در این مقاله با استفاده از یک مدل خود سازگار و با لحاظ تقریب فاز تصادفی، تابع دی الکتریک گاز الکترونی نانوسیم های نیم رسانایinas  وzno  پوشیده شده با یک محیط دی الکتریک محاسبه شده است. همچنین نشان داده ایم هنگامی که این نانوسیم ها با محیطی با ثابت دی الکتریک بالا (بزرگتر از ثابت دی الکتریک نانوسیم نیم رسانا ) پوشش داده شود، استتار بارهای آزاد درون ساختار نانو کاهش می یابد. در حالی که در محیطی ب...

در این پایان نامه به بررسی و شبیه سازی سلول خورشیدی مبتنی بر نانو سیم های zno حساس شده به نقاط کوانتومی cdse پرداخته ایم. ابتدا تابع دی الکتریک نقاط کوانتومی و نانوذرات فلزی وابسته به ابعاد آن ها بدست آمده است. سپس با استفاده از مدل ماکسول گارنت اصلاح شده، تابع دی الکتریک موثر ساختار محاسبه شده و اثر درصد نقاط کوانتومی و نانو ذرات فلزی و میزان پهن شدگی غیر همگن آن ها بر تابع دی الکتریک موثر مور...

بررسی تاثیر خاصیت شنل پنهان ساز پلاسمونیکی دولایه متحدالمرکز بر یک استوانه دی الکتریک بی نهایت است، زمانی که این استوانه به عنوان سلول پایه در یک بلور فوتونی دوبعدی جایگزین یک استوانه دی الکتریک بدون پوشش با طول بی نهایت میگردد. هدف، بررسی و مقایسه طیف عبوری دو بلور فوتونی ذکر شده در حالت های مختلف است

گرافین، نامزد مناسبی برای نانوالکترونیک مدرن است. از آن جا که در گرافین نوار رسانش و ظرفیت با هم در تماس هستند، در نتیجه گرافین شبه فلزی با گاف انرژی صفر خواهد بود. برای به کارگیری گرافین در صنعت الکترونیک، نیاز است که گاف انرژی در نوار انرژی آن ایجاد گردد. در واقع گاف انرژی معیاری از ولتاژ آستانه و نرخ خاموش-روشن شدن در ترانزیستورهای اثر میدانی است. در سال های اخیر روش های گوناگونی برای ایجاد ...

در این مطالعه، با استفاده از روش امواج تخت بهساخته خطی با پتانسیل کامل در چارچوب نظریه ی تابعی چگالی، ویژگی های الکترونی و اپتیکی کلکوژنیدهای چهارتایی cu2-ii-iv-vi4(ii=zn,cd; iv=ge,sn; vi=s,se,te) در ساختار حالت پایه بررسی و نتایج به دست آمده با داده های تجربی موجود مقایسه شده اند. ویژگی های اپتیکی با محاسبه قسمت های حقیقی و موهومی تابع دی الکتریک، طیف اتلاف انرژی الکترون و ضریب جذب با استفاده ...

در سال های اخیر، با توجه به گسترش صنعت برق و الکترونیک، تقاضا برای مواد با ثابت دی الکتریک زیاد به شدت رو به افزایش است. در کاربردهای عملی، این مواد عمدتاً به شکل کامپوزیت های پلیمری حاوی انواع پرکننده های سرامیکی و رسانای فلزی و غیرفلزی طراحی و استفاده می شوند. هر گونه ای از این پرکننده ها با سازوکار مشخصی خواص دی الکتریک کامپوزیت نهایی را بهبود می دهند. در این میان، استفاده از ذرات سرامیکی روش...

بلور مایع های نماتیک در ساخت ابزارهای فوتونیکی به ویژه در صفحات نمایشگر تخت مورد استفاده قرار می گیرند، وجود یونهای ناخالصی بدونه توجه به سرچشمه آنها باعث بروز مشکلات فراوانی در صنایع تولید صفحات نمایشگر می شود. یونهای ناخالصی یک میدان برهم کنشی داخلی اضافی تحت اعمال میدان خارجی در سلول بلور مایع ایجاد می کنند که باعث بروز مشکلاتی از جمله کاهش در اندازه میدان در دسترس و افزایش در ولتاژ آستانه، ...

شبیه ­سازی یک بعدی پلاسمای تخلیه ­ی سد دی­ الکتریک صفحه ­ای با استفاده از نرم­ افزار کامسول انجام شد. تأثیر ضخامت و ضریب دی ­الکتریک، ولتاژ و بسامد اعمال­ شده به الکترودها بر تغییرات دما و چگالی الکترون مورد مطالعه قرار گرفت. نتیجه­ های به دست آمده نشان داد که افزایش ولتاژ، بسامد، ضریب گسیل الکترون ثانویه ­ی الکترود و ضریب دی­ الکتریک باعث افزایش چگالی الکترون می­ شود درحالی که افزایش ضخامت دی­...

چکیده ندارد.

یکی از روش¬هایافزایش بازده سلول خورشیدی، افزایش میزان جذب نور خورشید است. درساختارهای کوانتومی از طریق ایجاد نوارهای میانی با صرفه¬جویی مواد مصرفی امکان¬پذیر است. در این پایان¬نامه، سلول خورشیدی شامل نقاط کوانتومی از جنسinas به شکل هرم با سطح مقطع مربع و با مقطع برش 5/0، در ماده حجیمgaas که لایه جاذب سلول می¬باشد بررسی می¬شود.ساختار ترازهای انرژی و المان ماتریس دو قطبی در هر گذار بین نواری و ما...