کاربرد افزاره های فتونیکی درسیستمهای محاسباتی، از سه دهه پیش، شروع شده و دائماً در حال توسعه و پیشرفت هستند، اما اندازه قطعات فوتونیکی بر محدودیت شکست نور نمی توانند غلبه کنند. ازطرفی دیگر، نرخ انتقال داده ها تا سال 2015 به 10 ترابیت برثانیه خواهد رسید که افزارههای فتونیکی فعلی قادر به تأمین چنین نرخی نمی باشند. بدین منظور به افزاره های نانوفتونیکی نیاز هست تا بر مشکل محدودیت شکست نور غلبه کرده ...

چکیده ندارد.

استفاده از افزاره های فوتونیکی در سیستم های مخابراتی از سه دهه پیش آغاز شده و تا به امروز روند رو به رشدی را طی کرده است و پیش بینی می شود تا سال 2015، نرخ انتقال داده ها به 40 ترا بیت بر ثانیه برسد. اما در سال های اخیر پیشرفت افزاره های فوتونیکی با محدودیت پراش نور مواجه شده است. این محدودیت امکان کوچکتر شدن افزاره های فوتونیکی از محدوده ی شکست نور را از بین می برد. با توجه به این محدودیت امکا...

چکیده ندارد.

مدار تمام جمع کننده، به دلیل توانایی در پیاده‌سازی چهار عمل اصلی محاسباتی (جمع، تفریق، ضرب و تقسیم) به عنوان یکی از مهمترین و پرکاربردترین بخش‌های اصلی پردازنده‌های دیجیتالی در طرّاحی مدارهای مجتمع، شناخته می‌شود. بدین منظور، در این مقاله تلاش شده است که سلول تمام جمع‌کننده‌ی جدیدی با بهره‌گیری از تکنولوژی ترانزیستورهای نانولوله‌ی کربنی، جهت دستیابی به مداری با عملکردی مناسب و توان مصرفی کم، ارا...

یکی از روش های افزایش سرعت و کارایی در پردازنده ها استفاده از تکنیک خط لوله3 است که در بسیاری از کاربردها اعمال میشود که بصورت موازی و یا در مد زمان بصورت قطعه قطعه اجرا میشوند. هدف ما طراحی یک ضرب کننده 16 بیت×16بیت با سرعت 2گیگاهرتز در پروسه 0.18µm cmos با ارائه روش هایی نوین و جدید در ساختار آن می باشد. برای این منظور مدارات با سرعت بالا برای هر طبقه طراحی شده که به ماکزیمم سرعت و بهره وری د...

مدار تمام جمع کننده، به دلیل توانایی در پیاده‌سازی چهار عمل اصلی محاسباتی (جمع، تفریق، ضرب و تقسیم) به عنوان یکی از مهمترین و پرکاربردترین بخش‌های اصلی پردازنده‌های دیجیتالی در طرّاحی مدارهای مجتمع، شناخته می‌شود. بدین منظور، در این مقاله تلاش شده است که سلول تمام جمع‌کننده‌ی جدیدی با بهره‌گیری از تکنولوژی ترانزیستورهای نانولوله‌ی کربنی، جهت دستیابی به مداری با عملکردی مناسب و توان مصرفی کم، ارا...

گیت XOR یکی از بلوک های سازنده پایه در یک مدار تمام جمع کننده می باشد که بهبود عملکرد آن می تواند به یک تمام جمع کننده بهبود یافته منجر شود. بدین منظور، در این مقاله، یک سلول XOR جدید ولتاژ پایین مبتنی بر ترانزیستور های اثر میدان نانو لوله کربنی (CNTFET) پیشنهاد شده است. اهداف طراحی اصلی برای این مدار جدید، اتلاف توان کم، جریان نشتی پایین و سوئینگ ولتاژ کامل در یک ولتاژ تغذیه کم (Vdd = 0.5 V) م...