هدف اصلی این پایان نامه بررسی ویژگیهای حسگری گازی لوله های نانومتری کربنی زیگزاگ و نوارهای نانومتری کربنی آرمچیر است. مطالب این پایان نامه به ترتیب زیر ارائه می شود. در فصل اول انواع مختلف حسگرها معرفی می شوند و حسگرهای گازی حالت جامد به طور مفصل مورد مطالعه قرار می گیرند. فصل دوم به به بررسی روشهای سنتز و ویژگیهای الکتریکی دو دسته از ساختارهای مهم کربنی – لوله های نانو متری کربنی و نوارهای نان...

در این پایان نامه ما رسانش الکتریکی گرافین تک لایه با گرافین دو لایه را بررسی می کنیم و همچنین رسانش الکتریکی برای حالتی که در یکی از لایه ها به جای اتم ها کربن نیترید بور قرار دارد تکرار می کنیم نتایج را برای دو حالت که صفحه ها به صورت ساده و برنال روی هم قرار گرفته اند بررسی می کنیم . نمودار های چگالی حالت و رسانش الکتریکی مربوط به آنها را مورد تجزیه و تحلیل قرار می دهیم. برای بررسی این موضوع...

در این مقاله به کمک روش تابع گرین و در رهیافت تنگ بست به مطالعه رسانش الکترونی نانو سیم های مولکولی با در نظر گرفتن پرش الکترون بین همسایه های اول و دوم پرداخته ایم. ساختارهای مورد مطالعه شامل یک زنجیره خطی همگن، یک زنجیره خطی متناوب و یک چندپار پلی پارافنیلن هستند که فرض شده است بین دو هادی ساده فلزی محدود شده اند. نتایج نشان می دهند که در تقریب همسایه دوم پدیده-های تشدیدی، ضد تشدیدی و فانو در...

با کشف مدارات مجتمع، پیشرفت های خیره کننده ای در چهار دهه، در فناوری های الکترونیکی که بر اساس سیلیکون کار می کردند، اتفاق افتاد. این فرآیند در ابتدا توسط پشتیبانی از ترانزیستورهای ماسفت در ابعاد فیزیکی کوچک بدست آمد که در نهایت منجر به تولیدات موفقیت آمیز بسیاری در ساخت ادوات شد که باعث افزایش چگالی و بهبود عملکردی ترانزیستورها گردید. بیشتر کارشناسان بر این باورند که اگر همین مسیر مقیاس را ادا...

در این مقاله با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت تنگ بست و رژیم پاسخ خطی، به مطالعه ی رسانش الکتریکی یک نانوسیم شامل اتم های سطحی مرتعش که بین دو هادی صلب ساده قرار گرفته است، پرداخته ایم. با بهره گیری از فضای فوک، اثر برهمکنش الکترون ـ فونون را در ضریب عبور الکترونی مورد بررسی قرار داده ایم. نتایج نشان می دهد که مکان قله های تشدیدی رسانش با افزایش قدرت برهمکنش الکترون ـ فونون به سمت انرژی ها...

در این یادداشت اثر افزایش طول بر ترابرد الکترونی یک نانوروبان گرافینی دسته صندلی در دو حالت بدون ناخالصی و در حضور ناخالصی اتم نیتروژن مورد بررسی قرار داده شده است. سامانه مولکولی به دو الکترود یک بعدی نیمه بی نهایت متصل و از اثرات برهم کنش الکترون - الکترون چشم پوشی شده است. سامانه مورد نظر با یک مدل تنگ بست ساده توصیف شده و همه محاسبات بر پایه رهیافت تابع گرین و روش محاسباتی لانداور ـ بوتیکر ...

در این پایان نامه ما به منظور بهبود خواص الکترونیکی و کاربردی به بررسی نانوساختارهای سیلیسنی با استفاده از مدل تنگ-بست چند باندی می پردازیم. با استفاده از فرمول بندی اسلیتر و کوستر در مدل تنگ-بست به بررسی و تحلیل باندهای پیوندی سیگما و پای در نانوساختارهای سیلیسنی از جمله نانو نوارها، پولک های سیلیسنی و یک صفحه ی سیلیسنی خواهیم پرداخت. نقش تمامی پیوندها را در خواص الکترونیکی این نانوساختارها مو...

هدف اصلی این پایان نامه، بررسی چگالی حالت های نانونوارهای گرافینی آرمچیر و زیگزاگ با تغییر ساختار هندسه ی آنها،از لحاظ تعداد لایه و عرض میباشد. هامیلتونی نانونوارهای گرافینی را در تقریب تنگ بست در کوانتش دوم بدست آورده، و با استفاده از رهیافت تابع گرین معادله ی حرکت مربوط به الکترونهای ظرفیت سیستم مورد نظر را نوشته، سپس با داشتن تابع گرین و استفاده از نرم افزار متلب (matlab) چگالی حالت های نانو...

در این مقاله رسانش الکترونی مولکول خطی سه اتمی که بین دو هادی نیمه نامتناهی ساده قرار دارد، با استفاده از روش استاندارد تابع گرین در رهیافت تنگ بست، به دست می آید. با در نظر گرفتن اثر برهمکنش الکترون ـ فونون و تغییرات دما در رژیم بی دررو، رسانش الکترونی سامانه ی مرکزی بررسی می شود. نتایج نشان می دهد که با افزایش قدرت برهمکنش الکترون ـ فونون میزان پراکندگی الکترونی در اثر برخورد با اتم های مرتعش...

در این مقاله در قالب رهیافت نظریه ابررسانایی مبتنی بر نوارهای ناخالصی به بررسی آلایشهای مختلف در الماس می پردازیم تا به این سوال پاسخ دهیم که کدام عنصر بیشترین چگالی حالات فاز نرمال را برای نوار ناخالصی ایجاد می کند. محاسبات اصل اولیه ما نشان می دهد که تهی جاهای کربنی با غلظت از حدود چند درصد قادرند نوار ناخالصی با بیشترین تعداد حالات در سطح فرمی را ایجاد کنند. در ادامه برای بررسی اثرات بی نظمی...