان بیشتر در ولتاژ های مشابه از خود نشان می دهد. این در حالیست که مساحت سطحی و در ن...

سیلیکان ‏‎si‎‏ از جمله نیمه رساناهایی است که کاربرد وسیعی در صنعت الکترونیک دارد اما همین عنصر به علت داشتن گاف غیرمستقیم ، دارای خواص ضعیف اپتیکی بوده و جایگاهی در کاربردهای اپتیکی ندارد.یکی از راههایی که می توان بدان طریق در سیلیکان خواص اپتیکی بوجود آورد، کوچک کردن ساختار ‏‎si‎‏ است، به حدی که اثرات کوانتومی در ساختار نواری آن بکار آید. به این ساختار ، سیلیکان متخلخل ‏‎ps‎‏ گفته می شود . لای...

چکیده در این پروژه به ارئه یک روش فیزیکی برای ساخت نانو ذرات سیلیکان بر روی ویفر سیلیکان می پردازیم. این روش که روش glad نامیده می شود اولین بار در سال 1996 توسط یک گروه تحقیقاتی کانادایی در دانشگاه آلبرتا ارائه گردید. همچنین برای لایه نشانی دستگاه خود را در حالت گرمادهی به روش پرتو الکترونی آماده کردیم. لایه نشانی را در دو زاویه° 75و ° 85 انجام دادیم. منحنی افت زمانی در دو ولتاژ یک و دو ولت ...

نانوساختارهای سیلیکان متخلخل توسط روش آندی در سلول الکتروشیمیایی با چگالی جریان ثابت بدست آمده است که دارای منافذ و خوردگی ستونی می باشد. بسته به زمان خوردگی، می توان نمونه هایی با اندازه ی منافذ متفاوت بدست آورد. برای مطالعه خواص مکانیکی از جمله تعیین اختلاف پارامتر شبکه ای سیلیکان متخلخل از روش های پراش پرتوی ایکس متفاوت استفاده می شود. طیف پراش ایکس دقت بالا از این نانوساختارها دو قله ی براگ...

چکیده تمام سطوح واقعی ناهموار هستند و تاثیر این ناهمواری بر روی پراکندگی امواج، موضوع مورد مطالعه چندین دهه بوده است. با وجود حجم زیاد تحقیقات هنوز مسئله پراکندگی از روی سطوح ناهموار بطور دقیق حل نشده است. در این پایان نامه هدف بررسی مورفولوژی نانو ساختارها به وسیله طیف پراکندگی است. جهت بررسی، سطح سیلیکان متخلخل به عنوان نمونه مورد بررسی، استفاده شد. سیلیکان متخلخل برای نخستین بار در سال 195...

سیلیکان متخلخل از سیلیکان نوع p به روش الکتروشیمیایی با محلول دی متیل فرمآمید(dmf)واسید هیدروفلوریک(hf)و همچنین محلولی ز اتانول و آب و اسید hf ساخته می شود. به وسیله لایه نشانی لایه نازکی از فتالوسیانین سرب بر پلی سیلیکان متخلخل با روش الکترون بیم گان قطعه ساندویچی آماده می گردد.وابستگی دمایی قطعه ساندویچی بر رسانایی را مورد بررسی قرار می دهیم.نمودار i-v نمونه ها در بازه ی دمایی 296-393 برای نم...

تخلخل هایی با قطر نانومتری با روش الکتروشیمیایی و با استفاده از محلول الکترولیت اتانول و اسید بر روی پایه های سیلیکان نوع ایجاد گردید. با استفاده از اندازه گیری درصد تخلخل و نیز محاسبه ظرفیت دی الکتریک، رابطه بین این دو پارامتر در نانو ساختارهای سیلیکان متخلخل بررسی گردید. در این مطالعه مشخص شد که افزایش زمان خوردگی موجب افزایش درصد تخلخل شده که کاهش ظرفیت دی الکتریک سیلیکان متخلخل را سبب می شو...

سیلیکان متخلخل (ps) بر اثر آندیزاسیون الکتروشیمیایی روی ویفر سیلیکان به وجود می آید. تاکنون تحقیقات فراوانی درباره چگونگی تشکیل این ماده و خواص نوری آن به ویژه فوتولومینسانس (pl) انجام شده, اما هنوز سازوکار دقیق آنها شناخته نشده است. در این مقاله ابتدا نظریه پراکندگی نور از سطوح ناهموار تصادفی و سپس انعکاس و پراکندگی, جذب و عبور نور از ps بررسی می شود و سرانجام کارهای عملی انجام شده بر روی نمون...

سیلیکان متخلخل (ps) ماده ای است که توسط فرآیند سونش با روش آندیزاسیون الکتروشیمیایی سطح سیلیکان بدست می آید.این ماده خصوصیات متفاوتی را در مقایسه با سیلیکان از خود بروز می دهد،برای مثال بالا بودن نسبت سطح به حجم آن، که منجر به به کارگیری اش به عنوان حسگر گازی شده است. به منظور بهبود خواص الکتریکی سیلیکان متخلخل، برومو ایندیم فتالو سیانین (brinpc) روی آن لایه نشانی شده است، در نتیجه قطعه ی ساند...

در این پژوهش تلاش شده است درباره ی تمامی اطلاعاتی که می توان از طیف رامان درباره ی سیلیکان متخلخل فهمیده شود، بحث شود. نمونه های سیلیکان متخلخل تحت چگالی جریان 20 میلی آمپر بر سانتیمتر مربع و مدت زمان های خوردگی 10، 20، 30، 40 و 50 دقیقه ساخته شدند. الکترولیت مورد استفاده محلول (hf: اتانول) = (1:1) بود. طیف رامان این نمونه ها نمایانگر مشخصات زیر در نمونه هاست: 1- افزایش شدت پیک رامان با افزایش...